1. теоретическая часть

2.6. Расчет верхнего значения частоты усиливаемой полосы
В основу расчета положим эквивалентную схему для высоких частот. Определим постоянную времени нарастания коллекторного тока транзистора с ОЭ на высоких частотах τ_оэ:

где  постоянная времени цепи обратной связи на предельной частоте; для транзистора ГТ 308 τ_оэ = 200 пс.
 эквивалентное сопротивление нагрузки.
Подставив известные значения для  получим:
=600∙10^-12+31∙100∙8∙10^-12=1,6,∙10^-7 с
Определить коэффициент отрицательной обратной связи, определяющей величину тока коллектора, ответвляющегося в базовую цепь γ_б


Определим верхнюю предельную частоту f_в


2.7. Расчет шумовых параметров
Определим коэффициент шума на средних частотах при нормальной температуре

Приложения

Рис 2.6.1 Входные и выходные характеристики транзистора типа ГТ308Б

Рис 2.6.2. Нормализованная зависимость параметра от температуры для транзистора ГТ308Б.

Список использованной литературы

Литература основная:

1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: учебник для вузов — Москва: Альянс, 2013. — 496 с.

2. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника : учебное пособие для вузов — Ростов-на- Дону: Феникс, 2010. — 704 с.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов — Москва: КноРус, 2013. — 798 с.

4. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника [Электронный ресурс] : учебник для бакалавров / О. В. Миловзоров, И. Г. Панков. — 5-е изд. — Москва: Юрайт, 2013. — Доступ из корпоративной сети ТПУ. Схема доступа: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/FN/fn-37.pdf