1 – laboratoriya ishi Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va Emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish. Ishning maqsadi

0 
1 
2 
3 
4 
5 
IMS prinsipal sxemalari 

---

- berilgan sxemalarda asosiy belgilanishlari; 
- berilgan sxemalarda har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika; 
- yarimo‘tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni; 
Nazorat savollari 
1. Integral mikrosxema (IMS) nima ? 
2. IMS asosiy xususiyati nimada ? 
3. IMS elementi va komponentasi deb nimaga aytiladi ? 
4. Pardali, gibrid va yarim o‘tkazgichli IMSlarning bir – biridan farqi nimada? 
5. Nima sababli tranzistorli tuzilma turli IMS elementlari yasashda asosiy 
hisoblanadi ? 
6. Integral mikrosxema elementlarini izolyasiyasi qanday amalga oshiriladi  
 
1 – laboratoriya ishi 
Mavzu: Emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish. 
Ishni bajarishdan maqsad: Emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish usullarini 
o’rganish
Qisqacha nazariy ma’lumot: 
Umumiy 
emitterli 
sxema 
bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish 
xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish uchun sxema 7.1-rasmda keltirilgan. 
Tranzistorning kirish xarakteristikasi kolektor-emitter kuchlanishining ma’lum 
qiymatlarida baza-emitter kuchlanishi va baza toki orasidagi bog‘lanish sifatida 
olinadi, ya’ni 
I
B
= f(U
BE
), U
KE
=const. 
 
1.1-rasm. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish 
xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish uchun sxema 

---

1.Sxemada funksional generator GEN, qarshiligi 10 kOm bo‘lgan rezistor, 
ampermetr, voltmetr,tranzistor, probel klavishasi bilan boshqariluvchi kalit SS va 
ikkita o‘zgarmas kuchlanish manbasi mavjud.
SS kalit yordamida tranzistorning kolektor-emitter kuchlanishi 0V dan 12V ga yoki 
aksincha o‘zgartiriladi. Tranzistorning bazasiga rezistor orqali beriladigan 
kuchlanish GEN generatorning Offset parametrini o‘zgartirish yo‘li bilan 0V dan 
12V gacha 1V qadam bilan o‘zgartiriladi. Ampermetr baza tokini, voltmetr esa baza-
emitter kuchlanishini o‘lchash uchun xizmat qiladi.