1-Mustaqil ish Bajardi: cae005 guruh talabasi Risqulov Abbosxon Tekshirdi: Egamberdiyev Manon 31-variant
Download 0.58 Mb.
|
Документ4 (1)
|
agregatlashtirishni qo`llash katta foyda beradi. Agregatlashtirish-o`zaro almashtiriladigan uzel va bloklardan tuzilgan apparatlarni konpanovkalash usulidir.
Agregatlashgan komplekslarni tuzishda unga kirgan barcha uzel va bloklarni to`la elektrik va konstruktiv almashinishi ko`zda tutiladi. Asosiy tipoviy bloklar va subbloklar unifikasiyalashtirilgan, bu holat yangi apparaturalarni ishlab chiqish va ishlab chiqarishga tadbiq etish vaqtini keskin qisqartiradi. Agregatli komplekslarga standart o`lchamlarga ega bo`lgan konstruktiv elementlar yig`masi kiradi. Agregatli komplekslar nomentklaturasi shunday tuziladiki, nisbatan oz bloklar yig`indisini ma`lum soniida turli murakkablikka vazifaga ega bo`lgan qurilma va sistemalar ko`rish mumkin bo`lsin. Agregat kompleksiga misol qilib emirilmaydigannazorat qurilmasi kompleksini olish mumkin. Uni tarkibiga mashina, belgilangan cjastota generatori, analog-diskret o`zgartirgich va bir kanalli o`zi yozar rezistorlar subbloklari hamda bazi bir boshqa bloklar kiradi. Elk\ektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni konstruktiv bajarilishi juda hilma hil va ularni vajifalari ishlatilish sohasi bilan aniqlanadi. Maslan stasionar sharoitlarda ishlash uchun mo`ljallangan elektron apparaturani samoliot bortiga yoki kosmik kemada ishlatiladihan apparaturadan farqi katta. Hulosa qilib shuni aytish mumkinki: hozirgi kunda elektron, yarimo`tkazgichli hamda elektromagnitlar asosida turli qurilmalar, avtomatlashtirilgan sanoat robotlari va manipulyatorlar tuzilmoqda. Ular yordamida tehnologik jarayonlarni boshqarish, nazorat va axborot sistemalari takomillashmoqda. Adabiyotlar ro`yhati: 1. .Каримов ва бошкалар. Электротехника ва электроника асослари. Т. «Укитувчи» 1995 йил. 2. .Шихин и другие. Электротехника. М. «Высшая школа» 1989 год. 3. А.Рахимов. Электротехника ва электроника асослари .Т. «Укитувчи» 1998 йил. 4. А.И. Холбобоев, Н.А.Хошимов. Умумий электротехника ва электроника асослари. 2000 йил. 5. В.В.Паушин и другие. Основа автоматики вычислительный 4 микропроцессорной техники.Т. 1989 год. 1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш. УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади. 1- расм 1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз. BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи
Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм). УЭ схемасига асосан BC549BPA транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм) 3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади. BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм). BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графиги 1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш. BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбс=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз. “А” нуқтанинг координаталри: Iбс=40 мкА, Uбэ.сок=1019мВ. “А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз:: 5- расмдан Iб1=40 мкА, Iб2=120 мкА, Uбэ1=945 мВ, Uбэ2=1076мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади: h11э=ΔUбэΔIб=Uбэ2−Uбэ1Iб2−Iб1=1076мВ−945мВ120мкА−40мкА =1637Ом [Уравнение] 5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш BC54BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. BC549BP транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз: ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=1019мВ – 921мВ=108мВ 6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: h12э=ΔUбэΔUкэ =108мВ10В=10,8⋅10−3 BC54PBP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) (Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбс = 80 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламанинг чизиқли кесишмаси (Ек = 10В, Rк = 800 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз. Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 16.6 мА қийматини ажратиб оламиз. Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 10В қийматини ажратиб оламиз. 7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш “А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =7,1 мА, Uкэ=4,3В. Iб1 = 40мкА ва Iб3 = 120 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз. Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: ΔIб = Iб3 – Iб1=120 мкА – 40 мкА=80мкА Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади: ΔIк = Iк2 – Iк1=8,8 мА – 4,3 мА = 4.5 мА h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: h21э=ΔIкΔIб =4.5мА80мкА=56 BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 80 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 80 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз: ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 5,7В – 2В = 3.7В Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради: ΔIк=Iк4 – Iк3=7,1мА – 7мА = 0,1 мА У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг: [Уравнение] 1.3. BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз: RчикТ=1h22э=127⋅10−6=37⋅103=37кОм RкирТ=h11э=1637Ом 1.4. BC549BP транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз: β=h21э=56 Download 0.58 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||