3- лаборатоия иши бўйича ҳисобот бтда ясалган уб кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Ишнининг мақсади
Download 0.57 Mb. Pdf ko'rish
|
CAE 3-Laboratoriya ishi hisoboti
- Bu sahifa navigatsiya:
- БТда ясалган УБ кучайтиргич схемаси Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати
- Электроника ва радиотехника кафедраси
- Вариант №12 . Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар
- Ўлчаш натижалари Электроника ва радиотехника кафедраси
- Олинган натижалар асосида графиклар
|
Электроника ва радиотехника кафедраси 3- ЛАБОРАТОИЯ ИШИ бўйича ҳисобот БТда ясалган УБ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Ишнининг мақсади: Схемаларда биполяр транзистор (БТ) базаси умумий (УБ) қилиб бажарилган кучайтиргич каскадларини тажрибада таҳлил қилиш; юклама (омик) қаршилиги қийматининг кучайтиргич параметрларига таъсирини ўрганиш.
Электроника ва радиотехника кафедраси Берилган параметрлар: Талаба т/р
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 R Э (кОм) 1 0.5 1 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0.8 0.7 0.8 0.5 0.6 0.65 0.55 R К (кОм) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I Э (мА)
5 4 6 5.5 4.5 6.7 6.5 7 4.5 4.8 3.7 3.5 7.5 7.7 8 E 2 (В)
10 8 9 12 12 15 12 15 10 10 12 13 14 14 15
. Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар: 𝐼 э (𝜔𝑡) 1 = 3.5(1 + 0,8 sin(0 0 ))=3,5
𝐼 э (𝜔𝑡) 2 = 3.5(1 + 0,8 sin(30 0 ))=4,9
𝐼 э (𝜔𝑡) 3 = 3.5(1 + 0,8 sin(60 0 ))=5,92
𝐼 э (𝜔𝑡) 4 = 3.5(1 + 0,8 sin(90 0 ))=4,9
𝐼 э (𝜔𝑡) 5 = 3.5(1 + 0,8 sin(120 0 ))=5,92
𝐼 э (𝜔𝑡) 6 = 3.5(1 + 0,8 sin(150 0 ))=4,9
𝐼 э (𝜔𝑡) 7 = 3.5(1 + 0,8 sin(180 0 ))=5,92
𝐼 э (𝜔𝑡) 8 = 3.5(1 + 0,8 sin(210 0 ))=4,9
𝐼 э (𝜔𝑡) 9 = 3.5(1 + 0,8 sin(240 0 ))=5,92
𝐼 э (𝜔𝑡) 10 = 3.5(1 + 0,8 sin(270 0 ))=4,9
𝐼 э (𝜔𝑡) 11 = 3.5(1 + 0,8 sin(300 0 ))=5,92
𝐼 э (𝜔𝑡) 12 = 3.5(1 + 0,8 sin(330 0 ))=5,92
𝐼 э (𝜔𝑡) 13 = 3.5(1 + 0,8 sin(360 0 ))=5,92
𝜔𝑡, 𝑔𝑟𝑎𝑑 0 30
60 90
120 150
180 210
240 270
300 330
360 𝐼 э (𝜔𝑡), 𝑚𝐴 3,5 4,9
5,92 6,3
5,92 4,9
3,5 2,1
1,07 0,7
1,07 2,1
3,5 𝑈 э (𝜔𝑡), 𝑉 -0,806 -0,815 -0,82 -0,822 -0,82 -0,815 -0,806 -0,79 -0,776 -0,765 -0,776 -0,79 -0,806 𝐼
(𝜔𝑡), 𝑚𝐴 3,466 4,853 5,862 6,329 5,862 4,853 3,466 2,08 1,06
0,695 1,06
2,08 3,466
𝑈 к (𝜔𝑡), 𝑉 9,534 8,148 7,138 6,762 7,138 8,148 9,534 10,92 11,94 12,3 11,94 10,92
9,534 Ўлчаш натижалари Электроника ва радиотехника кафедраси Олинган натижалар асосида ҳисоблашлар: – Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти: 𝐾 𝑈
∆𝑈 КБ ∆𝑈 ЭБ = 𝑈 КБ.мах − 𝑈
КБ.мин 𝑈 ЭБ.мах − 𝑈 ЭБ.мин
= 21.3 − 6.762 −0.765 + 0.822 = 255 – Ток бўйича кучайтириш коэффициенти: 𝐾 𝐼 = ∆𝐼 к ∆𝐼 э = ∆𝐼 к.мах
− ∆𝐼 к.мин
∆𝐼 э.мах
− ∆𝐼 э.мин
= 6.329 − 0.695 6.3 − 0.7 = 1.006
– Қувват бўйича кучайтириш коэффициенти: 𝐾 𝑃 = 𝐾 𝑈 × 𝐾 𝐼 = 255 – Динамик кириш қаршилиги: 𝑅 дин.кир = ∆𝑈 э ∆𝐼 э = ∆𝑈 э.мах
− ∆𝑈 э.мин
∆𝐼 э.мах
− ∆𝐼 э.мин
= −0.765 + 0.822 6.3 ∗ 10 −3 − 0.7 ∗ 10 −3 = 10.17
– Динамик чиқиш қаршилиги: 𝑅 дин.чиқ = ∆𝑈 к ∆𝐼 к = ∆𝑈 к.мах
− ∆𝑈 к.мин
∆𝐼 к.мах
− ∆𝐼 к.мин
= 21.3 − 6.762 6.329 ∗ 10 −3 − 0.695 ∗ 10 −3 = 2580
Олинган натижалар асосида графиклар: 𝑰 к = 𝒇(𝝎𝒕); 0 1 2 3 4 5 6 7 0 100
200 300
400 Ik, m A wt, grad Ряд1
Электроника ва радиотехника кафедраси 𝑼 к = 𝒇(𝝎𝒕) 𝑰 э = 𝒇(𝝎𝒕); 𝑼 э = 𝒇(𝝎𝒕); 6 7 8 9 10 11 12 13 0 100
200 300
400 Uk, М wt, grad Ряд1
0 1 2 3 4 5 6 7 0 100 200
300 400
Ie, m A wt, grad Ряд1
-0,83 -0,82
-0,81 -0,8
-0,79 -0,78
-0,77 -0,76
0 50 100 150 200
250 300
350 400
Ue, V wt, grad Электроника ва радиотехника кафедраси 𝑰 к = 𝒇(𝑼 к ); 𝑰 к = 𝒇(𝑰 э ); 𝑼 э = 𝒇(𝑰 э ). 0 1 2 3 4 5 6 7 0 2 4 6 8 10 12 14
m A Uk, V Ряд1
0 1 2 3 4 5 6 7 0 1 2 3 4 5 6 7 Ik, m A Ie,mA Ряд1
-0,83 -0,82
-0,81 -0,8
-0,79 -0,78
-0,77 -0,76
0 1 2 3 4 5 6 7
V Ie,mA Ряд1
Электроника ва радиотехника кафедраси ХУЛОСА ОЛИНГАН НАТИЖАЛАР АСОСИДА ХУЛОСА ЁЗИНГ. Download 0.57 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|