1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan 1– LABORATORIYA ISHI ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish

Plastinalarni kristallarga ajratish va yig‘ish operatsiyalari. Barcha asosiy texnologik operatsiyalar bajarib bo‘lingandan so‘ng, yuzlarcha va undan ko‘p ISlarga ega plastina alohida kristallarga bo‘linadi. Plastinalar lazer skrayber yordamida, ya’ni tayyorlangan ISlar orasidan lazer nurini yurgizib kristallarga ajratiladi.



2.1 – rasm. Fotolitografiya jarayonining ketma -ketligi.

Ishlatishga yaroqli kristallar qobiqlarga o‘rnatiladi, bunda kristal avval qobiqqa yelimlanadi yoki kavsharlanadi. So‘ng kristal sirtidagi kontakt yuzachalar qobiq elektrodlariga ingichka (ø 20÷30 mkm) simlar yordamida ulanadi. Simlar ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya’ni ulanayotgan sim bilan kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200÷300 ⁰S temperaturada va yuqori bosimda bir – biriga bosib biriktiriladi. Montaj operatsiyalari tugagandan so‘ng kristall yuzasi atrof muhit atmosferasi ta’siridan himoyalash uchun qobiqlanadi. Odiiy integral sxemalarda chiqish elektrodlari soni 8-14 ta, KISlarda esa 64 tagacha va undan ko‘proq bo‘lishi mumkin. ISlar qobiqlari metall yoki plastmassadan tayyorlanadi. ISlarning qobiqsiz turlari ham mavjud.

2. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

2.1. IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish va berilgan IMSlar majmuidagi har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika berish: funksmonal vazifasi, texnologgiyasining turi, qo‘llanish sohasi, asosiy parametrlari va x.z.

2.2. Mikroskop yordamida kuzatilayotgan IMSkristallining strukturasini chizing va tushuntirib berish.
BTda yasalgan UE kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

UKE(0), V	2,5	5	7,5	Formula
Ye1
UBE(0), V	1	1	1
IB(0), mA	161.4	161.4	161.4	3.6
IK(0), mA	6.641	7.141	7.541	3.7
β				3.8