Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичлари

АВ синфига мансуб икки тактли кучайтиргич схемасида VT1, VT2, VT4 ва VT5 транзисторларининг вазифалари.

VT4 ва VT5 транзисторлар VT1 ва VT2 транзисторларни ўта юкланишдан сақлаш учун хизмат қилади. VD1 ва VD2 диодлар БТГ билан биргаликда АВ синф иш режимини таъминлаш учун силжитиш занжирларини ҳосил қилади. Силжитиш занжирлари VT1 ва VT2 транзисторларга эмиттер – база кучланишларни бериш учун хизмат қилади. БТГ токи I₀ сигнал мавжуд бўлмаганда, диодлардаги кучланиш пасайиши кичик бўладиган қилиб танланади, VT1 ва VT2 ҳамда VT4 ва VT5 транзисторлар деярли берк ҳолатда бўлади.

12. 
    АВ синфига мансуб икки тактли кучайтиргич схемасида VT4 ва VT5 транзисторларининг ҳимояловчи функциялари.
    

VT4 ва VT5 транзисторларнинг ҳимояловчи функциялари қуйидагича амалга ошади. Нормал иш режимида улар берк. Катта сигналда ёки чиқиш тасодифан кучланиш манбаининг электродларидан бирига қисқа туташганда VT4 ва VT5 транзисторлардан бири очилади ва натижада ҳимояловчи VT1 ёки VT2 транзисторлар база токининг бир қисми оқади ва шу билан VT1 ва VT2 транзисторларнинг эмиттер – база ўтиши шунтланади. Бу уларни ўта юкланишдан сақлайди.

12. 
    Дифференциал кучайтиргич, схемаси.
    

12. 
    ДК ва унинг эквивалент схемасига изоҳ беринг.
    

Кучайтиргич иккита симметрик елкадан ташкил топган бўлиб, биринчиси VT1 транзистор ва R_К1 резистордан, иккинчиси эса VT2 транзистор ва R_К2 резистордан ташкил топган. R_Э резистор иккала елка учун умумий. Ҳар бир елка манфий ТАли УЭ уланган каскадни ташкил этади. Схеманинг бошланғич иш режими I₀ ток билан аниқланувчи БТГ ёки уни ўрнини босувчи катта номиналли R_Э резистор билан таъминланади. ДК элементлари кўприк схема ҳосил қилади. Схема диагоналларидан бирига икки қутбли кучланиш манбаи ± Е_М, иккинчисига эса – юклама қаршилиги R_Ю уланган.

12. 
    Дифференциал кучайтиргичда Uчиқ ни аниқланг.
    

Кўприк баланси шарти, яъни унинг чиқиш кучланиши

нолга тенг бўлади

шарт бажарилганда, яъни Е_М кучланишлар ва кўприк елкалари қаршиликлари ўзгарса ҳам, баланс бузилмайди. Схема симметрик бўлгани учун, кучланиш манбаи ва температура бир вақтда ўзгарганда, чиқиш кучланиши U_ЧИҚ=0 қиймати сақланиб қолади, яъни идеал ДКда нолнинг дрейфи бўлмайди. Бунда VT1нинг эмиттер ва коллектор токлари мусбат орттирма, VT2 транзисторнинг мос токлари эса – манфий орттирма олади. Натижада чиқиш кучланиши ҳосил бўлади

12. 
    ДКнинг уланиш турлари.
    

Амалда ДКнинг тўрт хил уланишидан фойдаланилади:

- симмтерик кириш ва чиқиш;

- симметрик кириш ва носимметрик чиқиш;

- носимметрик кириш ва симметрик чиқиш;

- носимметрик кириш ва чиқиш.

12. 
    Носимметрик кириш ва чиқишли ДК схемасига изоҳ беринг.
    

Бунда фойдаланилмайдиган кириш кучланиши ўзгармас сатҳли қилиб олинади, масалан, умумий шинага уланади.

Агар кириш сигнали U_КИР1га берилса, чиқишда инверсланмаган сигнал олинади.

Демак, U_КИР1 инверсламайдиган кириш, U_КИР2 эса – инверлайдиган кириш бўлади.

12. 
    Динамик юкламали ДК схемасига изоҳ беринг.
    

ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, R_К резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси кейинги слайдда келтирилган. Иккинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.

12.