Bipoyar tranzistorning struktur sxemasi

2- j a d v a l. Tranzistorning turli ulanishlarida sxemalarning parametrlari

T. №	Ulash sxemalari	UB	UE	UK
1	Kuchlanish bo’yicha	1000	100	1
2	kuchaytirish	1	100	10
3	Tok bo’yicha kuchaytirish	1000	10000	10
4	Quvvat bo’yicha kuchaytirish	birlar	yuzlar	un minglar
5	Kirish qarshiligi, Om	yuz	un minglar	yuzlar

h_{n e} — «UE» sxema uchun tok bo’yicha kuchaytiriщ koeffitsientini xarakterlaydi;
h_22e—o’tkazuvchanlik ulchamiga ega bulib, uzilgan kirishdagi tranzistorning chiqishi o’tkazuvchanligini xarakterlaydi.
«UE», «UB» va «UK» sxemasi bo’yicha ulangan tranzistorlar uchuv h — parametr qiymati spravochniklarda beriladi. SHu erning uzida tranzistorning boiщa parametrlari — issiqlik, maksimal rux-sat etilgan Quvvatlar, maksimal ruxsat etilgan toklar va bonщalar xam berilgan.

Elektr maydonli tranzistorlar

Maydonli tranzistorlar deb boshlangich elektrod (istok) va zatvor oraligiga tashqaridan kuchlanish berilganda ularning kanalidav utayotgan tok elektr maydon orqali boshqariladigan yarim o’tkazgich asbobga aytiladi. Maydonli tranzistorlardagi ish toki bir xil ishorali eltuvchilar tomonidan yuzaga keladi. SHuning uchun ular unipolyar tranzistorlar deb ham nomlanadi. Bunday tranzistorlar ikki xil bo’ladi. p—r- o’tishli boshqaruvchi maydonli tranzistor-lar va izolyasiya zatvorga ega bo’lgan (MDP — tranzistorlar) maydonli tranzistorlar (MDP — metall, dielektrik va yarim o’tkazgich ma’nosini bildiradi). MDP tranzistarlar uz navbatida ikki xil bo’ladi: a) ichida kanal hosil qilinib tayyorlangan,

2. 
   induksiyalangan kanalli (bunda tranzistor-ning doimiy kanali bulmaydi). Turli tipdagi maydonli tranzio torlarning tuzilishi 5.19-rasmda berilgan. Rasmdan ko’rinishicha, tranzistorning bir qancha sosalari va elektrodlari bor: boshlangich elektrod (istok)— yarim o’tkazgich kanal iga zaryad eltuvchilar haydaladigan elektrod; kanal — kristallning kesim yuzini uzgartirib zaryad eltuvchilar oqimini boshqaradigan soxji; oxirgi elektrod (stok) — zaryadlarni kanaldan chiqishda tuplaydigan elektrod. Bopщaruv kuchlanishi esa zatvor deb ataladigan. elektrodga beriladi.
   

Maydonli tranzistorlarning tuzilishi:

1. 
   boshqaruvchi p—r o’tish bilan, b) ichki kanalli MDP tranzistori, v) indutsirlan-gan kanalli. MDP tranzistori; J — istok, 2 — zatvor (tusiq), 3 —