1 laboratoriya "Yarim o'tkazgichli diodaning vax" Ishning maqsadi

Diod Д237 А
StabilitronД811
To'g'ridan-to'g'ri yo'nalish		Teskari yo'nalish		To'g'ridan-to'g'ri yo'nalish		Teskari yo'nalish
U,B	I,мА	U,B	I,мkА	U,B	I, мА	U,B	I,мА
0	0	0	0	0.3	0	0	0
0.1	18	-2.95	-11	0.34	0.0002	-7.5	0
0.2	38	-5.77	-17	0.38	0.0017	-7.97	-0.0002
0.3	59	-7.81	-20	0.40	0.0046	-8.51	-0.0008
0.4	84	-16.16	-27	0.42	0.0125	-9	-0.0034
0.5	110	-23.22	-30	0.44	0.0335	-9.2	-0.0061
0.6	140	-30.79	-32	0.48	0.25	-9.42	-0.012
0.7	175	-36.14	-33	0.50	0.68	-9.8	-0.037
0.8	215	-43.2	-34	0.52	1.5	-9.96	-0.06
0.9	245	-52.95	-35	0.53	3	-10.24	-0.14
1	295	-67.3	-36	0.54	5	-10.42	-0.24
		-80	-36.5	0.55	8.2	-10.8	-0.74
				0.56	13.5	-11	-1.4
				0.57	22.5	-11.51	-6.2
				0.58	37	-11.6	-8.2
				0.59	61	-11.7	-11
				0.6	100	-11.8	-15
						-11.9	-20
						-12	-27

O'lchangan ma'lumotlarga ko'ra grafikalar tuzilgan:
Volt amper xususiyatlari D237A diodlari
D811 Zener diyotining volt amper xususiyatlari
Yarimo'tkazgichli diyotning volt-amper xarakteristikasining teskari filialining boshlang'ich qismida biz diyotning to'yinganlik oqimini aniqlaymiz.
Inas = 36.6 mkА.
Litron stabining volt-amper xarakteristikasining teskari filialiga ko'ra, biz buzilish kuchlanishini (stabilizatsiya kuchlanishi) aniqlaymiz.
Unp = 12 В.
Zener diodi ishlab chiqarilgan material kremniydir, shuning uchun
Birlik=1,12 eV. P-n birikmasining turi keskin assimetrik, shuning uchun (1)formuladan foydalanamiz:



Xulosa


Laboratoriya jarayonida p – n birikmasidagi oqim oqimining naqshlari o'rganildi. P-n birikmasining voltamper xarakteristikalari qurildi, diyotning to'yinganlik oqimi va parchalanish kuchlanishi (stabilizatsiya kuchlanishi) aniqlandi. Diyot bazasida yangi tashuvchilarning OS kontsentratsiyasi hisoblab chiqilgan. Diodning voltamper xarakteristikasidan shuni kuzatamizki, dioddagi iplarga ozgina tushganda, u orqali sezilarli oqim oqadi, ya'ni diodning oldinga yo'nalishda qarshiligi kichik va teskari yo'nalishda diod orqali oqim bir necha baravar kam, ya'ni uning teskari yo'nalishda qarshiligi katta, bu diodni bir tomonlama o'tkazuvchanlikka ega yarimo'tkazgichli qurilma sifatida tavsiflaydi..
Zener diyotining voltamper xarakteristikasidan ko'rinib turibdiki, Zener diyotining teskari o'tkazuvchanligi bilan, teskari o'tkazuvchanlik xarakteristikasining boshida p-n birikmasi orqali oqim ozgina oshadi va keyin stabilizatsiya voltajiga yaqin kuchlanish paydo bo'lganda, Zener diyotining bu xususiyati yukdagi kuchlanishni barqarorlashtirishda ishlatiladi.