6-Mavzu Radioelektronika tiykarlari. Yarım ótkizgishli materiallar. Elektron asboblarning xossalari va vazifalari. Yarim otkazgichlarning elektr otkazuvchanligi. Ikki elektrodli yarim otkazgich asboblar

Yarim utgazgishli materiallar.

p – n – otish `odisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim otkazgichli asbob yarim otkazgich diod deb ataladi.

p – n otishning volpt – amper harakteristikasini aniklaylik. p – n otishga tashki manba ulansa, potentsial tosik ozgaradi va tok tashuvchilarning dinamik muvozanati buziladi. Natijada diffuziya va dreyf toklarining muvozanati ham buzilib, natijaviy tokning kattaligi tashki manbaning kuchlanishiga bo`lik bolib koladi. Bu boglanishni analitik hisoblab, grafikda tasvirlash mumkin.
Uni p – n otishning volpt – amper `arakteristikasi deb ataladi.
Tashki manbani shunday ulaylikki, uni hosil kilgan maydon kuchlanganlik vektori p – n otishning xususiy maydon kuchlanganligi vektori bilan mos tushgan. Buning uchun manbaning musbat kutbi n – so`a kontaktiga, manfiy kutbi esa p – so`a kontaktiga ulanishi kerak (15.1a – rasm). Bunda natijaviy maydon kuchlanganligi ortadi, yaoni potentsial tosik kattalashib, asosiy tok tashuvchilarning harakati yanada yakinlashadi (15.1b - rasm). Diffuzion tok nolgacha kamayadi, lekin asosiy bolmagan tok tashuvchilar uchun maydonning tezlantiruvchi taosiri ortadi va ular kontakt so`asini kesib otishda davom etadi. Bunda hosil boaldigan tok teskari tok, koyilgan kuchlanishni esa, teskari kuchlanish deb ataladi. Demak, teskari ulanishda p–n otishning karshiligi etarlicha katta boladi. Uni teskari otish karshiligi deyiladi. Manba kutblarini almashtiraylik, yaoni p – so`aga musbat, n – so`aga manfiy kutb ulansin. Bunda kontakt so`asida tashki manba `osil kilingan maydon kuchlanganligi vektori p–n otishning xususiy maydon kuchlanganligi vektoriga karama – karshi yonalgan boladi va natijaviy maydon kuchlanganligi kamayadi. Bu potentsial tosikning kichrayishiga olib keladi va diffuziya toki ortadi hosil boladigan tok to`ri tok, p–n otish karshiligi esa, to`ri ulanish karshiligi deyiladi.
p–n otishda `osil boladigan natijaviy tok kuyidagicha ifodalanadi:
(15.1)
I₀ – teskari tokning toyinish kiymati;
U – tashki manba kuchlanishi;
E – elektron zaryadi.
Rasm 15.2 da tashki kuchlanishga karab diffuziya tokining ozgarish grafigi tasvirlangan. Uni R-n otishning volpt – amper `arakteristikasi deb ataladi. (Unda tok okining darajalanish kiymati bir xil emas. Teskari tok ozining darajalanishi kiymati bir necha marta kattalashtirilgan. Chunki to`ri tok mA da, teskari tok esa, wFda ulchanadi). Demak, r-n otish toki bir tomonga afzal otkazish – ventilp xususiyatiga ega.

p-n o’tiw va unung volt amperlik xarakteristikasi.

p-n o’tish hodisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim otkazgichli asbob yarim otkazgichli diod deb ataladi. Shunga kora rasm 15.2 da tasvirlangan volpt – amper `arakteristika, yarim otkazgich diodning `am `arakteristikasidir. Uning shakli juda kop faktorlarga bo`lik.

To`rilagich diodlar past chastotali ozgaruvchan toklarni to`rilashda ishlatiladi. Tayyorlash texnologiyasiga kora diodlar yassi va nuktaviy bolishi mumkin. Yassi diodlarda r-n otishning yuzini belgilovchi olchamlar, uning kalinligiga nisbatan katta boladi. Nuktaviy diodlarda esa aksincha boladi.
To`rilagich diodlar sifatida asosan yassi diodlar ishlatiladi. To`ri yonalishda otuvchi tok kuchi 1600 A gacha teskari yonalishda kuchlanish 1000 V gacha moljallangan. Albatta bunda diodlar kiziydi, shuning uchun ular radiatorlar kiygizib montaj kilinadi.
Yukori chastotali diodlar signallarni detektorlash, ozgartirish, modulyatsiyalash kabi ishlarda kollaniladi.
Impulps rejimida ishlaydigan diodlar radio sxemalarida kalit vazifasini bajaradi. Bu rejimda asosan nuktaviy diod va kichik yassi diodlar ishlatiladi.