Qidiruv: расмда
- расм- 1-grafik ishi. Mavzu: Uchburchak bilan berilgan tekislikdan 40 mm masofada unga parallel tekislik o‘tkazish. Masala
-расм.Ўзбекистон стандартлаштириш, метрология ва
- 3-маъруза. Ўлчашлар бирлилигини таъминлаш тизими ва метрологик фаолиятнинг қонуний асослари
-расм
- Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги гулистон давлат университети
-расм. Канал тагидан ўтказилган дюкер конструкцияси
- Тўсиклардан сув ўтказувчи (дюкер) иншоотининг конструкцияси: кириш кисми, кувур кисми, чикиш кисми ва бошка элементлари
V.Топшириқ: “Расмларга қараб ҳикоя тузинг!”
- Олти ёшли боланинг мактабга тайёргарлик даражасини ўрганиш юзасидан методика
Settings- Созлаш. Бу бўлимда тест дастурини созлаш мумкин(3-расм) True/False
- 6-amaliy mashg’ulot Mavzu: Test yaratish dasturlaridan foydalanish. Ispring дастури ёрдамида тест саволларини яратиш
-расм. Двигателни вақт функцияси бўйича ишга тушириш схемаси (
- Avtomatika va elektrotexnika
-расм. Газламани
- Маъруза №2 андазалар юзасини ўлчаш машинаси мосламалари. Пнк тўшаш машинаси тўҒрисида маълумот
-расм. Tadbirkorlik subyеktini tugatish jaryoni
- Shodibekova D. A., Shodibekov D. I. Tadbirkorlik va kichik biznes asoslari
Расм “Рангли
- Кичик гуруҳда тасвирий фаолият машғулотлари Расм машғулоти. “Қалам, бўёқ ва қоғоз билан таништириш”. Машғулотнинг мазмуни
 | 14-Маъруза. Параллел тебраниш контури. Токлар резонанси. Тебраниш контурининг частота тавсифлари Токлар резонанси L, r, с ларни параллел улаш билан ҳосил қилинган резонанс ҳодисаси шундай номланган. Ушбу уч элиментлар уланишининг соддалаштирилган шакли 14. 1,а-расмда келтирилган. Бу ҳолда 484.5 Kb.  5 | o'qib |
 | Аудитларни синфланиши. Аудитлар турлари, босқичлари ва ўтказиш усуллари бўйича синфланиши 12. 1-расмда келтирилган. Аудит турлари бўйича ички ва ташқи бўлиши мумкин (12. 2-расм). Ички аудит 171.7 Kb. 16 | o'qib |
| Аудитларни синфланиши. Аудитлар турлари, босқичлари ва ўтказиш усуллари бўйича синфланиши 12. 1-расмда келтирилган. Аудит турлари бўйича ички ва ташқи бўлиши мумкин (12. 2-расм). Ички аудит 68 Kb. 1 | o'qib |
| Бино планининг чертеж масштабини 1: 100; ўлчамга қуйилди Layers “LA” Слойлар билан ишлаш ишчи ойнасини ишга тушириб оламиз. Ҳар бир слойнинг номи, ранги (color), чизиқ тури (Linetype), чизиқ қалинлиги (lineweight) қуйидаги 2 расмда кўрсатилган кўринишдаги кетма-кетлигда тайёрлаш тавсия этилади 1.33 Mb. 6 | o'qib |
| 1. Кўпайтирувчи ва бўлувчи қурилмалар V iсд1=10mА токининг максимал мумкин бўлган қийматини аниқлайди. Вiv туташ нуқтаси Iсд2=15mA учун Iсд1=15mA токини максимал катталигини аниқлайди. 20-расмда вах-дан фоторезистордаги кучланиши сифатида Uчик ни аниқлаб ва 84.12 Kb. 2 | o'qib |
| 19-маъруза Maydoniy tranzistorlar parametrlari. Qo’llanilish sohalari. O’YuCh mdya tranzistor chastota va quvvat bo’yicha cheklanishlari Uзи ёрдамида сток токи ic ни бошқариш сток – затвор характеристикасидан аниқланади. Бу характеристика транзисторнинг узатиш характеристикаси деб ҳам аталади. 3 а-расмда uси=const бўлгандаги сток затвор характеристикалар оиласи iс =f (uзи) 58.75 Kb. 3 | o'qib |