1-bob. YaRimo’tkazgichlar va ular asosidagi quyoSh fotoelementlari to’G’risida umumiy tushunchalar

Yarimo’tkazgichli quyosh fotoelementlari va ularning tuzilishi.

Fotoelektrik effektga asoslangan YaO’ materiallarda r-p o’tishli tuzilmalardan iborat QE da, ularga tushayotgan Quyosh nuri bevosita elektr energiyasiga aylantiradi. Shuning uchun, QE fotoqabullagich va fotoqarshiliklardan farqli ravishda, tashqi kuchlanish manbaiga muhtoj emas. Bu effekt yuz yildan ortiq

vaqt davomida selen va mis oksidining fotoelektrik xususiyatlari sifatida O’rganib kelingan, ammo ularning foydali ish koeffitsienti (F.I.K.) 0,5 % oshmagan.
Bu muammoning nisbatan faol echilishi YaO’ materiallar elektron tuzilishining soha nazariyasi yaratilganidan keyin, materiallarni kirishmalardan tozalash va kirishmalarni nazoratli ravishda kiritish texnologiyasi, hamda p-n o’tishning nazariyasi yaratilishi bilan bog’liqdir.
Sunggi 35 yil davomida energiya manbai sifatida yuqori samarali Si, GaAs, InP, CdTe va ularning qattiq qotishmalari asosida F.I.K. 20-24 % bo’lgan QE yaratildi. Kaskadli QE larda esa F.I.K. 30 % gacha etkazildi.
Keng tarkalgan kremniy asosidagi QE lari konstruktsiyasi qarama-qarshi turdagi r- va p-materialning bir-biriga yaqin tutashtirishdan hosil qilinadi. YaO’ material ichidagi p- va n-tip materiallar orasidagi O’tish sohasi (chegara xududi) elektron-kovak yoki r-n o’tish deyiladi. Termodinamik muvozanat holida elektron va kovaklar muvozanat holatini belgilovchi Fermi sathi materialda bir xil holda bo’lishi kerak. Bu shart r-n o’tish hududida ikkilangan zaryadli qatlam hosil qiladi va uni hajmiy zaryad qatlami deyilib, unga taaluqli elektrostatik potentsial paydo bo’ladi.
R-p tuzilma sirtiga tushgan optik nurlanish, sirtdan material ichiga qarab r-p O’tish yO’nalishiga perpendikulyar ravishda kontsentratsiyasi kamayib boruvchi elektron-kovak juftliklar hosil qiladi. Agar sirt yuzasidan p-n O’tishgacha bo’lgan masofa nurning kirish chuqo’rligidan (1G’ά dan) kichik bo’lsa, elektron-kovak juftliklar r-n o’tishdan ichkarida ham hosil bo’ladi. Agar p-n O’tish juftlik hosil bo’lgan joydan diffuzion uzunlikka teng masofa yoki undan kamroq masofada bo’lsa, zaryadlar diffuziya jarayoni natijasida p-n o’tishga etib kelib, elektr maydoni ta’sirida ajratilishi mumkin.
Elektronlar p-n O’tishning elektron bor bo’lgan qismiga (p-qismiga), kovaklar p-qismiga O’tadi. Tashqi p- va n-sohalarni birlashtiruvchi elektrodlarda (kontaktlarda) potentsiallar ayirmasi hosil bo’lib, natijada ulangan yuklanma qarshiligi orqali elektr toki oqa boshlaydi.
R-n O’tishga diffuziyalangan asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar, potentsial tusiq bo’lganligi sababli, ikkiga ajratiladi. Ortiqcha hosil bo’lgan (tusiq
yordamida ajratilgan) va tO’plangan, n-sohadagi elektronlar va r-sohadagi kovaklar r-n O’tishdagi mavjud hajmiy zaryadni kompensatsiya qiladi, ya’ni mavjud bo’lgan elektr maydoniga qarama-qarshi elektr maydonini hosil qiladi. Yoritilish tufayli tashqi elektrodlarda potentsiallar ayirmasi hosil bo’lishi bilan birga yoritilmagan r-n O’tishdagi mavjud potentsial tusiqning O’zgarishi rO’y beradi. Hosil bo’lgan foto-EYuK bor bo’lgan potentsial tusiq qiymatini kamaytiradi. Bu esa O’z navbatida qarama-qarshi oqimlarning paydo bo’lishini ta’minlaydi, ya’ni elektron qismdan elektronlar oqimini, r-qismdan kovaklar oqimini hosil qiladi. Bu oqimlar r-n O’tishga qO’yilgan elektr kuchlanishi ta’siri natijasida tug’ri yunalishdagi tok bilan deyarli teng bo’ladi. Yoritilish jarayoni boshlangan vaqtdan boshlab ortiqcha ( muvozanatdagiga nisbatan) zaryadlarning tO’planishi (elektronlarning n-sohada va kovaklarning r-sohada) potentsial tusiq balandligini kamaytiradi, yoki boshqacha qilib aytganda
elektrostatik potentsialni pasaytiradi Bu esa O’z navbatida tashqi yuklanmadan oqayotgan tok kuchini oshiradi va qarama-qarshi oqimlar hosil qiluvchi elektronlar va
kovaklar oqimini r-n O’tish orqali O’tishini ta’minlaydi. Yorug’lik tufayli hosil bo’lgan ortiqcha juftliklar soni r-n O’tish yoki tashqi yuklanma orqali ketayotgan juftliklar soniga teng bo’lganda statsionar muvozanat hosil bo’ladi. Odatda bu hol yoritilish jarayonining mingdan bir soniyasi davomida ro’y beradi.
QE qisqa tutashuv toki I_kz ni, tushayotgan optik nurlanish zichligi va spektral tarkibiga bog’liq holda O’rganish element tuzilmasi ichida bo’layotgan har bir nurlanish kvantining elektr energiyasiga aylanish jarayoni samaradorligi haqida tasavvur hosil qilish imkoniyatini beradi. Ma’lum yorug’lik oqimi zichligi tushayotgan QE uchun qo’yidagi tenglamani keltirish mumkin.
I_kzyu(λ) = I_kzt(λ)/[1-r(λ)] (3)
bu erda I_kzt(λ) va I_kzyu(λ) – QE qisqa tutashuv tokining qiymati, berilgan intensivlikdagi tushayotgan va yutilgan nurlanish uchun, r(λ)- birlamchi qaytish koeffitsienti. Keltirilgan uchchala kattaliklar ham bir xil tO’lqin uzunligi bo’lgan hol uchun tug’ridir.
QE ni tahlil qilish va sifatini baholash uchun uning I_kz tokining spektral xarakteristikasini yutilgan har bir kvant nur uchun hisoblash O’ta muhimdir. Bu kattalikni Quyosh elementining effektiv kvant chiqishi deyiladi va Q_eff bilan belgilanadi. Agar N_o – YaO’ material sirtining birlik yuzasiga tushayotgan kvantlar soni bo’lsa, u holda
Q_eff = I_kz/ N_o (4)
bo’ladi, bu erda I_kz elekG’soniya da O’lchanadi, va Q_eff elekG’kvant (foton) larda olinishi kerak.
QE effektiv kvant chiqishi ikki parametrga bog’lik bo’lib, u
Q_eff = βγ (5)

