3 лаборатория иши бтда ясалган уб кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш

4.1-расм
Кичик амплитудали сиганллар билан ишланганда ва қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (4.1-4.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг h- параметрлар тизимидан фойдаланиб.

(4.4)

ёзиш мумкин, бу ерда , _{бўлганда}

, _{бўлганда}

, бўлганда (4.5)

, бўлганда
h- параметрлар (4.5) формулалари ёрдамида хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (h_11Б ва h_12Б – кириш характеристикалар оиласидан, h_21Б ва h_22Б – чиқиш характеристикалар оиласидан).

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:

Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.

4.1 - жадвал

Кириш ва бошқариш характеристикалари

ЕЭ	В
uЭБ	В
IЭ	мкА
iK	мА

4.2 - жадвал

Транзистор чиқиш характеристикалари

IЭ, мкА
	uКБ	В
	iK	мА
	uКБ	В
	iK	мА
	uКБ	В
	iK	мА
ва х.з.

4.4 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор цоколининг схемаси 4.5 – расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари R₁= (270-510 )Oм ва R₂=(510-1000) Ом.