Qidiruv: Полупроводниковый

Полупроводниковые приборы
- Yarimo’tkazgichlarning yana bir muhim xususiyati ular elektrik o’tkazuvchanligining temperaturaga o’ta sezgirligidir
Электропроводность полупроводников
- Кристалларнинг энергетик зоналари
Цель легирования полупроводников это
-
Физика полупроводников и диэлектриков
- Физика полупроводников и диэлектриков Основы статистики электронов и дырок в полупроводниках
Секция A. ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В НИЗКО-РАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ …
- Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан Академия наук Республики Узбекистан Министерство инновационного развития Республики Узбекистан
Полупроводниковые лазеры с электронным возбуждением
- Учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям 654300 и 551100
Типы полупроводниковых диодов
- Электронные компоненты
Полупроводниковые элементы
- Multisim для моделирования радиофизических

	Варика́п (акроним от англ vari(able) — «переменный», и cap(acitance) — «[электрическая] ёмкость») — электронный прибор, полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения «переменный», и cap(acitance) — «[электрическая] ёмкость») — электронный прибор, полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения 147.82 Kb. 2	o'qib
	Лабораторная работа №2 исследование вольт-амперных характеристик р-n перехода Semiconductor Diode) называют полупроводниковый прибор с двумя выводами и одним р-n-переходом (Рис 1) Лабораторная работа 1.13 Mb. 9	o'qib
	Полупроводниковый Диод Iвп ср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре его нагрева Самостоятельная работа 332.91 Kb. 5	o'qib
	Ответы на вопросы Led — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении 22.69 Kb. 1	o'qib
	T-comm Tом 11. #1-2017 26 электроника. Радиотехника полупроводниковый датчик температуры Biryukova P. V., Koretskaya I. V. (2017). A semiconductor sensor: receiving and converting the signal in real time. T-comm, vol. 11, no Статья 1.7 Mb. 3	o'qib
	Общие сведения Устройство и принцип действия динистора Uост – остаточное падение напряжения на открытом динисторе, iн – ток нагрузки, iвыкл – ток выключения динистора, vd1 – полупроводниковый диод, vd2 – динистор, rн – сопротивление нагрузки, r – ограничивающее сопротивление Контрольные вопросы 0.54 Mb. 5	o'qib
	Уже несколько десятилетий известно, что тонкие пленки фосфида бора, bp, можно выращивать эпитаксиально на кремниевые подложки с помощью газофазного осаждения приемы[л] Cvd рост bp и субпоследующее травление кремниевой подложки[2]. трудоемкая процедура производства пластин bp вызвал этот так называемый полупроводниковый материал III-V быть одним из наименее изученных представителей своего класса 119.11 Kb. 2	o'qib