Qidiruv: Температурное

Глава II. Нестационарное температурнное поле
- Я.Ёрбеков, А. А. Каримов численные моделирование тепло и массопереноса в пористых средах
Температурная зависимость коэффициентов диффузии основных примесей в кремнии
-
аналіз температурного розподілу у скломасі
- Изложенные в статье вопросы не исчерпывают перечень задач, определяющих все
Температурные границы и расход тепла в отдельных технологических зонах
- В. Г. Шухова основные принципы управления печной системой
Температурный коэффициент напряжения
- Полупроводнико́вый стабилитро́н
Температурное выветривание
- Экзогенные процессы
Низкотемпературные припои
- А. Б. Антиликаторов
Температурный режим на каждой стадии конверсии определяется свойствами применяемых катализаторов. На первой стадии используется среднетемпературный железохромовый катализатор, ядами для него являются
- Лекция №5. Производство технологических газов. Технология связанного азота. План
Определение коэффициента теплоотдачи в теплообменники типа \"труба в трубе\"Определение коэффициента теплоотдачи в теплообменники типа "труба в трубе"
F-поверхность теплопередачи; typ-температурное давление, то есть разница температур между горячим и холодным теплообменниками
Лабораторная работа 285.25 Kb. 4
o'qib
1. Температурное поле трубчатого реактора пиролизной установки1. Температурное поле трубчатого реактора пиролизной установки
«испарения» газонефтегазовой смеси (из жидкости в газ) и образования кокса при конец. На стадиях плавки и пиролиза подвод тепла
Реферат 1.6 Mb. 10
o'qib
Я.Ёрбеков, А. А. Каримов численные моделирование тепло и массопереноса в пористых средахЯ.Ёрбеков, А. А. Каримов численные моделирование тепло и массопереноса в пористых средах
Ii. Нестационарное температурное поле пласта при нагнета-нии в него несжимаемой жидкости с учетом тепло­ обмена с внешней средой
Монография 0.77 Mb. 16
o'qib
Определение температурной зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниках с учетом колебаний решетки под действием магнитного поля г. Гулямов2, У. И. Эркабоев1, Р. Г. Рахимов1, Н. А. Сайидов1, У. Б. Негматов1Определение температурной зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниках с учетом колебаний решетки под действием магнитного поля г. Гулямов2, У. И. Эркабоев1, Р. Г. Рахимов1, Н. А. Сайидов1, У. Б. Негматов1
Ge и Si. Показано, что температурное уширение энергетических состояний зоны проводимости и валентной зоны может существенно изменить ширину запрещенной зоны и вместе с другими известными механизмами объяснить температурную зависимость ширины запрещенной
361.1 Kb. 5
o'qib

  1




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling