1. Схема с общей базой

2.Схема с общим эмиттером

Ранее были рассмотрены статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой; когда общая точка входной и выходной цепей находится на базовом электроде. Другой распространенной схемой включения транзистора является схема с общим эмиттером, в которой общая точка входной и выходной цепей соединена с эмиттерным электродом (рис. 3.16).

Входным напряжением в схеме с общим эмиттером является напряжение базы U_БЭ, измеряемое относительно эмиттерного электрода.
Для того чтобы эмиттерный переход был открыт, напряжение базы должно быть отрицательным (рассматривается транзистор типа р- n -р).
Выходным напряжением в схеме с общим эмиттером является напряжение коллектора U_кэ, измеряемое относительно эмиттерного электрода. Для того чтобы коллекторный переход был закрыт,



Рис. 3.16

Напряжение коллектора должно быть большим по величине, чем прямое напряжение базы. Отметим, что в схеме с общим эмиттером в рабочем режиме, когда транзистор открыт, полярность источников питания базы и коллектора одинакова.

Входные характеристики. Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером представляют собой зависимость тока базы от напряжения базы: I_Б=f(U_БЭ) при U_КЭ=соnst.
Зависимость тока базы от напряжений эмиттера и коллектора найдем из уравнений (3.31) и (3.48). Вычтя второе уравнение из первого, введя обозначения

I₃₁ = I₁₁ —I₂₁ = (1— α)I₁₁.

I₃₂ = I₁₂ — I₂₂ = (1— α)I₁₂ — I_Ко

и использовав соотношения U_ЭБ = – U_БЭ и U_КБ= U_КЭ — U_БЭ окончательно получим

I_Б = I₃₁(ехр хU_БЭ – 1) – I₃₂[eхр х(U_КЭ — U_БЭ) – 1].

При большом обратном напряжении коллектора, когда eхр х(U_КЭ – U_БЭ) << 1 ток базы

Если при этом напряжение базы также обратное (ехр х U_БЭ<< 1), то ток базы идеального транзистора

В реальном транзисторе добавляются токи утечки и термотоки переходов, поэтому обратный ток базы закрытого транзистора

Входные характеристики германиевого транзистора показаны на рис. 3.17. При обратном напряжении базы и коллектора, т. е. в закрытом транзисторе, согласно выражению (3.60), ток базы I_КБU является в основном собственным током коллекторного перехода I_КБо. Поэтому при уменьшении обратного напряжения базы до нуля ток базы сохраняет свою величину: I_Б ~ – I_КБо.

При подаче прямого напряжения на базу открывается эмиттерный переход и в цепи базы появляется рекомбинационная составляющая тока (1— α)I_Э. Ток базы в этом режиме в соответствии с выражением (4.50) I_Б = (1— α)I_Э – I_КБо; при увеличении прямого напряжения он уменьшается вначале до нуля, а затем изменяет направление и возрастает почти экспоненциально согласно соотношению (3.57).

Когда на коллектор подано большое обратное напряжение, оно оказывает незначительное влияние на входные характеристики транзистора. Как видно из рис. 3.17, при увеличении обратного напряжения коллектора входная характеристика лишь слегка смещается вниз, что объясняется увеличением тока поверхностной проводимости коллекторного перехода и термотока.

При напряжении коллектора, равном нулю, ток во входной цепи значительно возрастает по сравнению с рабочим режимом U_КЭ < 0, потому что прямой ток базы в данном случае проходит через два параллельно включенных перехода – коллекторный и эмиттерный. В целом уравнение (3.57) достаточно точно описывает входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером, но для кремниевых транзисторов лучшее совпадение получается, если вместо χ брать χ₁ = 0,8χ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
усилитель биполярный транзистор
В результате выполнения курсового проекта был произведен расчет и анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе. По рассчитанным току коллектора, мощности транзистора, верхней рабочей частоте и напряжению были выбраны тип транзистора и определены статические входные и выходные характеристики, по которым определили h-параметры. Были определены номинальные значения сопротивлений и емкостей конденсаторов принципиальной электрической схемы усилительного каскада. По построенным схемам замещения были определены передаточные функции, на основе которых построены амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики усилителя.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1 Опадчий, Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника / О.П. Глудкин, А.И. Гуров. -М.: Радио и связь , 1996 . -768 с.

2 Ежков, Ю.А. Справочник по схемотехнике усилителей / Ю.А. Ежков. - 2- е изд. перераб. - М. : ИП РадиоСофт, 2002. - 272 с.
3 Манаев, Е.И. Основы радиоэлектроники. - М.: Радио и связь, 1990. -512с.
4 Баканов, Г.Ф. Основы конструирования и технологии радиоэлектронных средств : учебное пособие для студ. высш. учеб. заведений / Г.Ф. Баканов, С.С. Соколов, В.Ю. Суходольский ; под ред. И.Г. Мироненко. - М. : Издательский центр «Академия», 2007. - 368 с..
5 Вайсбурд, Ф.И. Электронные приборы и усилители / Ф.И. Вайсбурд, Г.А. Панаев, Б.Н. Савельев. -4-е изд., стер. - М. : КомКнига, 2007. - 480 с.
Селиванова, З.М. Общая электротехника и электроника: учебное пособие / З.М. Селиванова, Ю.Л. Муромцев. - Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2009. - 82 с.