Qidiruv: КРЕМНИЙ
Слабыми электролитами являются:1. нитрат алюминия 2.кремневая кислота 3.карбонат меди- Kimyo 8-sinf i-variant
) Кремний. Бирикмаларининг органзмдаги ахамияти
- Tibbiy kimyo javoblari
Температурная зависимость коэффициентов диффузии основных примесей в кремнии
-
Кремний
- Лекция 2 Простые полупроводники
способы получения кремния
- Министерство высшего и среднего специального образования республики узбекистан ташкентский государственный технический
Монокристаллический кремний
- Законы фотоэффекта. Квантовые свойства вещества и света
глава 5. рентгенографическое изучение состояния алюминия в высококремнеземных фожазитах и морденитах
- Из фондов российской государственной библиотеки
Кремнийли
- Амалий иш бажарди: суннатуллаева. М текширди: мелибоев б. I. Кириш II. Асосий кисм режа: худуднинг физик географик тавсифи. Тадкикот районининг геологик тузилиши ва стратеграфияси. Гидрогеологик шароити
Таблица-1 Основные параметры кремниевыx пластин, использованныx при изготовлении
- Тошкент давлат теxника университети, андижон давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи dsс
Кремниконы
- Учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям 654300 и 551100
 | расм. Грануланинг атомар тузилиш схемаси. – кремний, – водород, – кислород, – ишқорий металл атомлари, – кремний ёки киришма атомларининг узилган боғи Naх-Oу ва Csх-Оу ёки Naх-v ва Csх- vу комплекс бирикмаларни ҳосил қилади. Бу жараён кремний гранулалари сиртида SiО2 ёки SiхОу каби оксид бирикмаларни пайдо бўлишини олдини олади, шунингдек 189.5 Kb.  1 | o'qib |
 | Исследование силицидообразования при термодиффузии mn и ba в кремний pkp Исследование 0.56 Mb. 1 | o'qib |
 | Гидрилланган аморф кремний намуналари легирланмасдан таиерланади 250.95 Kb. 1 | o'qib |
| Кремний-германиевые приборные наноструктуры для применения в оптоэлектронике 0.5 Mb. 9 | o'qib |
| Гидрилланган аморф кремний намуналари легирланмасдан таиерланади, аммо Устириш иайгидаги технологии жараён 73.68 Kb. 1 | o'qib |
| 2-курс талабаси Оптик қатламлар қўллаш орқали фотоэлектрик қурилманинг кремний асосининг қалинлигини камайтириш 63.25 Kb. 1 | o'qib |
| Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Углерод (C), кремний (Si), фосфор (P), сера (S), германий (Ge), мышьяк (As), селен (Se), олово (Sn), сурьма Исследование 0.53 Mb. 3 | o'qib |
| Issn 2181-7200 Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги фарғона политехника институти Cu атомлари билан легирланган кремний асосида термодатчиклар яратишнинг физик ва технологик 1 164.97 Kb. 3 | o'qib |
 | Органик бирикмалардаги углерод ва азот атомининг валентлиги ва оксидланиш даражаси Режа F- га нисбатан юқори мойилликка эга. Шу сабабдан углерод ва кремний бир қанча оксоанионлар ҳосил қилади 189.24 Kb. 3 | o'qib |
| Способы получения мультикристаллическогоМеталлургия хом ашёсидан кўп кристалли кремний олиш усуллари Siоширилади. Аморф Си дан тайёрланган қуёш хужайраларининг експериментал намуналарининг самарадорлиги Si13% га етади, аммо саноат намуналари самарадорлик 436.48 Kb. 6 | o'qib |
| Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигит Андижон давлат университети ф-2-28. – лойиха мавзуси “Легирланган кремний сирти ва ҳажмидаги квант Andijon mashinasozlik instituti elektr mexanikasi yo`nalishi 2-bosqich magistranti 0.87 Mb. 7 | o'qib |
| Олий таълим, фан ва инновациялар вазирлиги ислом каримов номидаги тошкент давлат техника университети Wт (эВ) қуйидагига тенг: германий учун – 0,67, кремний учун – 1,12 ва галлий арсениди учун -1,38 101.6 Kb. 5 | o'qib |
| 4. Minerallari Olinishi. Marganes. Uning kashf qilinishi. Fizik xossalari Tabiatda uchrashi Oксидлapи электp печлapидa кремний билaн қaйтapиб, MnSO4 эpитмaлapини электpoлиз қилиб вa бошқа усуллap билaн oлинaди 0.62 Mb. 1 | o'qib |
| Сапаев И. Б. 1,2, Саъдуллаев С. О Si-CdTe. Подробно проанализирован метод втэ и представлен рентгеноструктурный анализ соединения, полученного методом втэ. Определены оптимальные давление и температура получения соединения кремний-кадмий-теллур 157.75 Kb. 5 | o'qib |
| Mustaqilishi Мавзу: Умумий исток уланишсхемасидаги канали индукцияланган мдя SiO2(кремний диоксиди) диэлектрик қатламиорқали ярим ўтказгичнингюқориқатламигакиради, ундагиасосий заряд ташувчилар (электронлар)ни итарибчиқарадиваасосийбўлмаган заряд ташувчилар (коваклар)ни ўзигатортади 325.08 Kb. 4 | o'qib |
1 2