Qidiruv: Резистор
Тиш тўқималари резистентлигини ошириш учун қандай препаратлар тавсия этилади?- Мавзу №5: Доғ босқичидаги ўткир ва сурункали кариеснидаволашнинг усуллари. Рецептура. Профилактика
Рисунок-6. Вольтамперная xарактеристика терморезистора на основе КК при
- Тошкент давлат теxника университети, андижон давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи dsс
Фоторезисторы
- Учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям 654300 и 551100
Для измерения основного параметра резистора - активного сопротивления R, а
- Microsoft Word оэри лабы 1 doc
-расм.СП типдаги ўзгарувчан резисторлар
- Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги ислом каримов номидаги
А Резистент АГда альфа-1 адреноблокатор – урапидил
- Ўзбекистон республикаси соғЛИҚни сақлаш вазирлиги ўзбекистон республикаси инновацион соғЛИҚни сақлаш миллий палатаси
Фоторезистор
- Маъруза режаси
ТЕМА: Реактивность и резистентность, их значение в раз-
- Для самостоятельной работы студентов II-III курсов медико-профилактического факультета
Номахсус резистентлик омиллари
- “ЮҚумли касалликларга серологик ташҳис қЎйиш усуллари. Ар, Билгар”
Фаза резистентности, или анаболическая фаза
-
 | Рақамли ўлчаш асбоблари Rx кучайтиргичга уланганда кучайтиргичнинг чиқиш қисмида кучланиш ҳосил бўлади. Кучайтиргичнинг кириш қисмидан ўтувчи ток кичик бўлганлиги туфайли асосий ток Rx резистор қаршилик орқали ўтади 83 Kb.  4 | o'qib |
 | 10- маъруза Оддий ва мураккаб инверторли ттм режа Содда инверторли ттм мэ схемаси Vt2 ва vt3 транзисторлар, R4 резистор ва vd диод), бошқарилувчи фаза ажратувчи каскад (VT1 транзистор, R2 ва R3 резисторлар) дан ташкил топган 1 Mb. 1 | o'qib |
 | План: Резистор R данный параметр является функцией частоты, что иллюстрирует рис. Из рис. 6 вытекает, что при конденсатор представляет разрыв для тока, а при 120.85 Kb. 2 | o'qib |
| 4 маъруза: Дифференциал кучайтиргич. Операцион кучайтиргич Vt1 транзистор ва rк1 резистордан, иккинчиси эса vt2 транзистор ва rк2 резистордан ташкил топган. Rэ резистор иккала елка учун умумий 157.94 Kb. 3 | o'qib |
| 6 маъруза: Оддий инверторли ттм. Мураккаб инверторли ва Шоттки барьерли ттм. Интеграл-инжекцион мантиқ Vt2 ва vt3 транзисторлар, R4 резистор ва vd диод), бошқарилувчи фаза ажратувчи каскад (VT1 транзистор, R2 ва R3 резисторлар) дан ташкил топган 74.08 Kb. 3 | o'qib |
| 10 – маъруза дифференциал кучайтиргич. Носимметрик дк схемаси дк асосий параметрлари Vt2 транзистор ва rк2 резистордан ташкил топган. Rэ резистор иккала елка учун умумий. Ҳар бир елка манфий тали уэ уланган каскадни ташкил этади 217.5 Kb. 2 | o'qib |
| Лабораторная работа Исследование работы тиристоров Порядок выполнения работ: Этот эксперимент мы проведем в программе multisim N6506, постоянный ток с электрическим сопротивлением 1 кОм и переменный резистор, равный 100 Ом, источник постоянного тока с напряжением 12 в, электроизмерительные приборы миллиамперметр и милливольтметр. Схема Лабораторная работа 200.19 Kb. 1 | o'qib |
| 4- лаборатория иши Uг ажратувчи конденсатор С1 орқали, юклама қаршилиги rс эса, каскаднинг чиқишига С2 ажратувчи конденсатор ёрдамида уланган. Затворнинг умумий шина билан гальваник боғланиши rз≈1 мом резистор орқали амалга оши-рилади 120.32 Kb. 2 | o'qib |
| Лаборатория иши Uг ажратувчи конденсатор С1 орқали, юклама қаршилиги rс эса, каскаднинг чиқишига С2 ажратувчи конденсатор ёрдамида уланган. Затворнинг умумий шина билан гальваник боғланиши rз≈1 мом резистор орқали амалга оши-рилади 133.5 Kb. 1 | o'qib |
| Лаборатория иши Uг ажратувчи конденсатор С1 орқали, юклама қаршилиги rс эса, каскаднинг чиқишига С2 ажратувчи конденсатор ёрдамида уланган. Затворнинг умумий шина билан гальваник боғланиши rз≈1 мом резистор орқали амалга оши-рилади 57.28 Kb. 2 | o'qib |
| Qabul qildi: Polvonov Xolbek Bajardi: Turamuradov Shodmon 2-laboratoriya ishi Bipolyar tranzistorda yasalgan ue kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 0.76 Mb. 1 | o'qib |
| 3 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 188 Kb. 1 | o'qib |
| 2 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 22.31 Kb. 1 | o'qib |
| Ax-11-21 guruh Elektronika va sxemalar2 fanidan Uг ажратувчи конденсатор С1 орқали, юклама қаршилиги rс эса, каскаднинг чиқишига С2 ажратувчи конденсатор ёрдамида уланган. Затворнинг умумий шина билан гальваник боғланиши rз≈1 мом резистор орқали амалга оши-рилади 121.67 Kb. 2 | o'qib |
| Raqamli o’lchash asboblari va ular yordamida har XIL kattaliklarni o’lchash Rx кучайтиргичга уланганда кучайтиргичнинг чиқиш қисмида кучланиш ҳосил бўлади. Кучайтиргичнинг кириш қисмидан ўтувчи ток кичик бўлганлиги туфайли асосий ток Rx резистор қаршилик орқали ўтади 273.5 Kb. 3 | o'qib |