1. Описание объекта проектирования
Выбор внешней памяти программ
Download 390.88 Kb.
|
- Bu sahifa navigatsiya:
- 3.3 Выбор устройства индикации
- 3.4 Выбор датчика скорости
3.2 Выбор внешней памяти программМикроконтроллер 80С552 не имеет внутренней памяти программ, поэтому для реализации микропроцессорной системы необходимо использовать внешнюю память программ. Для хранения программы будем использовать ПЗУ типа 27C64. Это перепрограммируемое ПЗУ. Информация стирается с помощью ультрафиолетового облучения кристалла. Основные параметры 27C64 приведены в таблице 3.2. Таблица 3.2.1. Основные параметры К573РФ5
Рисунок 3.2. Расположение и назначение выводов ПЗУ Таблица 3.2.2. Назначение выводов ПЗУ
3.3 Выбор устройства индикацииПринимаем в качестве устройства индикации двухстрочный ЖКИ HDD44780. В таблице 3.3.1 приведены команды ЖКИ. Таблица 3.3.1. Команды ЖКИ
1/D=1-инкремент адреса при вводе символа (0-декремент) S=1-сдвиг всего изображения при вводе символа S/C=1/0-изображение сдвигается/нет R/L=1/0-сдвиг вправо / влево D=1-включение дисплея C=1-включение курсора B=1-мерцание символа, под которым курсор Рисунок 3.3 двухстрочный ЖКИ HDD44780. DB0-DB7 – входы данных; R/W – чтение / запись; V0 – яркость; E – разрешение; RS – данные / команды. 3.4 Выбор датчика скоростиВ качестве датчика для измерения скорости вращения вала ДВС выбираем датчик на основе эффекта Холла GT101DC фирмы Honeywell. Внешний вид GT101DC изображен на рисунке 3.4.1, а функциональная схема изображена на рисунке 3.4.2 Рисунок 3.4.1. Внешний вид GT101DC Рисунок 3.4.2. Функциональная схема GT101DC Назначение внешних выводов GT101DC представлено в таблице 3.4.1. Таблица 3.4.1. Назначение внешних выводов GT101DC
GT101DC имеет следующие технические характеристики:
Принцип действия датчика заключается в наведении разности потенциалов на границах полупроводниковой пластины с током, во внешнем магнитном поле. Усиленная датчиком разность потенциалов прямо пропорциональна напряжённости магнитного поля в области его установки. Таким образом, при размещении датчика вблизи вращающейся детали на выходе будет генерироваться цифровой сигнал. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения | |||||||
|
IGBT-транзистор | |||||||||||||
|
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 1 мА |
4,5 |
5,5 |
6,5 |
В | |||||||
|
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
|
0,1 |
0,3 |
мА | |||||||
|
VCE(TO) |
постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,05 (1) |
|
В | |||||||
|
|
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C |
|
14 (18,7) |
|
мОм | ||||||
|
|
VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла |
|
2,1 (2,4) |
2,5 (2,8) |
В | ||||||
|
|
Cies |
входная емкость |
при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
4,2 |
|
нФ | ||||||
|
|
Coes |
выходная емкость |
|
0,5 |
|
нФ | |||||||
|
|
Cres |
обратная переходная емкость |
|
0,3 |
|
нФ | |||||||
|
|
LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
30 |
|
нГн | |||||||
|
|
RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C |
|
0,75 (1) |
|
мОм | ||||||
|
|
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, ICnom = 75 A |
|
60 |
|
нс | ||||||
|
|
tr |
время нарастания |
RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C |
|
50 |
|
нс | ||||||
|
|
td(off) |
длительность задержки выключения |
VGE = ± 15В |
|
350 |
|
нс | ||||||
|
|
tf |
время спада |
|
|
35 |
|
нс | ||||||
|
|
Eon (Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
|
|
3 (2,5) |
|
мДж | ||||||
Для управления SKM75GB063D с помощью микроконтроллера выбираем драйвер фирмы International Rectifier IR2118, которая выпускает широкую гамму микросхем драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью управления затворами приборов, работающих под напряжением до1200 В при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних, полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и трехфазных схем включения.
Рисунок 3.5 Схема подключения драйвера IGBT IR2118
Данный драйвер имеет следующие технические характеристики:
|
Функциональность: |
Верхн и нижн плеча прям |
|
Напряжение высоковольтной части: |
600 |
|
Напряжение логической части: |
10…25 |
|
Макс. вытекающий ток в/в части: |
130 |
|
Макс. втекающий ток в/в части: |
270 |
|
Макс. выходное напряжение: |
20 |
|
Диапазон рабочих температур: |
-40…125 |
|
Корпус: |
PDIP8 |
|
Входная логика: |
TTL/CMOS |
|
Дополнительные особенности: |
Задержка 50 нс |
|
Производитель: |
International Rectifier |
Do'stlaringiz bilan baham:
