Аморф материаллар (кристалл тузилмаларга эга бўлмаган) асосидаги асбоблар қизиқ имкониятларга эга эканлиги аниқланган. Улар S шаклдаги вольт – ампер характеристикага эгадирлар. Халькогенид шишали элементлар асосида электр қайта ёзиш ва юқори зичликка эга бўлган хотира қурилмалари ясаш мумкин. Бу қурилмалар энергия сарфламасдан ва ўқиганда йўқолиб кетмайдиган ахборот сақлаш имкониятига эга бўлиб, симметрик вольт – ампре характеристика ва юқори радиацияга чидамлиликка эгадирлар. Ярим ўтказгичлар (парда қалинлиги 1 мкмдан катта бўлмаган) ичидан истиқболли аморф материллар бўлиб Si, Ge, As, Te, In, Sb, Se ёки уларнинг қотишмалари, ҳамда бу ярим ўтказгичлар асосидаги оксидлар асосидаги диэлектриклар ҳисобланади.
Бойматова H.
Do'stlaringiz bilan baham: |