β-ichki fotoeffektning kvant chiqishidir. Bu kattalik har bir yutilgan kvant uchun fotoionizatsiya jarayonida YaO’ ichida hosil bo’ladigan elektron-kovak juftliklarni kO’rsatadi. γ – p-n O’tish potentsial tusiqning tok tashuvchilarni yig’ish (jamlash) koeffitsientidir. Boshqachasiga aytganda tok tashuvchilarning ajratish koeffitsienti ham deyiladi. Bu koeffitsient optik nurlanish yordamida hosil bo’lgan umumiy juftliklardan qancha qismi qisqa tutashuv tokida ishtirok etishini kO’rsatadi. Tashqi O’lchash asbobi ulangan hol uchun. , βq1 bo’lsa, har bir kvant bitta juftlik hosil qila olishini kO’rsatadi.

Har xil tO’lqin uzunlikka ega bo’lgan optik nurlanish, materialda har xil chuqo’rlikka kira oladi (kvantlarning chuqo’rlikka kirish qobiliyati ularning energiyasiga bog’likdir). YaO’ materiallarda yutilgan kvantlar hisobiga hosil bo’lgan elektron-kovak juftliklar materialda fazoviy taqsimot hosil qiladi. Hosil bo’lgan juftliklarning keyingi taqdiri YaO’ materiallarning

