5. Venn Diagrammasi

хоссаларига кристалланиш шароитининг таъсири.

Қаттиқ эриган моддаларни кристалл ҳолида ажратиб олиш учун эритмалар ўта тўйинган ҳолатга келтирилади. ґта тўйинган эритмалар қуйидаги усуллари билан олинади: 1) Эритмалардаги эритувчининг бир қисмини буғлатиш йўли билан уни қуйилтириш; 2) эритмаларни совитиш билан эрувчанликни камайтириш; 3) эритмаларга эритувчини ўзига бириктирувчи ёки эрувчанликни камайтирувчи моддаларни қўшиш; 4) умумлаштирилган усул.

Буғлатиш йўли билан кристалланиш жараёнида эритувчи буғлатиш аппаратларида иситувчи труба деворлдари орқлаи иссиқлик воситасида буғлатилиб, шу аппаратнинг ўзида кристалланиш жараёни содир бўлади. Бу усул изотермик кристалланиш дейилади.
Кристаллари эритмадан фильтрда ёки центрифугаларда ажратиб олиниб, кейин эса ювилади. Яхши эрувчанлик хусусиятига эга бўлган тузли эритмаларни совитиш натижасида ўта тўйинган эритмаларидан кристаллар ажралиб чиқади. Бу жараён бир ва кўп босқичли аппаратларда даврий ва узлуксиз равишда олиб борилади.
Тузли эритмаларнинг эрувчанлиги ёмон бўлса, кристалланиш жараёни эритмаларни иситиш йўли билан олиб борилади.
Умумлаштирилган усулда кристалланиш жараёни вакуум остида, эритувчининг бир қисми иситувчи агент воситасида буғлатиб йўқотиш ҳамда майдалаш усули билан олиб борилади. Вакуум остида кристалланиш жараёни иссиқлик аппарат деворлари орқали берилиб, эритманинг бир қисмини буғлатиш учун сарфланади.
Кристалланиш жараёни қараб кристалларнинг шакли, катталиги, гранулометрик таркиби, тозалиги ҳар хил бўлиши мумкин. Кристалланинг шакли кристалланаётган модданинг табиатига, эритма таркибидаги қўшимча аралашмалар миқдорига боғлиқ.
ґта тўйиниш даражаси кам бўлган эритмалардан кристалларни секин ўстириб, катта ўлчамли кристаллар олинади. Кристалларнинг катталиги эритмаларни аралаштириш усули ва интенсивлигига боғлиқ. Аралаштириш кристалларнинг ҳосил бўлишига икки хил таъсир қилади, яъни биринчидан, эритмани интенсив аралаштириш натижасида диффузия орқали кристалл қирралари кўпроқ модда ўтиб у катталашади, иккинчидан, кўп майда кристаллар ҳосил бўлади.
Тоза ҳолдаги моддалар энг эффектив ва кенг тарқалган ягона усул-кристалланиш орқали олинади. Моддаларнинг тозалик даражаси кристалланиш жараёнининг шароитга ҳамда ювиш ва фильтрлаш жараёнларига боғлиқ. Кристаллдаги қўшимча аралашмалар дастлабки эритма таркибидаги моддаларнинг кристалл қирраларидаги тешикларга кириб қолиши ва эритма юзасига ютилишидан ҳосил бўлади.