Bipolyar tranzistorga asoslangan uch elektrodli faol qurilmalarda kuchlanish qaytargichlarining bir turi

7.1 – rasm. Emitter qaytargich sxemasi



Topshiriq. 7.1 – jadvalda berilgan parametrlardan foydalanib
7.1-rasmda keltirilgan emitter qaytargich sxemasini NI Multisim dasturiy
mihiti yordamida differensial parametrlarini o‘lchang va 𝐸1 = (𝜔𝑡);
𝐼b = 𝑓(𝜔𝑡); 𝐼k = 𝑓(𝜔𝑡); 𝑈e = 𝑓(𝜔𝑡) grafiklarini hosil qiling

R_e =500 om; R_k=3300 om I_k=3.5 mA, E₂=12 V

𝜔𝑡, 𝑔𝑟𝑎𝑑	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
𝐸1(𝜔𝑡), 𝑉	10,3	11,85	12,97	13,39	12,97	11,85	10,3	8,755	7,624	7,21	7,624	8,7	10,3
𝐼b(𝜔𝑡), mk𝐴	5,77	7,99	10	11	10	7,99	5,77	3,55	1,78	1,11	1,78	3,55	5,77
𝐼k(𝜔𝑡), m𝐴	1,9	2,69	3,26	3,47	3,26	2,69	1,9	1,12	0,55	0,35	0,55	1,12	1,9
𝑈e(𝜔𝑡), 𝑉	1,62	2,29	2,78	2,96	2,78	2,29	1,62	0,95	0,47	0,3	0,47	0,95	1,62

𝐸1 = (𝜔𝑡);

𝐼b = 𝑓(𝜔𝑡);

𝐼k = (𝜔𝑡);

𝑈e = (𝜔𝑡)

𝑈b.kir = Ye1.

Dinamik chiqish qarshiligi:



Nazorat savollarga javoblar.
Emitter qaytargich. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koyeffisiyenti birga yaqin bo‘lgan, kirish signal qutbini o‘zgartirmaydigan va katta kirish va kichik chiqish differensial qarshilikka ega bo‘lgan kuchaytirgichlar – qaytargich deb ataladi.

Emitter qaytargich klassik sxemasi rasmda keltirilgan. Tranzistorga o‘zgarmas kirish kuchlanishi berilganda (A rejim), emitter zanjirida RYe rezistorda kuchlanish pasayishini yuzaga keltiruvchi o‘zgarmas tok oqib o‘tadi. Chiqish kuchlanish Uchiq shunday o‘rnatiladiki, baza – emitter kuchlanishi ga teng bo‘lsin. Emitter qaytargichning kirish qarshiligi UYE sxema va tok bo‘yicha MTA sxemalari kirish qarshiligidan farq qilmaydi va quyidagiga teng bo‘ladi

Emitter o‘tish to‘g‘ri yo‘naliishda siljiganda (UYEBkuchlanish manbai bilantaminlanadi) uning potensial to‘siq balandligi kamayadi va emitterdan bazagayelektronlar injeksiyasi sodir bo‘ladi. Elektronlarning bazaga injeksiyasi, hamdakovaklarni bazadan emitterga injeksiyasi tufayli emitter toki IYEshakllanadi.Shunday qilib, emitter

tokibu yerda Iyen, Iyermos ravishda elektron va kovaklarning injeksiya toklari.Emitter tokining Iyertashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o‘tmaydi va zararlihisoblanadi (tranzistorning qo‘shimcha qizishiga olib keladi).Iyernikamaytirishmaqsadida bazadagi akseptor kiritma konsentratsiyasi emitterdagidonor kiritma konsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi.Emitter tokidagi Iyenqismini injeksiya
koyeffitsienti aniqlaydi.

Bu kattalik emitter ishi samaradorligini xarakterlaydi (γ=0,990-0,995).Injeksiyalangan elektronlar kollektor o‘tish tomon baza uzunligi bo‘ylabelektronlar zichligining kamayishi hisobiga bazaga diffuziyalanadilar va kollektoro‘tishga yetgach, kollektorga ekstraksiyalanadilar (kollektor o‘tish elektrmaydonihisobiga tortib olinadilar) va IKnkollektor toki hosil bo‘ladi.Zichlikning kamayishi konsentratsiya gradiyenti deb ataladi. Gradiyent qanchakatta bo‘lsa, tok ham shuncha katta bo‘ladi. Bu vaqtda bazadan injeksiyalanyotganelektronlarning bir qismi kovaklar bilan bazaga ekstraksiyalanishini ham hisobgaolish kerak. Rekombinatsiya jarayoni bazaning elektr neytrallik shartini tiklashuchun talab qilinadigan kovaklarning kamchiligini yuzaga keltiradi. Talab qilinayotgan kovaklar baza zanjiri bo‘ylab kelib tranzistor baza toki Ibrekni yuzagakeltiradi. Ibrektoki kerak emas hisoblanadi va shu sababli uni kamaytirishga harakatqilinadi. Bu holat baza kengligini kamaytirish hisobiga amalga oshiriladi W¿Ln (elektronlarning diffuziya uzunligi). Bazadagi rekombinatsiya uchun emitterelektron tokining yo‘qotilishi elektronlarning uzatish koyeffitsienti bilanxarakterlanadi:αP=IKnIEnReal tranzistorlarda αP=0,980-0,995
Agar emitter o‘tish teskari yo‘nalishda, kollektor o‘tish esa to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘lsa, u holda bu tranzistor invers yoki teskari ulangan deb ataladi. Tranzistor raqamli sxemalarda qo‘llanilganda u to‘yinish rejimida (ikkala o‘tish ham to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o‘tish teskari siljigan) ishlashi mumkin.
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar. Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‘llaniladi. rasmda n – kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‘lishi kerak. Shu sababli o‘zgarmas tok bo‘yicha rejim hosil qilish uchun RI rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga RSIL rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi.
XULOSA:
Men buungi 1 labaratoriyani ishi yani " BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish " mavzusi yuzasidan labaratorisha ishini bajarish davomida emitter haqida juda ham ko‘plab ma’lumotlarga ega bo‘lib oldim.
Ya’ni emitterning tuzilishi, ishlashi, tarkibi, emitter qaytargich nima ekanligini, emitter qaytargichning sxemalarini o‘zi hayotda emitter qaytargichlarning vazifalarni nima ekanlgini va qay maqsadda ishlatilihsi haqida ma’lumotlarga ega bo‘lib oldim deb o‘ylayman,

Nurmatov Bahodir Abdirauf o’g’li