Бп транзисторы

Статические характеристики в схеме ОБ
В схеме с ОБ (см. рис. 3.3,а) входным током является ток эмиттера i_Э, а выходным - ток коллектора i_К, соответственно, входным напряжением является напряжение u_ЭБ, а выходным - напряжение u_КБ.
Входная характеристика в схеме ОБ представляет собой зависимость
.
Однако, реально в справочниках приводится обратная зависимость

.
Семейство входных характеристик кремниевого n-p-n-транзистора приведено на рис. 3.20. Реально существует зависимость входного тока от напряжения и_КБ и связана она с эффектом Эрли. Как показано в п. 3.3, при увеличении обратного напряжения u_КБ. сужается база транзистора , в результате чего несколько увеличивается ток эмиттера i_Э. Увеличение тока i_Э с ростом u_КБ. отражается небольшим смещением входной характеристики в сторону меньших напряжений  u_ЭБ.  - см. рис. 3.20. Режиму отсечки формально соответствует обратное напряжение u_ЭБ.<0 , хотя реально эмиттерный переход остается закрытым ( i_Э  0) и при прямых напряжениях  u_ЭБ меньших порогового напряжения.
Выходная характеристика транзистора в схеме ОБ представляет собой зависимость
.
Семейство выходных характеристик n-p-n-транзистора приведена на рис. 3.21. Выражение для идеализированной выходной характеристики в активном режиме имеет вид: i_К = · i_Э+ I_КБ0. (3.36)
В соответствие с этим выражением ток коллектора определяется только током эмиттера и не зависит от напряжения u_КЭ. Реально (см. рис. 3.21) имеет место очень небольшой рост i_К при увеличении обратного напряжения u_КБ, связанный с эффектом Эрли. В активном режиме характеристики практически эквидистантны (расположены на одинаковом расстоянии друг от друга), лишь при очень больших токах эмиттера из-за уменьшения коэффициента передачи тока эмиттера  эта эквидистантность нарушается, и характеристики несколько приближаются друг к другу. При i_Э= 0 в цепи коллектора протекает тепловой ток ( i_К= I_КБ0). В режиме насыщения на коллекторный переход подается прямое напряжение u_КБ, большее порогового значения, открывающее коллекторный переход. В структуре транзистора появляется инверсный сквозной поток электронов, движущийся из коллектора в эмиттер навстречу нормальному сквозному потоку, движущемуся из эмиттера в коллектор. Инверсный поток очень резко увеличивается с ростом  u_КБ. , в результате чего коллекторный ток уменьшается и очень быстро спадает до нуля - см. рис. 3.21.