2. Aripov X. K., Abdullayev A. M., Alimova N. B., Bustanov X. X., Obyedkov ye. V., Toshmatov Sh. T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b. Qiyinlik darajasi – 1

Qiyinlik darajasi – 3

qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi

10 mkmdan yuqori

8 mkmdan yuqori

5 mkmdan yuqori

1 mkmdan yuqori

№ 27.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.
Qiyinlik darajasi – 3

. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.

Gibrid

pardali

yarimo’tkazgich

elektrovakumli

№ 28.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.
Qiyinlik darajasi – 3

Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar . integral mikrosxemalarga ajratiladi.

BT va MDYA

n va p

i va n

Shottki va Gan

№ 29.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.