1-Мавзу: Кириш. Ўзгармас ток манбалари ва электр занжирлари Режа

Радиотехника фанининг мақсади
Радиотехника-ўзгармас ёки саноат частотаси (50Гц) га тенг бўлган частотадаги ўзгарувчан ток энергиясини юқори частотали (юз минг, миллион ва бир неча ўн миллион герц) ўзгарувчан ток энергиясига айлантириб бериш, электромагнит тебранишлари ва тўлқинларини ҳосил қилиш, уларни тарқатиш ва қабул қилиш, шунингдек бирор ахборотни радиотўлқинлар орқали узатиш ва қабул қилиш масалаларини ўрганади.


Радиотехника фанининг вазифалари
“Электротехника ва радиотехника” фани қуйидаги вазифаларни ҳал этади:

• 
  Талабаларни миллий ва умуминсоний қадриятларни ҳурмат қиладиган, миллий истиқлол ғояларига содиқ, мустақил фикрловчи шахс сифатида тарбиялаш;
  
• 
  Талабаларга радиоэлектрон занжирлар назарияси, занжирлар элементлари, ярим ўтказгичли ва рақамли микросхема асослари, радиотўлқинларни қабул қилиш ва узатиш принциплари, телевидение асослари бўйича назарий билимлар бериш;
  
• 
  Талабаларда пассив радиоэлементлар R, L, С ларни тузилишини ўрганиш ва катталигини аниқлаш; электрон лампаларни ўрганиш; RC-генераторни ўрганиш; LC-боғланишли генераторни ўрганиш; биполяр транзисторларни ўрганиш; товуш частотали икки каскадли кучайтиргични ҳисоблаш ва йиғиш; амплитудали модуляция ва детекторлаш; нагрузкаси қаршиликдан иборат бўлган икки каскадли паст частотали кучайтиргични ўрганиш; икки тактли қувват кучайтиргчни ўрганиш ва рамкасимон антенада қабул қилиш
  

Радиотехника фанининг ривожланиш тарихи
Радиотехника фанининг ривожланишида XIX асрда физика соҳасида қилинган кўпгина кашфиётлар катта аҳамиятга эга бўлди. Масалан, уларга М.Фарадей томонидан кашф этилган электр ва магнит майдонларининг ўзаро таъсир ҳодисалари, Ж.Максвелнинг электромагнит майдон хусусиятларини очиб берувчи тенгламаларини кўрсатиш мумкин. Бу тенгламалар электромагнит тўлқинларнинг мавжудлиги ва улар ёруғлик тезлигига тенг бўлган тезлик билан тарқалиши назарий ҳолда келтириб чиқарилган эди. Максвелл назариясининг тўғрилигини биринчи марта немис олими Г.Герц 1886-1888 йилларда амалда исботлади. Лекин Герц электромагнит тўлқинларни амалда ҳосил қилсада, улардан техникада фойдаланиш мумкин эмас деб ҳисоблаган эди. Чунки электромагнит тўлқинларни қайд этадиган вибраторда ҳосил бўладиган учқунни қоронғи хонада фақат лупа ёрдамидагина кузатиш мумкин эди, холос.
Мана шу кучсиз учқунда келажак алоқа воситасини кўра олиш учун тадқиқотчи буюк олим бўлиши зарур эди. Бу ихтирога рус олими А.С.Попов эришди. А.С.Попов 1895 йил 7 май куни петербург рус физик ва химиклари жамиятида ўзининг ихтироси яъни биринчи радиоприёмникни намойиш этди. Орадан бир йил ўтгач итальян инженери Маркони радио алоқа ишларини амалга ошириб кўрсатди. Радиотехниканиг ривожланиши бевосита унинг асосий базаси бўлган электрониканинг ривожланиши билан боғлиқдир.
1904 йилда инглиз олими Я.Флеминг томонидан электровакуум электрон лампа–диодни ихтиро қилиниши. 1907 йилда эса Америка Қушма штатларида Ли Форест томонидан уч электродли электрон лампа–триодни ихтиро этилиши электрон детектор, кучайтиргич генераторларни ясаш имконини яратди. Бундай ҳол радиотехника оламини кескин ривожланишга олиб келади. 1920–30 йилларга келиб эса ҳар турли электровакуум асбоблари яратилиши радиоалоқа, радиолакоция, ўлчаш ва ҳисоблаш техникаларининг кенг қамровли ривожланишига замин яратилди.
1930-40 йилларга келиб электрон қурилмаларда (ҳисоблаш машиналарида) 1000 тагача электрон лампалар ишлатилар эди. Бу лампаларнинг ишлаш вақти 500 соатни ташкил қилади. Шу сабабли бундай электрон қурилманинг ишончли ишлаши фақатгина 15 минутни ташкил қилиб, шу билан бирга уларнинг ҳажми массаси ва электр энергиянинг истъемоли ҳам жуда катта бўлади.
Электрон лампанинг юқорида кўрсатилган камчиликлари сабабли олимлар бошқа тизимда ишлайдиган электрон асбоб яратишга мажбур бўлдилар ва 1948 йилда Америка қушма штатлар олимлари Д.Бардин, У.Браттейн, У.Шокллилар германий ярим ўтказгичи асосида ярим ўтказгичли транзисторни ихтиро қилдилар. Бу ихтиро учун улар Нобель мукофотига сазавор бўлдилар.
Бундай муоммони хал қилиш жараёнида интеграл микроэлектроника йўналиши шаклланди. Микроэлектроника йўналишининг туғилиши 1940 йилда Англияда юпқа пленкали радиоэлементлар яратилиши сабаб бўлди.
Биринчи интеграл схема 1958 йил АҚШ да бир вақтда алоҳида Д.Килби ва Р.Нойсонлар томонидан кашф этилди ва 1962 йилда эса саноат кўринишида ишлаб чиқилди. Бу эса ярим ўтказгичли интеграл микросхеманинг ривожига пойдевор бўлди.
Шу сабабли 80 йилларда катта интеграл схема (БИС) ва ўта катта интеграл схема (СБИС) лар яратилди. БИС ва СБИС асосида микро- процессорлар, микро ЭҲМ лар яратилди. Ҳозирги кунда бир монокристалда 1 миллиардгача радиоэлементлар жойлаштирилади. Интеграл микросхемалар ҳар-хил турларда ишлаб чиқарилади, уларнинг ҳар бири ўзининг функционал тизимига эгадир.