Битирув мaлaкaвий иш қуйидaги режa aсосидa тaйёрлaнди

ТЕРМИЗ ДAВЛAТ УНИВЕРСИТЕТИ ФИЗИКA-МAТЕМAТИКA ФAКУЛТЕТИ ФИЗИКA ЙЎНAЛИШИ 4-БОСҚИЧ 401-ГУРУХ ТAЛAБAСИ НОРБОЕВ AБДУМAННОННИНГ “ЯРИМ ЎТКAЗГИЧЛAРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОССAЛAРИ” МAВЗУСИДAГИ БИТИРУВ МAЛAКAВИЙ ИШИ ТAҚДИМОТИ

БИТИРУВ МAЛAКAВИЙ ИШ ҚУЙИДAГИ РЕЖA AСОСИДA ТAЙЁРЛAНДИ:

• Ярим ўтказгичлар ҳақида умумий маълумот
• Ядровий гамма-резонанс спектроскопияси
• Ярим ўтказгичларда фотоэлектрик ҳодисалар

Мавзунинг долзарблиги. Ҳозирги вақтда яримўтказгич материалллардан структуравий ва електрфизик хусусуятларини ўрганиш асосида бу материаллардан приборсозлик ва микроэлектроникада кенг қўлланилиши актуал масалалардан бири ҳисобланади.Aйниқса яримўтказгич материалларга ташқи таъсирлар (майдон ,босим,деформация,нурланиш) остида уларнинг хусиятларининг ўзгариб кетишини ҳисобга олган ҳолда ишлаб чиқаришда фойдаланишга тавсия этилади.

• Мавзунинг долзарблиги. Ҳозирги вақтда яримўтказгич материалллардан структуравий ва електрфизик хусусуятларини ўрганиш асосида бу материаллардан приборсозлик ва микроэлектроникада кенг қўлланилиши актуал масалалардан бири ҳисобланади.Aйниқса яримўтказгич материалларга ташқи таъсирлар (майдон ,босим,деформация,нурланиш) остида уларнинг хусиятларининг ўзгариб кетишини ҳисобга олган ҳолда ишлаб чиқаришда фойдаланишга тавсия этилади.

Мавзунинг ўрганилганлиги.Ҳозиргача яратилган ярим ўтжазгич приборлар ва қурилмаларнинг барчаси ярим ўтказгич материлалларнинг структуравий ва электрофизик хусусиятларини ҳамда қўшимча бошқа хусусиятларини тўлиқ ўрганиш асосида амалга оширилган. Ҳозирги пайтда дунёдаги барча илмий татқиқот марказларида ярим ўтказгичлар хусусиятларини ўрганиш йўналишларида олиб борилаётган тадқиқотлар албатта ўрганилаётган яаримўтказгич материалнинг ишлаб чиқаришда қўлланилишини амалга оширишда мўлжаллангандир.Чунки бу тадқиқотлар ушбу яримўтказгичлардан ясалган приборлар ва қурилмаларнинг маълум бир хусусиятларнинг мавжудлигини тасдиқловчи тадқиқотлардир.

Тадқиқот обьекти.Структураси кристалл ҳолатдаги ва фотоэлктрик хусусиятлари керакли чегарада,яхши характеристикага эга бўлган ярим ўтказгич материаллар танлаб олиниб уларнинг фотоэлектрик хусусиятлари ўрганилишга тайёрланади.Ушбу танлаб олинган CaS кристалининг фотоўтказувчанлигига ташқи ёритилганликнинг ва ташқаридан қўйилган кучланишнинг ўзгариш хусусиятларини ўрганиш учун ўтказилган тажрибалар асосида маълум хулосалар тайёрлаш режалаштирилди.

Тадқиқот обьекти.Структураси кристалл ҳолатдаги ва фотоэлктрик хусусиятлари керакли чегарада,яхши характеристикага эга бўлган ярим ўтказгич материаллар танлаб олиниб уларнинг фотоэлектрик хусусиятлари ўрганилишга тайёрланади.Ушбу танлаб олинган CaS кристалининг фотоўтказувчанлигига ташқи ёритилганликнинг ва ташқаридан қўйилган кучланишнинг ўзгариш хусусиятларини ўрганиш учун ўтказилган тажрибалар асосида маълум хулосалар тайёрлаш режалаштирилди.

БМИнинг мақсади ва вазифаси. Яримўтказгич ҳисобланган CaS кристалида Холл ҳаракатчанлиги ва ток ташувчилар концентрацияси ўзгариш қонуниятларини ўрганиш асосий мақсад қилиб олинди.Холл харакатчанлигига ташқи ёритилганликнинг таъсирини ўрганиш,ярим ўтказгичдаги фототокнинг қўйилган кучланишига боғлиқлигини тажрибаларда ўрганиш битирув- малакавий ишнинг асосий вазифаси бўлиб режалаштирилди.Фототок ва ёритилганликнинг унга таъсирини тажрибада ўрганиш вазифаси ҳам режалаштирилди.

Ёруғлик нурланиши остида електр ўтказувчанлиги ва ташувчиси концентрацияси:

ХУЛОСА

1. Ярим ўтказгичли кристалларда фотоэлектрик ҳодисалар тажрибалар асосида ўрганилди.

2. Фотоўтказувчанликга ёритилганликнинг ва ташқаридан қўйилган кучланишнинг тўғри пропорционаллиги тажрибада аникланди.

3. Ёритилганликнинг маълум қийматида Холл харакатчанлиги узгармай қолиши (тўйиниши) кристалл панжара структурасига боғликлиги эканлиги тажрибада тасдикланди.

4. CaS кристаллида фототок унга қўйилган кучланишга боғлик бўлиб, 60 вольтдан катта кучланишларда фототокнинг кескин ошиши кузатилди.

5. Фототокнинг CaS кристаллининг кескин ёритилганлигига тўғри пропорционал бўлиши аникланди.

ЭТИБОРИНГИЗ УЧУН РАҲМАТ!