Андижон давлат университети Физика кафедраси профессори И. Н. Каримовнинг

Андижон давлат университети

Физика кафедраси профессори И.Н.Каримовнинг

илмий – услубий ишлари рўйхати

1. 
   И.Н.Каримов, А. Абдуазимов, М.Б. Фозилжонов, Ш.К. Акбаров. Технология получения монокристаллов фосфида индия / яримўтказгичлар ва полимерлар физикасининг долзарб муаммолари мавзусидаги хорижий олимлар иштирокида Республика илмий-амалий анжумани материаллари (Тошкент) / 2022, стр. 104-105;
   
2. 
   И.Н.Каримов, А. Абдуазимов, М.Б. Фозилжонов. Получение кристаллов фосфид-индия / Научный вестник НамГУ (Наманган) / 2022, стр. 42-46;
   
3. 
   И.Н.Каримов, В.А.Абдуазимов, М.Б.Фозилжонов, Т.Собирова, Р.Рахматулина. “Иследование поверхностных состояний в туннелных мдп структурах на основе кремния” / Ўзбекистон миллий Университети хузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий тадқиқот институти Ўзбекистон физик-талабалари ва ёш олимлар ассоциацияси Ёш олимлар ва физик талабаларнинг 2 республика илмий анжумани (ЁОФТРИА-II) материаллари (Тошкент) / 2022, стр. 81-82;
   
4. 
   И.Н.Каримов, А. Абдукаримов, М.Б. Фозилжонов. Capacitance-Voltage Method for Detecting the local oxide trapped charge in SOI finfet / International conference on information science and communication technologies applications trends and opportunites (Тошкент) / 2022, pp. 211-214;
   
5. 
   M. B. Sharibaev, Q. A. Ismailov, I.N. Karimov. Effect of γ- irradiation on the optical properties of Znse/zncdse quantum-dimensional structures / Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering / 2021, pp. 24-31;
   
6. 
   И.Н.Каримов, В.А.Абдуазимов, М.Б.Фозилжонов. Теория многослойных структур металл-диэлектрик – полупроводник / МЕЖДУНАРОДНЫЙ ФОРУМ «ФИЗИКА – 2022» (Наманган) / 2022, стр. 168-169;
   
7. 
   И.Н.Каримов, А.Э. Абдикаримов, М.Б. Фозилжонов. Метод вольт-фарадный характеристики для определения локального оксидного заряда в soi finfet / МЕЖДУНАРОДНЫЙ ФОРУМ «ФИЗИКА – 2022» (Наманган) / 2022, стр. 180-182;
   
8. 
   И.Каримов, М.Носиров, А.Эргашева, С.Муротов. Generation-recombination charakteristics of the interface of si-sio₂ struktures / Andijan state Unversity named after Zakhiriddin Muhammad Babur ,,SCIENTIFIC BULLETIN Physical and Mathematical Research / 2019, pp. 42-49;
   
9. 
   И.Каримов, М.Носиров, М.Эргашева, В.Абдуазимов. Выражение для релаксация ёмкости структур металл-диелектрик-полупроводни / Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника Университети ,,Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий татқиқот институти” ,,Фотоэнергетикада наноструктурали яримўтказгич материаллар” халқаро илмий конференсия (Тошкент) / 2020, стр. 57-60;
   
10. 
    И.Н. Каримов, М.З. Носиров, В.А. Абдуазимов. Физические процессы в туннельных МДП структураҳ / / Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника Университети ,,Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий татқиқот институти” ,,Фотоэнергетикада наноструктурали яримўтказгич материаллар” халқаро илмий конференсия (Тошкент) / 2020, стр. 181-185;
    
11. 
    S.Z. Zainabidinov, H. J. Mansurov, A.Y Boboev. Structure and electrophysical properties of a solid solution (GaAs1-δBiδ) 1-xy (Ge2) x (ZnSe) / Scientific Bulletin. Physical and Mathematical Research. Tom 3 / 2021, pp. 15-21;
    
12. 
    I.N.Karimov, M.B.Sharibaev, K. A. Ismailov, M.Z. Nosirov. An optical study of strain relaxation and interdiffusion in znse/zncdse quantum wells modified by γ-irradiation / Scientific Bulletin. Physical and Mathematical Research. Tom 2 / 2020, pp. 5-11;
    
13. 
    И.Н.Каримов, В.А.Абдуазимов, М.Б.Фозилжонов. К теории туннельных МДП структур / Замонавий микроэлектрониканинг ривожланишида фан, таълим ва инновация интеграцияси Республика илмий-услубий анжумани Материаллари Академик с.з. зайнабидиновнинг 75 йиллик таваллудига баfишланади (Андижон) / 2020, стр. 124-129;
    
14. 
    И.Н. Каримов, Ш.Х. Йулчиев, Х.Ж. Мансуров. Bлияние примесных атомов родия и иридия на ёмкостные характеристики si-siо2 структур / Евразийский Национальный Университет Имени Л.Н. Гумилева Материалы Международной научной конференции “Тенденции Развития Физики Конденсированных Сред” (Фергана) / 2021, стр. 307-311;
    
15. 
    И.Н.Каримов, В.А.Абдуазимов, М.Б.Фозилжонов. Исследование подвижного заряда в слое SiO₂ многослойных Структур / Яримўтказгичли микроэлектр-оника, Нанотехнологиялар ва ноанъанавий Энергия манба-лари физикасининг Долзарб муаммолари» мавзусидаги Республика илмий-амалий анжумани Материаллари Тўплами. (Андижон) / 2021, стр. 14-19;
    
16. 
    И. Н. Каримов, М.А. Эргашева, В.А. Абдуазимов, Э.А. Алимова. К теории туннельных мдп структур / Научный вестник НамГУ / 2021, стр. 41-48;