1– laboratoriya ishi bipolyar tranzistorda yasalgan umumiy emitter kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi

2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi:

• 
  2.1.- rasmda keltirilgan sxemani 2.1 - jadvalda berilgan parametrlar asosida elektron asboblar stendida (NI Multisim daturiy muhitida) yig‘ing;
  
• 
  ning qiymatini topib olish uchun tayyor elektron asboblar stendida (NI Multisim daturiy muhitida) yig‘ilgan sxemadagi E1 manbadan berilayotgan kuchlanishni variantda berilgan I_K qiymatiga to‘g‘ri kelguncha o‘zgartiring.
  
• 
  topilgan qiymatidan foydalanib dastlabgi hisoblashlar uchun berilgan formulalar yordamida hisob-kitob qiling va natijalarni 2.2-jadval qismiga yozib oling;
  
• 
  yig‘ilgan sxemadagi E₁ manbaga yozib olingan qiymatlarini kiritib 2.2-jadvalning qolgan qismini to‘ldiring;
  
• 
  2.2 jadval asosida olingan natijalarga ishlov bering.
  

2.1. O‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor rejimini o‘rnatish.
2.1.1. 2.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (bu 2.1 – rasmda keltirilgan kuchaytirgich bosqichi sxemasining tranzistor ishchi nuqtasini aniqlovchi qismi).

2.1-rasm. Kuchaytirgich ishchi rejimini o‘rnatish.

E₂ =10V

R_K =3,3 kOm
R_B =10÷56 kOm o‘rnating.
O‘zgarmas , kuchlanishlarni o‘lchash uchun voltmetrlarni ulang.
2.1.2. E₁ kattalikni o‘zgartirib borib, (*) bo‘lgan hol uchun tranzistor ishchi nuqtasini tanlang.
kuchlanishni o‘lchang va o‘zgarmas tashkil etuvchilarini aniqlang.
Baza toki
(2.6)
kollektor toki (2.7)
va baza tokini statik uzatish koeffisiyenti
(2.8)
(*) Real sxemalarda E₁ = E₂ qilib hamda mos R_B kattaliklari tanlanadi

2.2-rasm. BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasi.
Laboratoriya ishida 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi.