5. Dreyfus bipolyarn transistor
Download 45.57 Kb.
|
Elektronika 2.2
Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Urganch filiali Kompyuter injinering fakulteti Fan : Elektronika va sxemalar 2 fani MUSTAQIL ISH Bajardi: 911_21-guruh talabasi Soliyev Shohruxbek _________ Topshirdi : Artikova Gulzoda _________ Mavzu:Bipolyar tranzistorlar Reja:
1.Tranzistorning tuzilishi va ishlash prinsipi 2. Tranzistorning asosiy xarakteristikasi 3.Tranzistorlarning h parametrlari 4.Tranzistorlar zanjirga uch xil usulda ulanishi 5. Dreyfus bipolyarn transistor. Tranzistor uchta soxadan iborat yarim otkazgichli asbobdir. . Urta kismi baza deb deb atalib aralashma kontsentratsiyasi chetki kismlariga nisbatan kam va yupka boladi. Baza kalinligi LБ elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga kadar erkin yugurib utgan masofasi Lд ga nisbatan kichik LБ < LД.bulsa yupka baza deb yuritiladi. LД shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki kismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Tranzistorning tuzilishi triodga kiyoslansa, emitter katodga, baza- turga, kollektor - anodga uxshatiladi. Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi inektsiya, yani injektsiyalanadi degan manoni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan elektron lampadagi katoddan termoelektron emissiya xodisasi tufayli elektronlar hosil bulishi orasidagi fark tushuntiriladi. Tranzistor va vakuumli triod ishlash printsipi jihatidan ham fark kiladi. Triodda turga kuchlanish berilsa ham, anod toki hosil boladi. Tranzistorda esa baza toki bulmasa, kollektor toki ham bulmaydi. Diskret tranzistorda r-n utishlar yarim otkazgichli plastinaning karama qarshi tomonlarida joylashgan. Utishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham mavjud. Bunday tranzistorlar integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter soxasida aralashma miqdori kop rok boladi. Kollektor zaryad tashuvchilarni ekstraktsiyalash (sugurib olish) vazifasini bajaradi. Tranzistorning bazasi n yoki р utkazuvchanlikka ega bulishi mumkin. Shunga kura chetki kismlari р yoki n utkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Demak, tranzistor р – n - р yoki n- р- n strukturali bo‘ladi. Tranzistorda ikkita р-n utish mavjud. Buni xisobga olgan holda tranzistorni ketma –ket ulangan ikkita boglangan diod sifatida qarash mumkin. Uning chetki uchlariga kuchlanish ulanganda r-n utishlarning biri tugri utish bolsaikkinchisi teskari bulganligidan xar ikkala yunalishda ham sistemadan tok utmaydi. Tranzistorni ikkita tok manbaiga ulaylik. K kalit ochik bolganda emitter zanjirida tok bulmaydi. Kollektor zanjirida esa oz miqdorda teskari р-n utish toki ( IкБт, т- teskari demak) bo‘ladi. K- kalit ulanganda emitter zanjirida tok hosil bo‘ladi. Chunki Еэ. manba kuchlanishi emitter – baza yo‘nalishida tugri р-n utish hosil kiladi. Bunda ko‘pchilik kovaklar emitterdan bazaga utganda LБ > LД. bulganligidan kollektor otishiga yetib boradi. Natijada kollektor toki ortadi. Umuman olganda tranzistorning asosiy xossasi bazada borayotgan jarayonlar bilan belgilanadi. Bazada chet moddalar taksimlanishi natijasida unda asosiy bolmagan zaryadlarni emitterdan kollektorga otishiga yordam beruvchi elektr maydon bolsabunday tranzistor dreyfli tranzistor deyiladi. Agar bazada xususiy maydon bulmasa, asosiy bolmagan zaryad tashuvchilar baza orqali asosan diffuziya tufayli utsa bunday tranzistor dreyfsiz tranzistor deb ataladi.Tranzistorning chikish xarakteristikasida Iэ = 0. ga mos kelgan xarakteristika K kalit ochik bulgan holni ifodalaydi. Harakteristikadan kurinadiki kollektor - bazaga quyilgan manfiy kuchlanish qiymati ortishi bilan tokning sezilarli darajada ortishi kuzatilmaydi. Buni tushuntirish uchun tranzistorning potentsial diagrammasi bilan tanishib chikaylik. Unda tranzistorning zaryadlarga kambagallashgan soxalari ham korsatilgan. Emitter va kollektor soxalarida zaryadlangan zarrachalar kontsentratsiyasi katta bulganligidan kambagal soxa asosan baza katlamida bulib, ikki soxa orasidagi masofa yani bazaning effektiv kalinligi baza kalinligidan kichik boladi. Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi kollektor otishidagi kambagal katlamning kengayishiga olib keladi. Natijada bazaning effektiv kalinligi kamayadi. Bu xodisa baza kalinligining modulyatsiyasi deb ataladi. Emitter toki fakat kovaklar xarakati tufayli hosil bulmasdan elektronlar xarakati bilan ham boglik. Kollektorda esa tok fakat kovaklar xarakati tufayli vujudga keladi. Shu sababli emitterning samadorligi =Iэр / Iэр+ Iэн
