1. Nosimmetrik dk sxemalari dk sxemasi haqida
Download 0.69 Mb. Pdf ko'rish
|
1-Mustaqil Ish Elektronika22
|
Reja: 1.Nosimmetrik DK sxemalari. 2.DK sxemasi haqida. 3.Funksional elekronika. 4.bioelektronika haqida tushunchalar. 5.Bioelektronika sxemalari. Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish signali olinadigan yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda kuchaytirishga DKning faqat bir yelkasi ishlaydi. Agar kirish signali DKning bir yelkasiga berilgan boisa-yu , chiqish signali boshqa yelka chiqishidan olinsa, birinchi holdagidek Kv ga ega bo'lgan, inverslanmagan signal olinadi. DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo ilab ham oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda p — n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteris tikalarining barqarorligi yuqoriroq. Kanali p — n o ‘tish bilan boshqariladigan n — kanalli MTlar asosidagi Dk ning an ’anaviy sxemasi keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan Rl rezistor asosida hosil qilingan. Integral kuchaytirgichlar bevosita bog‘langan bosqich sxemalari ko‘rinishida quriladilar. Bu vaqtda bosqichdan bosqichga o‘tganda signal doimiy tashkil etuvchisining o‘zgarishi kuzatiladi. Bu holat esa keyingi bosqichlarni ishlab chiqarishda qiyinchiliklar tug‘diradi. Bu kamchilikni bartaraf etish maqsadida o‘zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmalari qo‘llaniladi. Ular sath transformatorlari deb VA ataladilar. Bu vaqtda sath siljitish qurilmasi signal o‘zgarmas tashkil etuvchisini keyingi bosqichga o‘zgarishlarsiz uzatishi kerak, ya’ni kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti 1 bo‘lishi kerak. Oldingi ma’ruzada ko‘rib chiqilgan manfiy TAli kuchaytirgich kaskadlar kuchlanish bo‘yicha kichik kuchaytirish koeffitsiyentiga ega bo‘lgan holda yuqori barqarorlikka, nolining dreyfi kichik bo‘lishiga qaramasdan, turli halaqitlar ta’siridan himoyalanmagan. Natijada, kirishga signal berilma-ganda chiqishda yolg‘on signallar paydo bo‘lishi mumkin. Halaqitlar manbai bo‘lib: Yarimo‘tkazgich IMSlar analog mikroelektron apparatlar hisoblash texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini tashkil etadi. Mikroelektronika rivojining asosiy tendensiyasi integrasiya darajasini Mur qonuniga muvofiq orttirishdan iborat. Integratsiya darajasini oshirishning bitta yo‘li tranzistor tuzilm alarning o ‘lcham larini kichiklashtirishdan iborat. Bunda bipolyar IMSlar komponentalari birbiridan va yarim o‘tkazgich asosdan qo‘shimcha konstruktiv elementlar yordamida elektr jihatdan izolatsiyalanadi. K om ponentlar ichki ulanishlarni metallash yo‘li bilan funksional sxemaga birlashtiriladi, chunki ulanayotgan sohalar turli elektr o‘tkazuvchanlikka (elektron yoki kovakli) ega. sig‘imga ega bo‘lsin. Agar aloqa liniyasi uzunligi I bo'lsa, va u orqali t sekund davomida amplitudasi U b o ‘lgan impuls uzatilsa, har bir impuls bilan liniyaga P = (CIU2)/1 q u w at kiritiladi. Impuls quw atini oshirib m antiq elem en t qayta u lan ish tezligini oshirishi mumkin. Sxemaga kiritilayotgan impuls quvvat oshirilishi bilan unda ko‘proq ajralayotgan issiqlikni olib ketish ham kerak. Shuning uchun zamonaviy sxemotexnik elektronika qurilmalarida axborotlarni qayta ishlash tezligi sekundiga 10^9:10^10 opreratsiyadan oshmaydi. Download 0.69 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|