3-rasm. R-n-o’tishning ikki xil konstruktsiyasi.
diffuzion yuli uzunligiga bog’likdir. Agar bu parametr kattaligi etarlicha bo’lsa, u holda nurlanish tufayli hosil bo’lgan ortiqcha asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar faqat diffuziya jarayoni tufayli p-n O’tishga kelib uning elektr
maydoni orqali ajratilishi mumkin. Optik nurlanishni aylantirilishi jarayonida muhim rolni elektronlarning diffuziya yuli uzunligi( L_p ) va r-p utish chuqo’rligi (ℓ ) uynaydi, chunki hosil bo’layotgan va ajratilishi kerak bo’lgan juftliklar ularga bog’liqdir..
Optik nurlanishning YaO’ materialga tushish yO’nalishiga qarab p-n O’tish konstruktsiyasining ikki xili mavjud va ularni qo’yidagi 3- rasmda keltirilgan holi uchun ko’rib o’tamiz.
1-hol. Optik nurlanish yO’nalishiga p-n O’tish perpendikulyar joylashgan hol. Optik nurlanish qalinligi ℓ ga teng bo’lgan YaO’ materialning butunlay oxirigacha kiradi.
2-hol. Optik nurlanish yO’nalishiga p-n O’tish parallel joylahgan hol. Nurlanish kengligi d ga teng bo’lgan tuzilmaga tushadi.
Perpendikulyar va parallel joylashgan p-n O’tishlar uchun yig’ish (jamlash) koeffitsienti qo’yidagi munosabatlar bilan aniqlanadi.
γ = ( L_p QL_r) / ℓ (6) va γ = ( L_p QL_r) /d (7)
bu erda, L_r – kovaklarning diffuziya yO’li uzunligi.
Birinchi qarashda r-n O’tishning parallel joylashishi afzalroq kO’rinadi. Chunki hosil bo’lgan zaryad juftliklarini to’laligicha yig’ish va ajratish uchun YaO’ material qalinligiga va r-n O’tishga nisbatan ularning taqsimlanishi muhimdir. YaO’ ichida juftliklarning material chuqo’rligiga nisbatan bir tekis hosil bo’lishi ularning r-n O’tish tomon diffuziya hodisasi orqali ajratilish jarayoni uchun O’ta muhimdir. Shuning uchun, kO’p r-n O’tishlarga ega bo’lgan QE larda (fotovoltlar-kO’p sonli mikro QE lardan iboratlarda), ularning r-p O’tishlari tushayotgan optik nurlanishga parallel joylashtiriladi. Optik nurlanishning uzun tO’lqinli qismida, bu konstruktsiya
zaryad tashuvchilarning yig’ishning yuqori samaradorligiga ega bo’ladi, hamda bir birlik yuzadan katta miqdordagi foto-EYuK olishga imkon yaratadi.
Parallel joylashgan p-n O’tishli QE larida hosil bo’lgan elektron-kovak juftliklar kontsentratsiyasi (M) material yuzasidan ichkarisiga qarab O’zgaradi. Perpendikulyar joylashgan p-n O’tishli QE konstruktsiyasi uchun esa n-turdagi material uchun ham p-tipdagi uchun ham hosil bo’layotgan juftliklarning aksariyati p-n o’tishga yaqin joyda hosil bo’ladi. Hosil bo’ladigan elektron-kovak juftliklar birlik chuqo’rlikda qo’yidagi tenglama orqali aniqlanadi.
M = N_o α exp(-αℓ) (8)
bu erda, N_o-bir birlik yuzaga tushayotgan kvantlar soni. Juftliklar soni, ichkariga qarab kamayib boradi. Ularning sonini YaO’ materialda yutilishi mumkin bo’lgan sohada α (E) ni aniqlash mumkin. Kremniy uchun natijasi, bir necha qiymatga ega bo’lgan tO’lqin uzunliklaridagi hisoblashlar n- va p-turdagi materiallardagi zaryad tashuvchilarning diffuzion uzunliklari sohalarini, p-n O’tish perpendikulyar bo’lgan hol uchun zaryad tashuvchilar jamlash jarayonini baholash imkonini beradi. Quyosh elementlarining planar konstruktsiyasi ( optik nurlanish tuzilma yuzasiga perpendikulyar tushgan hol) QE texnologiyasida va ularni amaliy ishlatishdagi asosiy konstruktsiyadir. Bunday QE har xil YaO’ materiallar asosida ishlab chiqildi .Yuqorida keltirilgan tahlillar asosida yuqori samarali optimallashgan konstruktsiyalar ishlab chiqildi. Ammo har qanday material uchun ham ularga qO’yiladigan yuqorida keltirilgan asosiy talablar saqlab qolinishi kerakligi aniqlandi.