Emitterning bazaga injektsiyalangan (purkalgan) bir kism kovaklar bazadan asosiy zaryad tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalanadi. Baza orqali o‘tib boruvchi kovaklar, baza uchun asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zarrachalar xisoblanadi. Kuyidagi = Iк- IКБТ./ Iэр nisbat bilan aniklanadigan kattalik baza orqali utuvchi asosiy bo‘lmagan zaryad tushuvchilarni utkazish koefftsenti deb yuritiladi.Emitterning samaradorligi va utkazish koeffitsiyenti tranzistor katta signal bilan ishlagandagi tok uzatish koefftsenti.h21Б. ni belgilaydi. Bu koeffitsent h21Б= = - da teng. Kollektorga kirib keluvchi tok yo‘nalishi musbat yo‘nalishi musbat yunalish deb qabul qilinganligidan «minus» ishora quyiladi. h21B koeffitsiyenti tranzistorning muxim parametrlaridan biri xisoblanib sifatli tayorlangan tranzistorlarda birga yakin bo‘ladi. Tranzistorni zanjirga ulash umumiy bazali(UB) sxema deb yuritiladi. Bu sxema buyicha ЕЭБ va ЕКБ manbaalarning ulanish usuliga kura tratzistorlar turli rejimda ishlashi mumkin.
Tranzistorlarga kichik signal tasir ettirilganda uni chiziqli aktiv nosimmetrik turt kutbli deb qarash mumkin. Kichik signal tasir ettirish deyilganda signal amplitudasi 1,5 barabor orttirilganda tranzistor parametrlari 10 % dan kop ga ortmaydigan hol kuzda tutiladi. Shunda turt kutbli parametrlarni xisoblash usulini kullash mumkin. Odatda tranzistorlarning h parametrlarini UB va UE sxemalari uchun xisoblanadi. Bu sxemalar yordamida topilgan parametrlar ozaro quyidagicha boglangan. ; h11б h11э / 1+h21э 2б h12б h11э h22э / 1+ h21э h21б h21э / 1+h21э ; h22б h22э / 1+ h21э Shularning eng ko‘p ishlatiladigan UB sxemada h12б = - = Iк / Iэ Uкб соnst va UEsxema uchun h21э = - = Iк / Iб Uкэ соnst Bulib ular o‘zaro quyidagicha boglangan = / 1- Tranzistordan utuvchi toklarni kuchlanishga boglikligi statik volt - amper xarakteristikalari orqali ifodalanadi. Ular kirish va chikish xarakteristikalariga ajratiladi. Kirish xarakteristikasi deyilganda chikish zanjirining kuchlanishi ozgarmas saklangan holda, kirish zanjiridagi tokning kirish kuchlanishiga bogliklik grafigi tushuniladi. Tranzistordan kuchaytirgich sifatida foydalanilganda umumiy emitterli sxemada signalni kuchlanish buyicha 10-200 marta kuchaytirish mumkin. Shu sabali UE sxema boshkalariga nisbatan koprok kullaniladi. Lekin UE sxemada qarshiligi 500-1000 Om, chikish qarshiligi 2-20 kOM atrofida boladi. Kirish qarshiligi kichik bulganida boshka kurilmalarga moslash davrida kiyinchiliklar tugiladi. UK sxemada kuchlanish buyicha kuchaytirish UE niki bilan bir xil. UB sxemada tok buyicha kuchaytirish bir atrofida kuchlanish buyicha kuchaytirish UE niki kabi boladi. Kirish qarshiligi bu sxemada juda kichik 10-200 Om atrofida bulganligidan kopincha elektr signallarini generatsiyalash va shunga uxshash kurilmalarda ishlatiladi. Dreyfus bipolyarn tranzistorlari yuqori haroratlarda ishlaydigan ilovalar uchun maxsus mo'ljallangan yarimo'tkazgichli qurilma turidir. Ushbu tranzistorlar yuqori quvvat va tez almashtirish imkoniyatlari bilan mashhur. Dreyfus bipolyar tranzistorlari 1950-yillarda RCA kompaniyasi tomonidan ishlab chiqilgan va uning ishlab chiqaruvchisi Gerbert Dreyfus nomi bilan atalgan. Ushbu tranzistorlar quvvat kuchaytirgichlari va kommutatsiya davrlarida qo'llaniladi. Dreyfus bipolyar tranzistori uchta hududdan iborat: p-tipli qatlam, n-tipli qatlam va p-tipli qatlam. Ushbu bo'limlar tranzistorning tayanch, kollektor va emitent terminallariga mos keladi. Download 45.57 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
ma'muriyatiga murojaat qiling