1. Транзисторно-транзисторная логика (ттл)

Лекция 8. Схемы базовых интегральных элементов. ТЛНС, РТЛ, РЕТЛ, ДТЛ, ТТЛ, И2Л, ЭСЛ.


План:

1. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ).

2. Преимущества и недостатки ТТЛ.

3. Транзисторно-транзисторная логика с диодом Шоттки (ТТЛШ).

4. Эмиттерно-связанная логика ЭСЛ.

5. Интегральная инжекционная логика И²Л.

Ключевые слова: Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ), Преимущества и недостатки ТТЛ, Транзисторно-транзисторная логика с диодом Шоттки (ТТЛШ), Эмиттерно-связанная логика ЭСЛ, Интегральная инжекционная логика И²Л.
Характеристики и параметры цифровых схем зависят от технологии изготовления, т.е. от серии микросхем. В современной цифровой схемотехнике доминирующее положение принадлежит следующим типам микросхем:

• 
  транзисторно-транзисторная логика на биполярных транзисторах (ТТЛ);
  
• 
  транзисторно-транзисторная логика на транзисторах Шоттки (ТТЛШ);
  
• 
  структуры на полевых транзисторах МОП – “металл – оксид – полупроводник” или МДП – “метал – диэлектрик – полупроводник”);
  
• 
  с симметричной комплементарной структурой на полевых транзисторах
  

(КМОП);

• 
  динамические МОП- структуры;
  
• 
  интегрально-инжекционная логика (І²Л);
  
• 
  эмиттерно-связанная логика на биполярных транзисторах (ЭСЛ).
  

Микросхемы ТТЛ и ТТЛШ имеют высокое быстродействие, большой коэффициент объединения по входу, высокую помехоустойчивость при сравнительно небольшой потребляемой мощности.
Микросхемы МОП и КМОП строятся на базе МОП- транзисторов с индуцированными либо встроенными каналами, имеющими в сравнении с биполярными транзисторами, следующими преимущества:

• 
  входная цепь (цепь затвора) в статическом режиме не потребляет тока;
  
• 
  простота технологии изготовления, малая площадь, занимаемая транзистором;
  
• 
  малая мощность потребления.
  

Микросхемы серий КМОП потребляют мощность только в процессе переключения.
Микросхемы ЭСЛ отличаются наиболее высоким быстродействием за счёт использования транзисторов в ненасыщенном режиме.
Микросхемы серии И²Л обеспечивают высокую плотность размещения элементов на кристалле. Они потребляют малую мощность при высоком быстродействии.