Deep submicrometer soi mosfet drain current model including series resistance, self-heating and velo ieee electron Device Letters

Silicon-On-Insulator
Technology:
Materials
to
VLSI.
Boston, MA: Kluwer, 1991.
[2] L. Su, M. J. Sheroy, H. Hu, J. E. Chung, and D. A. Antoniadis, “Opti-
mization of series resistance in sub-0.2
m SOI MOSFETs,” in IEDM
Tech. Dig., 1993, pp. 723–726.
[3] T. C. Hsiao, N. A. Kistler, and J. Woo, “Modeling theI–V characteristics
of fully depleted submicrometer SOI MOSFETs,” IEEE Electron Device
Lett., vol. 15, pp. 45–48, 1994.
[4] M. Hu and S. Jang, “An analytical fully-depleted SOI MOSFET model
considering the effects of self-heating and source/drain resistance,”
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 45, pp. 797–801, 1998.
[5] J. B. Roldán, F. Gámiz, J. A. López-Villanueva, and J. E. Carceller, “De-
pendence of the electron mobility on the longitudinal electric field in
MOSFETs,” Semicond. Sci. Technol., vol. 12, pp. 321–330, 1997.
[6]
, “Modeling effects of electron velocity overshoot in a MOSFET,”
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 44, pp. 841–846, 1997.
[7]
, “A model for the drain current of deep submicrometer MOSFET's
including electron velocity overshoot,” IEEE Trans. Electron Devices,
vol. 45, pp. 2249–2251, 1998.
[8] S. Veeraraghavan and J. G. Fossum, “A physical short-channel model
for the thin-film SOI MOSFET applicable to device an circuit CAD,”
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 35, pp. 1866–1874, 1988.
[9] H. K. Lim and J. G. Fossum, “Threshold voltage of thin-film silicon-on-
insulator SOI MOSFET's,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 30, pp.
1244–1251, 1983.
[10] Y. G. Chen, S. Y. Ma, J. B. Kuo, Z. Yu, and R. W. Dutton, “An analytical
drain current model considering both electron and lattice temperatures
simultaneously for deep submicron ultrathin SOI NMOS device self-
heating,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 42, pp. 899–906, 1995.
[11] F. Gámiz et al., “An analytical expression for phononlimited electron
mobility in silicon-inversion layers,” J. Appl. Phys., vol. 74, pp.
3289–3292, 1993.