Qidiruv: ПОЛУПРОВОДНИКИ
Рис.5. Плоская модель идеальной решётки полупроводника- Рациональное применение полупроводниковых приборов требует знания физических принципов их работы
Полупроводниковые приборы
- Yarimo’tkazgichlarning yana bir muhim xususiyati ular elektrik o’tkazuvchanligining temperaturaga o’ta sezgirligidir
Электропроводность полупроводников
- Кристалларнинг энергетик зоналари
Цель легирования полупроводников это
-
Физика полупроводников и диэлектриков
- Физика полупроводников и диэлектриков Основы статистики электронов и дырок в полупроводниках
Секция A. ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В НИЗКО-РАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ …
- Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан Академия наук Республики Узбекистан Министерство инновационного развития Республики Узбекистан
Лекция 2 Простые полупроводники Лекция 0.57 Mb. 9 | o'qib | |
Общие сведения о полупроводниках полупроводники с собственной электропроводностью Лекция 222.99 Kb. 4 | o'qib | |
Примесной проводимостью, а сами полупроводники — примесными полупроводниками Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на 456.11 Kb. 3 | o'qib | |
Полупроводники, сверхпроводники полимеры жидкие кристаллы Bell Labs стал возможен благодаря двадцатилетним поискам органических материалов, обладающих свойством сверхпроводимости 359.15 Kb. 1 | o'qib | |
Аморфные полупроводники и приборы на их основе V2O5-P2O5-ZnO. Оксиды металлов, которые образуют эти стекла, имеют одновременно не менее двух разновалентных состояний одного и того же элемента. Это и обусловливает их электронную проводимость Курсовая 308.86 Kb. 6 | o'qib | |
Тураев Э. Ю. Аморфные полупроводники (монография) «нелегируемости» полупроводниковых стекол не электрической неактивностью примесных атомов, а механизмом стабилизации уровня Ферми за счет собственных дефектов структурной сетки стекла, концентрация которых зависит от уровня легирования Монография 32.07 Kb. 4 | o'qib | |
Зональная теория кристаллов. Полупроводники. Твёрдые растворы план Aivbiv(SiC), A2VB3VI(Bi2Te3) и т д. Твердые растворы полупроводниковых материалов обозначают символами входящих в него элементов с индексами, которые указывают атомную долю этих элементов в растворе 210.68 Kb. 2 | o'qib |
1
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling