10-ma'ruza Xotira Reja: 10 Qulflar 10 Triggerlar

10.6 . RAM va ROM
Biz shu paytgacha ko'rib chiqqan barcha turdagi xotiralar umumiy bir narsaga ega: ular sizga ma'lumotlarni yozishga ham, o'qishga ham imkon beradi . Bunday xotira RAM (tasodifiy kirish xotirasi) yoki RAM ( Random Access Memory ) deb nomlanadi . Operativ xotira ikki xil: statik va dinamik. SRAM ( Statik RAM , SRAM ) D - flip-floplari yordamida tuzilgan . Operativ xotiradagi ma'lumotlar quvvat manbai bilan ta'minlangan vaqt davomida saqlanib turadi: soniya, daqiqa, soat va hatto kun. Statik RAM juda tez. Odatda, kirish vaqti bir necha nanosekund. Shuning uchun, SRAM ko'pincha kesh sifatida ishlatiladi - ikkinchi darajadagi xotira .
DRAMda ( Dinamik RAM , DRAM ), aksincha, triggerlar ishlatilmaydi. DRAM - bu hujayralar to'plami bo'lib, ularning har biri tranzistor va kichkina kondansatörni o'z ichiga oladi. Kondensatorlarni zaryadlash yoki tushirish mumkin, bu esa nollarni va boshqalarni saqlashga imkon beradi. Elektr zaryadining yo'qolishi sababli, DRAM-dagi har bir ma'lumot ma'lumotlarning tarqalishini oldini olish uchun har bir millisekundda yangilanishi (qayta zaryadlangan) bo'lishi kerak. Yangilanish tashqi mantiq bilan bog'liq bo'lishi kerakligi sababli, DRAM statik operativ xotiraga qaraganda murakkabroq bog'lanishni talab qiladi, garchi bu kamchilik katta miqdorda qoplansa.
DRAM-ga faqat bitta tranzistor va bitta bit uchun bitta kondansatör kerak (SDRAM bir bit uchun kamida 6 ta tranzistorni talab qiladi), DRAM juda yuqori yozish zichligiga ega (bitta mikrosxema uchun ko'p bit). Shuning uchun asosiy xotira deyarli har doim DRAM-ga asoslanadi. Ammo DRAM juda sekin (kirish vaqti o'nlab nanosekundlarni oladi). Shunday qilib, bir birikmasi bir kesh - xotira dinamik operativ xotira asosida statik operativ xotira va asosiy xotira asosida har ikkala qurilmada afzalliklarini birlashtiradi.
DRAMning bir nechta turlari mavjud. FPM ( Tez sahifa rejimi ) hali ham ishlatilayotgan eng eski turi . Ushbu operativ xotira bitlarning matritsasi. Uskuna qator manzili va undan keyin ustun manzillarini anglatadi ( 3.29, b rasmda keltirilgan xotira qurilmasi haqida gaplashganda biz ushbu jarayonni tasvirlab berdik ) Ochiq uzatilgan signallar tufayli xotira tizimning asosiy soatiga nisbatan asenkron ravishda ishlaydi.
FPM asta-sekin EDO xotirasi ( Kengaytirilgan ma'lumotni chiqarishda - kengaytirilgan chiqish qobiliyatiga ega xotira) bilan almashtiriladi , bu oldingi ishlov berishdan oldin xotiraga kirishga imkon beradi. Ushbu quvurli rejim, xotiraga kirishni tezlashtirmasa ham, sekundiga ko'proq so'z berish orqali o'tkazuvchanlikni oshiradi.
FPM va EDO xotiralari xotira mikrosxemalarining aylanish vaqti 12 ns dan oshmagan bir paytda dolzarb bo'lib qoldi. Keyinchalik, protsessorlar tezligining oshishi bilan tezroq xotira mikrosxemalariga ehtiyoj paydo bo'ldi, keyin asenkron FPM va EDO rejimlari sinxron dinamik RAM ( Sinxron DRAM , SDRAM ) bilan almashtirildi. Sinxron DRAM asosiy tizim soati tomonidan boshqariladi. Ushbu qurilma statik va dinamik RAM gibrididir. SDRAM-ning asosiy afzalligi shundaki, u xotira mikrosxemaining nazorat signallariga bog'liqligini yo'q qiladi. CPU xotirada qancha tsiklni bajarish kerakligini aytadi va keyin uni ishga tushiradi. Har bir pastadir chiqish chiziqlari soniga qarab 4, 8 yoki 16 bitlarni chiqaradi. Nazorat signallariga bog'liqlikni yo'q qilish protsessor va xotira o'rtasida tezkor ma'lumotlarni uzatishga olib keladi.
SDRAM xotirasini rivojlantirishning keyingi bosqichi DDR ( Double Data Rate) xotirasi edi . Ushbu texnologiya pulsning etakchi va tushuvchi chetida ma'lumotlarni chiqarishni ta'minlaydi , buning natijasida uzatish tezligi ikki baravar ko'payadi. Misol uchun, 8 - 200 MHz faoliyat Ushbu turdagi bit mikrodevre, ikki 8 chiqaradi - ; bit qadriyatlarni sekundiga 200 million marta (albatta, bu tezlik vaqt qisqa muddatga saqlanadi) Shunday qilib, nazariy jihatdan, qisqa muddatli tezlik 3,2 GB / s ga yetishi mumkin. DDR 2 va DDR 3 xotira interfeyslarni ustidan qo'shimcha ishlashi yutuqlarni taqdim DDR mos ravishda 533 MGts va 1067 MGts, uchun xotira shina tezligini oshirish bilan. Ushbu kitob nashr etilayotganda DDR 3 tezkor mikrosxemalari 17.067 GB / s tezlikda ma'lumotlarni etkazib berishga qodir edi .
Savollar

1. 
   Qulflar nima?
   
2. 
   Registrlar qanday tashkil qilingan?
   
3. 
   Triggerlarning asosiy funktsiyalari qanday?
   
4. 
   Qanday xotira mikrosxemalari mavjud?
   
5. 
   ROMning qanday turlari mavjud?