Авиационные материалы и технологии 2015 №3
Download 1.28 Mb. Pdf ko'rish
|
Результаты
В предварительных исследованиях определе- ны основные технологические параметры реак- тивного магнетронного осаждения прозрачных в видимой области спектра ITO покрытий с мини- мальной величиной поверхностного сопротивле- ния. Дополнительный контроль разницы величин ΔP суммарного давления рабочих газов (смесь аргона с кислородом) перед началом и в процессе осаждения покрытия и корректировка расхода кислорода не использовались. По выбранному режиму: – расход аргона G Аr =40 см 3 /мин; – расход кислорода G О 2 =20 см 3 /мин; – суммарное давление рабочих газов перед началом осаждения покрытия (до включения маг- нетронного разряда) P нач =0,25 Па; – стабилизированный ток разряда магнетрона I p =3 А; – продолжительность осаждения покрытия τ=15 мин, в пяти последовательных технологиче- ских процессах изготавливали образцы ПЭТФ пленки с ITO покрытием. Затем проведены пять технологических процессов осаждения ITO по- крытия на ПЭТФ пленку с использованием допол- нительного контроля рабочего давления и коррек- тировкой расхода кислорода. Для всех полученных образцов определяли интегральный коэффициент пропускания видимо- го света Т в , толщину δ и величину поверхностного сопротивления R S ITO покрытия. В процессе изго- товления образцов регистрировали величины раз- рядного напряжения U p , рабочее давление P раб и диапазон их изменения. Результаты исследований приведены в таблице. Анализ результатов проведенных эксперимен- тов показал, что организация в процессе реактив- ного магнетронного осаждения покрытия обрат- ной связи, обеспечивающей поддержание на неиз- менном уровне разницы величин между началь- ным P нач и рабочим давлением P общ с точностью до 0,002 Па путем корректировки расхода кисло- рода, позволяет значительно уменьшить разброс оптико-физических характеристик прозрачных электропроводящих ITO покрытий, полученных в t d i p dt t d K t K t K t u 0 ) ( e ) ( e ) ( e ) ( |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling