Bajargan 3-mustaqil ishi. Topshirdi: M. Sh. Abduqodirova. Tekshirdi: X. A. Jumanov

---

MUHAMMAD AL XORAZMIY NOMIDAGI 
TOSHKENT AXBOROT TEXNALOGIYALARI 
UNVERSITETI SAMARQAND FILALI 
TT 21-05 – GURUH TALABASI ABDUQODIROVA 
MADINANING va SXEMALAR FANIDAN 
BAJARGAN 3-MUSTAQIL ISHI. 
Topshirdi: M. Sh. Abduqodirova. 
Tekshirdi: X. A. JUMANOV. 

---

2. Mavzu: Integral sxemalar passiv elementlari. 
Reja: 
I.Kirish. 
IIAsosiy qisim. 
1. 
Integral sxema (IS, integral mikrosxema). 
2. 
Komplementдr MDY — tranzistorlar asosidagi inantiq elementlari. 
3. 
Bir turdagi MDY — tranzistorlar asosidagi mantiq elementlar. 
4. 
. Invertor statik rejim. 
III.Xulosa 
I.Kirish 
Elektronika — fan va texnika sohasi boMib, axborot uzatish, qabul qilish, qayta ishlash 
va saqlash uchun ishlatiladigan elektron qurilmalar hamda asboblar yaratish usullarini 
o‘rganish, ishlab chiqish bilan shug'ullanadi. Elektronika elektromagnit maydon nazari- 
yasi, kvant mexanikasi, qattiq jism tuzilishi nazariyasi va elektr o‘tkazuvchanlik hodi -
salari kabi fizik bilimlarga asoslanadi. Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar 
texnologiyasining takomillashuvi bilan chambarchas bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha 
to‘rt bosqichni bosib o‘tdi. Birinchi bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altak -
lari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va 
shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi. Ikkn tchi bosqich Li de Forest 
tomoniaan 1906-yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi. Triod elektr 
signallarni o ‘zgartiruvchi va eng muhimi, quwat kuchaytiruvchi birinchi aktiv elektron 
asbob bo‘ldi. Elektron lampalar yordamida kuchsiz signallarni kuchaytirish imkoniyati 
hisobiga radio, telefon so‘zlashuvlarni, keyinchalik esa, tasvirlarni ham uzoq masofa -
larga uzatish imkoniyati (televideniye) paydo bo‘ldi. Bu davrning elektron asboblari 
passiv elementlar bilan bipga aktiv elementlar — elektron lampalardan iborat edi. 
Integral sxema (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron 
qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) 
konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va 
oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar 
tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. s. quyidagi 
xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit 
(monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) 
sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; 

---

IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102)? oʻrta (N 
= 102 — —103), katta {N= W— 104) va juda katta (N> 104) sxemalarga boʻlinadi. I. s. 
elektron hisoblash mashinalari, nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. 
sohalarda qoʻllaniladi. Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va 0 ‘KIS larni keng 
qoilashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari ortmda : 
ishonchlilik, xa laqitbardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lchamlari, narxi kamaymoqda va 
h.k. Integra l sx em alarn i lo y ih a la sh v a k o n stru k siy a la sh fani 
mikroelektronika sanoatida ishlab chiqariladigan maxsulotlaming texnologiyasini 
hamda texnologik qurilmalaming asosini tashkil etadi. Shuningdek yarim o’tkazgichli 
asboblar va integral sxemalar ishlab chiqarishdagi texnologik jarayonlarni o’z ichiga 
oladi. Ushbu fan asosiy ixtisoslik fani hisoblanib, elektronika va mikroelektronika 
sanoat ishlab chiqarish tizimining ajralmas bo’g’inidir. Integ ral sxmalarn iloyihalash va 
konstruksiyalsh fanining tarixi va rivojlanish an’analari. Shu fanda erishilgan ilm - fan, 
texnika va texnologiya yutuqlari. Fanni o’zlashtirishda qo’yilgan asosiy vazifalar. 
Yarim o ’tkazgachli asbobsozlik va mikroelektronikaning hozirgi davrdagi holati va 
asosli rivojlanish an’analari. Integral sxemalar ishlab chiqarishda planar-epitaksial 
jarayonlarning umumiy tizimi m isolida texnologiyaning fizik-kimyoviy asoslariga 
qisqacha ta fsilo t berish. Planar-epitaksional IMS tranzistorlarning konstruktiv 
texnologik xususiyatlari va uning tavsiflari. Q o’shqutbli tranzistor yarim o’tkazgichli 
IMS tuzilishining asosiy elementi, boshqa elementlar yaratilishidagi asos sifatida. Q 
o’shqutbli tranzistorlar konstruksiyasining rivojlanish tarixi. Q o’shqutbli tranzistorlar 
konstm ktiv asoslari. Elementlararo izolyasiya uslubini tanlashda vertikal n-p-n 
tranzistorlar turiga bog’liqligi. Gorizontal n-p-n tranzistorlar. Shottki diodli 
tranzistorlar. Tranzistor tuzilmali asosda tuzilgan IMS diodlari va ularning konstruktiv-
texnologik tavsiflari. Diodlarni konstruktiv hisoblash asoslari. Shottki diodlari. Yarim 
o’tkazgichli IMS laming rezistiv va sig’imli elementlari, konstruksiya turlari, tavsiflari, 
konstruktiv hisob asoslari. Kommutasiya elementlari, o ’zaro ulashlar tizimi, 
konstruksiya turlari, zamonaviy KIS metallizasiyasi ko’rsatkichli tizimi. MDP - 
tranzistorlarining konstruktiv - texnologik xususiyatlari, integral bir qutbli tranzistorlar 
variantlari. Bir qutbli tranzistorlarda MDP - tranzistor IMSdagi yagona sxema elementi 
sifatida, MDP-tranzistor yarim o ’tkazgichli xotiraning asosiy elementi sifatida KMDP-
IMS elementlari. Birlashgan ikki qutbli va bir qutbli tranzistorlardagi IMS elementlari. 
Kremniyli integral mikrosxemalar ishlab chiqarishning struktura elementlari va 
texnologik jarayonlar! Kremniyli mikrosxemalar tayyorlashning tipik texnologik 
jarayoni, integral mikrosemalar texnologiyasining o‘ziga xos jihatlari. Kremniyli 

---

tagliklarga ishlov berish. Yarimo‘tkazgichli quymalar kristallografik yo‘nalishini 
aniqlash Kremniiyga mexanik ishlov berish, kremniy sirtini tozalash , kremniyni 
yemirish. Kremniyga aralashmalar diffuziyasi Diffuzii tenglamasini yechish, 
diffuzantlar xarakteristikalari, diffiiziya jarayonini o‘tkazishninig amaliy usullari, 
diffiizion qatlamlar xarakteristikalarini o‘rganish usullari. Kremniyga aralashmalarni 
ionli kiritish Ionli kiritishda aralashmalar taqsimoti, radiasion effektlar va ulaming 
legirlangan qatlamlar xossalariga ta’siri, ionlami kiritish jarayonini o'tkazishning amaliy 
usullari. Kremniy qatlamlarini epitaksial o‘stirish. Kremniyda xloridli va silanli 
avtoeiitaksiya metodlari, molekulyar-nurli epitaksiya, kremniyning sapfir sirtida 
geteroepitaksiyasi, epitaksial qatlamlar xarakteristikalarini o‘rganish metodlari Yupqa 
pardalarni olish va ularni qayta ishlash. Kremniy ikki oksidining pardasini termik 
oksidlash metodi yordamida olish, vakuumli termik changlatish, ion-plazmali 
changlatish, bug‘— gaz aralashmalaridan yupqa pardalarni o‘tqazish, pardalar 
qalinligini aniqlash metodlari, yupqa pardalarni qayta ishlashning ion-plazmali va 
plazmokimyoviy metodlari. Litografiya Fotolitografiya, elsktronolitografiya, rentgen 
nurli va ion litografii. Kremniyli integral mikrosxemlarni tayyorlashning texnologik 
jarayonlari Bipolyar mikrosxemalarda elementlami izolyasiyalash metodlari, bipolyar 
mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, moyatranzistorlari asosida 
mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, elektrik ulashlami hosil qilish 
va kremniyli mikrosxemalami yig‘ish. Gibrid integral mikrosxemalami 
tayyorlashningtexnologikjarayonlari Taglik materiallari. yupqa pardali mikrosxemlarda 
pardalar materiallari, yupqa pardalarda tasvirlar hosil qilish, yupqa pardali integral 
mikrosxemlar tayyorlashning tipik texnologik jarayoni, gibrid mikrosxemalami yig‘ish. 
Integral mikrosxemalami konstruksiyalashning predmeti va dastlabki ma’lumotlari 
Integral mikrosxemalami konstruksiyalash prinsiplari, integral mikrosxemalar, ulaming 
elementlari va komponentalari, elementlar parametrlarini hisoblash masalalari. Integral 
mikrosxemalar strukturlarining elektrofizik parametrlari Integral mikrosxemalar ishchi 
qatlamlari, p-n o‘tishlar solishtirma baryer sig‘imi, p-n o‘tish teshilish kuchlanishi, 
qatlamlar solishtirma elektr qarshiligi, emitter tokining baza qatlamida emitter qatlami 
bilan chegaralangan siqib chiqarish effekti (n-p-n tranzistorlar faol baza sohasi), p-n 
o‘tishlar issiqlik toklari. Integral yarimo‘tkazgichli mikrosxemalar bipolyar 
tranzistorlari va diodlarini loyihalash Integral n-p-n tranzistorlar spesifikasi, n-p-n 
tranzistorlarni loyihalash, n-p-n tranzistor uzatish koeffisiyentini hisoblash, p-n-p 
tranzistorlarni loyihalash, p-n o‘tishlar asosidagi integral diodlami loyihalash, Shotki 
baryerli diod va tranzistorlarni loyihalash, ko‘p emitterli n-p-n tranzistorlarni loyihalash. 

---

Yarimo‘tkazgichIi bipolyar integral mikrosxemalar passiv elementlarini loyihalash 
DifTuzion kondensatorlami loyihalash, rezistorlami loyihalash Mdya mikrosxemalar 
elementlarini loyihalash MDYA kondensatorlami loyihalash, MDYA tranzistorlarni 
loyihalash, zaryad bog'lanishli asboblami loyihalash, elementlararo ulashlami 
loyihalash. Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarni loyihalash Yarimo‘tkazgichli 
integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, MDYA tranzistorlar asosidagi 
raqamli mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, chiqishida differesial kaskadi 
bo‘lgan analogli integral mikrosxemalar topologiyasini loyihalashning o‘zga xosliklari, 
Integral injeksion mantiq, integral mikrosxemalami konstruktiv bezash, integral 
mikrosxemalar hujjatlari. Gibrid integral mikrosxemalarni loyihalash Gibrid integral 
mikrosxemalarning pardali elementlarini loyihalash, gibrid integral mikrosxemalar 
topologiysini ishlab chiqish. Katta integral mikrosxemalarni loyihalash 
Konstruksiyalashning o'ziga xosligi, elementlar strukturasining o‘ziga xosligi, 
mashinada konstruksiyalash masalasi, elementlaming fiziko-topologik modeli, 
elementlaming matematik modellari, topologiyani mashinada yaratish, konstruktorlik 
hujjatlami va fotoshablonlami mashinada yaratish. Galliy arsenidi asosidagi integral 
mikrosxemalar Galliy arsenidi asosidagi mikrosxema elementlarini tayyorlash 
texnologiyasi, Shottki zatvorli galliy arsenidi asosidagi maydon tranzistorlarining 
elektrik va konstruktiv parametrlari. Am aliy m ashg’ulotlarning taxm iniy ro’yxati. 
Amaliy mashg’ulotlarda m a’ruzalarda ko’rilgan asosiy sxemalar taxlil etiladi hamda 
sxemalami loyihlash va hisoblashlarni oddiy usullari o’rganiladi. Talabalar q o ’llanm 
alar va elektron versiyalar bilan ishlashlarni o ’rganishlari kerak. Amaliy 
mashg’ulotlami tashkil etish bo’yicha kafedra professor-o’qituvchilari tomonidan 
ko’rsatma va tavsiyalar ishlab chiqiladi. Unda talabalar asosiy ma’ruza mavzulari 
bo’yicha olgan bilim va ko’nikmalarini amaliy mashg’ulotlar orqali yanada boyitadilar. 
Shuningdek, darslik va o’quv qo’llanmalar asosida talabalar bilimlarini 
mustahkamlashga erishish, tarqatma materiallardan foydalanish, ilmiy maqolalar va 
tezislami chop etish orqali talabalar bilimini oshirish, mavzular bo’yicha taqdimotlar va 
ko’rgazmali qurollar tayyorlash tavsiya etiladi.KIS MElari tezkorligining kichikligiga 
qaramasdan MDY -texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi 
Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral-injeksion mantiq(I2M) negiz 
elementi yaratilishiga sabab bo'ldi.I2M negiz elementi sxemasi 12.14, a-rasmda 
keltirilgan. ElementVT1 (pr n-p) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil 
topgan.VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun bazatoki 
generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda birnechta kollektorga 

---

ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkiletadi. I2M turdagi elementlarda hosil 
qilingan mantiqiy sxemalarda,VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), 
kuchlanish manbayibilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan 
toknita ’minlaydi. Bunday tok bilan ta ’minlovchi qurilma injektor tokiqiymatini, keng 
diapazonda o ‘zgartirib uning tezkorligini o‘zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor 
toki 1 nA— 1 mAgacha o ‘zgarishimumkin, ya’ni VT1 tranzistor EO‘idagi kuchlanishni 
ozgina orttirib(har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga o ‘zgartirish 
mumkin. 
12.14-rasm. PM negiz elementning prinsipial sxemasi (a), 
topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (c). PM IS kremniyli n+- asosda 
tayyorlanadi (12.14, b-rasm), u o ‘z 
navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod 
hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko‘rsatilgan). n-p-n turli tranzistor 
bazasi bir vaqtning o ‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori b o iib 
hisoblanadi. Elementlaming bunday tayyorlanishi funksional integratsiya 

---

deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalami izolatsiya qilishga 
(TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. PM elementi 
rezistorlardan xoli ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristalda 
TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. Elementning ishlash prinsipi. 
Ikkita ketma-ket ulangan I2M 
elementlar zanjiri 12.15-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga 
berilgan kuchlanish U°KlR < U' bo'lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 
tranzistorning ikkala o'tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan 
tok / , qayta ulanuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi. 
Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VT2/ 
tranzistoriningto‘g ‘ri siljitilgan p-n o ‘tishi kuchlanishiga teng bo'ladi, 
ya’ni U‘CH1Q = ￡/*~0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish 
U'KlR > U' b o ‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p2 
sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 
injektor to‘yinish rejimiga o ‘tadi. p2soha potensiali injektor potensialiga 
deyarli teng b o ‘ladi. VT2 tranzistorning emitter-baza o'tishi to ‘g‘ri 
yo‘nalishda siljiydi va elektronlarning bazaga, keyin esa kollektorga 
injeksiyasi boshlanadi. Kollektorga kelayotgan elektronlar ^ so h ad an 
kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada kollektor potensiali pasayadi 
va baza potensialidan kichik bo‘lib qoladi. VT2 tranzistor to ‘yinish 
rejimiga o ‘tadi va element chiqishida to‘yingan tranzistor kuchlanishiga 
teng bo‘lgan kichik sathli kuchlanish o‘rnatiladi. Real sharoitda u 
0,1+0,2 V ga teng. Shunday qilib, I2M negiz ME uchun quyidagi 
munosabatlar haqiqiydir: U° = 0,1+0,2 V; U1 = 0,6+0,7 V. Bundan 
I2M negiz ME uchun mantiqiy o‘tish UM0 = 0,4+0,6 V ekanligi kelib 
chiqadi. 

---

Bir turdagi MDY — tranzistorlar asosidagi mantiq 
elementlar 
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy 
mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo‘lgan 
IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa KIS va 0 ‘KIS integratsiya darajasiga ega 
bo‘lgan IMSlar keng qo‘llanilmoqda. 
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydilar, ammo 
iste’mol q uw a ti va o'lchamlari katta bo‘lganligi sababli, faqat kichik 
va o ‘rta integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar yaratishdagina 
qo‘llaniladi. 
1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidli (S i0 2) 
MDY — tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab 
chiqarish yo‘Iga qo‘yildi. 
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDY in te g ra l 
tranzistorlarda izolatsiyalovchi ch o ‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. 
Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo ‘lganda, M D Y — 
tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik o ‘lchamlarga ega 
va yasalish texnologiyasi sodda b o ‘ladi. Kremniy oksidili M D Y 
ISlarning asosiy kamchiligi — tezkorlikning kichikligidir. Yana bir 
kamchiligi — katta iste’mol kuchlanishi bo‘lib, u MDY ISlarni ВТ 
ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDY ISlar asosan 

---

uncha katta bo‘lmagan tezkorlikka ega bo‘lgan va kichik tok iste’m ol 
qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo ‘llaniladi. M D Y 
ISlarda eng yuqori integratsiya darajasiga erishilgan bo‘lib, bir kristalda 
yuz minglab va undan ko‘p komponentlar joylashishi mumkin. 
MDY — tranzistorli mantiq (MDYTM) asosida yuklamasi MDY — 
tranzistorlar (11.6-paragrafda ko‘rib o‘tilnan) asosida yaratilgan elektron 
kalit — invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, 
IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. 
Mantiqiy IMSlar tuzishda n yoki p kanali induksiyalangan MDY — 
tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko‘proq n — kanalli tranzistorlar 
qo‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga 
nisbatan yuqori b o ‘lganligi sababli mantiqiy IMS larning y u q o ri 
tezkorligi ta ’minlanadi. Bundan tashqari, n — MDYTM sxemalar 
kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo'yicha TTM sxemalar 
bilan to'liq muvofiqlikka ega. Sodda 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS ME 
sxemalari 12.12- 
rasmda keltirilgan. 
Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VTO tranzistorlar 
doim ochiq holatda bo'ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish 
manbayining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik 
qarshiliklar) vazifasini bajaradi. 
2HAM-EMAS sxemada (12.12, a-rasm) pastki VT1 va VT2 
tranzistorlar ketma-ket, 2YOK1-EMAS sxemada esa (12.12, b-rasm) — 
parallel ulanadi. 
12.12-rasm. n — MDY tranzistorli mantiqelementlarsxernalari. 

---

2HAM-EMAS ME ishini ko‘rib chiqamiz. Agar qayta ulanuvchi 
tranzistorlar birining kirishidagi potensial bo‘sag‘aviy potensial U0 dan 
kichik bo‘lsa, ya’ni UKIR < U0 (mantiqiy 0) bo‘lsa, u holda bu tranzistor 
berk bo ‘ladi. Bu vaqtda yuklamadagi VTO tranzistor stok toki ham 
nolga teng b o ‘ladi. Shu sababli, sxemaning chiqishida manba 
kuchlanishi EM qiymatiga yaqin bo‘lgan, ya’ni mantiqiy birga mos 
kuchlanish o‘rnatiladi. Ikkala kirishga mantiqiy 1 sathga mos (U' KIR > U0) 
musbat potensial 
berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ < U) 
o ‘rnatiladi. 
2YOKI —EMAS elementda (12.12, b-rasm) biror kirishga yuqori 
sath kuchlanishi (U‘K[R> U() berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2 
tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ< U0) o ‘rnatiladi. 
Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk 
bo‘ladi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi — mantiqiy 1 o ‘rnatiladi. 
U°CHiq < i/f,b o ‘lishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali 
kengligi yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistor (YuT) kanali 
kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa YuT nikidan kichik bo‘lishi 
kerak. Invertor statik rejimi va o ‘tish jarayonlari tahlil shuni ko‘rsatdiki, 
tezkorlikva iste’mol quwati nuqtai nazaridan EM = (2-^-3) U0 kuchlanish Ikkala 
kirishga mantiqiy 1 sathga mos (U' KIR > U0) musbat potensial 
berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ < U) 
o ‘rnatiladi. 
2YOKI —EMAS elementda (12.12, b-rasm) biror kirishga yuqori 
sath kuchlanishi (U‘K[R> U() berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2 
tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ< U0) o ‘rnatiladi. 
Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk 
bo‘ladi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi — mantiqiy 1 o ‘rnatiladi. 
U°CHiq < i/f,b o ‘lishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali 
kengligi yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistor (YuT) kanali 
kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa YuT nikidan kichik bo‘lishi 
kerak. Invertor statik rejimi va o ‘tish jarayonlari tahlil shuni ko‘rsatdiki, 
tezkorlikva iste’mol quwati nuqtai nazaridan EM = (2-^-3) U0 kuchlanish qiymati 
optimal hisoblanadi. Demak, U0 = 1,5—3 V boMganda 
EM = 4,5—9 V bo‘ladi. 
MDYTM elementlarda real U°CHIQ qiymati U° = UQOLzt0,2—0,3 V 
dan katta emas, U'cmQqiymati esa U’CHlQ~EM. 
Mos ravishda mantiqiy o ‘tish 
MDYTM elementning 
yana bir afzalligi - xalaqitbardoshligi 
yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi 

---

(1 -2 ) i/', ya’ni 0 ,7 -1 ,4 V boMganda, MDYTM d a U > = Un - IPx 
I ,5 -3 V b o ‘ladi. 
HAM-EMAS elementida kirishlar soni ortgan sari xalaqitbardoshlik 
kamayadi, chunki bir vaqtda ba rcha tra n z is to rla rn in g q oldiq 
kuchlanishlari UQ0L ortadi. Shu sababli HAM-EMAS elementlarda 
kirishlar soni 4 tadan ortmaydi, YOKI-EMAS elementlarda esa 1 0 - 
12 tagacha yetadi. Amalda YOKI-EMAS elementlar ko‘p qo‘llaniladi, 
HAM-EMAS elementlar esa faqat IS seriyalarining funksional to ‘liqligi 
uchun ishlatiladi. MDY sxemalarning yuklama qobiliyati katta, chunki 
kirish (zatvor) zanjiri deyarli tok iste’mol qilmaydi. Demak, ish 
jarayonida zanjirdagi barcha MElar bir-biriga b og‘liq b o ‘lmagan holda 
ishlaydilar, U°va i/7sathi esa yuklamaga bog‘liq bo'lmaydi. 
MDY — tuzilma elementlari tezkorligi esa kirish va chiqish 
zanjirlarini shuntlovchi sig‘imlarning qayta zaryadlanish vaqti bilan 
aniqlanadi. Tezkorlikni oshirish yo‘lidagi barcha urinishlar boshqa 
kamchiliklarni yuzaga keltirdi. Masalan, te z k o rlik n in g ortishi 
yuklamadagi sig‘imlarni qayta zaryadlanish toki qiymatini ortishiga 
olib keladi. Lekin, bu usul iste’mol quwatini va chiqishdagi mantiqiy 
sathlar nobarqarorligini ortishiga olib keladi. K o ‘rsatilgan qaramaqarshiliklar 
turli o ‘tkazuvchanlikka ega (komplementar) tranzistorli 
kalitlar yordamida, sxemotexnik usulda bartaraf etilishi mumkin. 
Integral mikrosxemaning murakkabligi integratsiya darajasi deb ataladigan 
indikator bilan tavsiflanadi. 100 dan ortiq elementli integral mikrosxemalar past 
integral mikrosxemalar deb ataladi; 1000 tagacha elementni o'z ichiga olgan 
sxemalar - o'rtacha darajadagi integral mikrosxemalar; o'n minglab elementlarni o'z 
ichiga olgan sxemalar - katta integral mikrosxemalar. Bir milliongacha elementni 
o'z ichiga olgan sxemalar allaqachon ishlab chiqarilmoqda (ular juda katta deb 
nomlanadi). Integratsiyaning bosqichma-bosqich o'sishi har yili sxemalar 
miniatyura va shunga mos ravishda murakkablashib borishiga olib keldi. Ilgari 
katta bo'lgan juda ko'p sonli elektron qurilmalar endi kichkina silikon plastinaga 
joylashdi. 1971 yilda Amerikaning "Intel" firmasi tomonidan arifmetik va mantiqiy 
operatsiyalarni bajarish uchun yagona integral mikrosxemaning - 
mikroprotsessorning yaratilishi juda muhim voqea bo'ldi. Bu mikroelektronikada 
hisoblash sohasida ulkan yutuqlarga olib keldi.