1– laboratoriya ishi bipolyar tranzistorda yasalgan umumiy emitter kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi

1– LABORATORIYA ISHI
Bipolyar tranzistorda yasalgan umumiy emitter kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich sxemasi parametrlarini o‘lchash.


1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Umumiy emitter sxemasida tranzistor aktiv rejimda ishlaydi, R_B va R_K rezistorlar o‘zgarmas tok bo‘yicha ish rejimini ta’minlaydi. Bu vaqtda R_B yordamida baza tokining o‘zgarmas tashkil etuvchisi o‘rnatiladi.
, (2.1)
demak, kollektor toki ham
, (2.2)
R_K rezistor kollektor toki o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini kuchlanish manbai orqali qisqa tutashuvdan himoya qiladi. R_K>>R_Yu bo‘lishi tavsiya etiladi. Bir vaqtning o‘zida R_K kattaligi kollektordagi kuchlanish o‘zgarmas tashkil etuvchisiga ta’sir ko‘rsatadi, chunki
. (2.3)
Berilgan E_K va R_K qiymatlarida o‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor ishchi nuqtasi ikkita parametr bilan emas, balki bitta parametr I_B (0) yoki I_K(0) yoki U_KE(0) orqali beriladi. O‘lchashda U_KE(0) dan foydalangan qulay.
Signal manbai U_G va yuklama o‘zgarmas tok rejimida tranzistorga ta’sir ko‘rsatmasligi uchun, U_BE(0) ishchi diapazonda kichik qarshiliklarga ega bo‘lgan bo‘luvchi kondensatorlar С_B va С_K ulanishi kerak.
Kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini hisoblash uchun quyidagi formulalardan foydalanish mumkin:
; (2.4)
Bu yerda
Emitter zanjirida manfiy teskari aloqa yuzaga keltiruvchi R_E rezistor mavjud bo‘lganda
; (2.5)