"Электроника и схемы"
Download 0.5 Mb.
|
Хамидов Ю
- Bu sahifa navigatsiya:
- Дополнительная информация
Туннель и диодыТуннельный диод — это полупроводниковый прибор, созданный на основе возбужденного полупроводника. В нем присутствует туннельный эффект при обратном и малом прямом напряжении, а на вольт-амперной характеристике имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Туннельные диоды существенно не отличаются от диодов других типов, но для их изготовления используются полупроводниковые материалы с входной мощностью 1020 см-3. Если VAX является нелинейным, каждый из его подучастков рассматривается как прямая линия, и в этой точке характеристики вводится дифференциальное сопротивление. Если характеристика убывающая, сопротивление на этом участке будет иметь риманово значение. Дополнительная информацияТуннельный диод VAX 3.2 показан на рис. АВ поле характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением. Если туннельный диод подключить к колебательному контуру, то колебания могут усиливаться или генерироваться в определенных пропорциях между контуром и величиной отрицательного сопротивления в этом контуре. Туннельные диоды применяются в основном в конструкциях генераторов ОУЧ в диапазоне 3-30 ГГц, а также в специальных вычислительных устройствах и быстродействующих схемах. Если VAX является нелинейным, каждый из его подучастков рассматривается как прямая линия, и в этой точке характеристики вводится дифференциальное сопротивление. Если характеристика убывающая, сопротивление на этом участке будет иметь риманово значение. ДиодыДиод (греч. ди... приставка, означающая двойственность и электрический од) — двухэлектродный прибор, обладающий свойством односторонней электропроводности. Различают электровакуумные, полупроводниковые диодные, газотронные. В радиотехнике, электронике, энергетике и других областях техники в основном применяется при выпрямлении переменного тока, обнаружении, преобразовании частоты, переменном соединении электрических цепей. Чтобы представить, как работает диод, рассмотрим, например, ситуацию с насосом, накачивающим колесо. Здесь мы работаем как насос, воздух идет к ниппелю без воздуха, и этот воздух не может пройти через ниппель. 2) О светодиодах Светоизлучающие диоды — это полупроводниковые светоизлучающие электронные устройства, которые имеют одиночный pn-переход и преобразуют электрическую энергию в некогерентный свет. В светодиодах световой пучок возникает в результате рекомбинации электронно-дырочных пар. Если p-n-переход смещен в правильном направлении, происходит рекомбинация. Излучательная рекомбинация происходит в так называемых запрещенных полупроводниках. В качестве такого твердого проводника можно использовать арсенид галлия. Длина волны излучаемого света определяется энергией кванта Ya, которая примерно соответствует ширине запрещенной зоны полупроводника. Длина волны светодиодов на основе арсенида галлия составляет 0,9-1,4 мкм. Светодиоды видимого диапазона света изготавливают на основе фосфида галлия, карбида кремния и др. В современных светодиодах используются соединения галлия с азотом и алюминием Длина волны светодиодов на основе арсенида галлия составляет 0,9-1,4 мкм. Светодиоды видимого диапазона света изготавливают на основе фосфида галлия, карбида кремния и др. В современных светодиодах используются соединения галлия с азотом и алюминием. Квантовый выход (эффективность) используется как энергетическая характеристика светодиодов. Квантовый выход показывает, сколько квантов излучения соответствует каждому электрону, проходящему через схему управления на выходе излучающего диода. Для светодиодов с переходом Гома квантовый выход обычно составляет 0,01-0,04. Для создания гетеропереходных светодиодов используются бинарные и трехкомпонентные полупроводники, для которых квантовый выход достаточно высок (до 0,3), но всегда меньше единицы. VAX, как и обычные диоды, представлены экспоненциальной зависимостью. Время переподключения светодиода – с. Светодиоды используются в оптических линиях связи, устройствах индикации, оптоэлектронных парах и в ближайшем будущем, заменяя электроосветительные приборы. Фотодиод и светоизлучающий диод являются основными полупроводниковыми приборами оптоэлектроники. Оптоэлектроника — раздел электроники, занимающийся разработкой, созданием и практическим применением электронных устройств, преобразующих световые сигналы в электрические и наоборот для приёма, передачи и обработки информации. Фотоэлектрический прибор с одним pn-переходом называется фотодиодом. Фотодиод может быть подключен к схеме с внешним источником питания (фотодиодный режим) и без внешнего источника питания (фотоэлектрический режим). Внешний источник питания подключен так, что p-n переход смещен в обратном направлении. Когда фотодиод не подвергается воздействию света, через диод протекает очень небольшой «темновой» ток, который не зависит от приложенного напряжения и называется током извлечения. Электронно-дырочные пары генерируются при освещении базовой области диода фотонами с энергией hv, превышающей ширину запрещенной зоны. Если расстояние между образовавшимися парами и p-n-переходом меньше диффузионной длины носителей заряда, то сгенерированные дырки извлекаются с помощью поля p-n-перехода, а величина обратного тока уменьшается до его «темнового» значения, относительно увеличивается. С увеличением интенсивности светового потока F увеличивается значение обратного тока IF диода. Фотодиод VAXi для разных значений тока показан на рис. 3.18. В широком диапазоне освещенности зависимость между фототоком и световым потоком практически линейна. Фотодиод входит в состав многих электронных устройств. Именно поэтому он получил широкую известность. Традиционный светодиод представляет собой диод с p-n переходом, проводимость которого зависит от падающего на него света. В темноте фотодиод имеет характеристики обычного диода. 1 - полупроводниковое соединение. 2 - положительный полюс. 3 - светочувствительный слой. 4 - отрицательный полюс. Обратный ток диода увеличивается под действием света. Величина, создаваемая обратным током, называется фототоком. Фотоэлементы в виде отверстий несут положительный заряд области «p» по сравнению с областью «n». В свою очередь, электроны создают отрицательный заряд области «n» относительно области «p». Возникающая при этом разность потенциалов называется фотоэлектродвижущей силой и обозначается буквой «Ef». Электрический ток, генерируемый фотодиодом, реверсируется и направляется от катода к аноду. Кроме того, его значение зависит от количества света. В работе фотогенератора вместо источника питания, преобразующего солнечный свет в электричество, используются фотодиоды. Такие фотогенераторы называются солнечными батареями. Они составляют основную часть солнечных батарей, используемых в различных устройствах, в том числе и в космических кораблях. КПД солнечных элементов на основе кремния составляет 20%, у пленочных элементов этот параметр значительно больше. Важной особенностью солнечных элементов является то, что выходная мощность зависит от веса и площади чувствительного слоя. Эти свойства достигают 200 Вт/кг и 1 кВт/м2. Напряжение и ток в нагрузке R н соответствуют характеристике фотодиода и сопротивлению R н в точке пересечения линии нагрузки. В темноте фотодиод по своему поведению эквивалентен обычному диоду. В темном режиме ток для кремниевых диодов составляет от 1 до 3 мкА, для германиевых от 10 до 30 мкА. Типы фотодиодов Существует несколько типов фотодиодов, каждый из которых имеет свои преимущества. p-i-n фотодиод Резюме Целью написания этой самостоятельной работы было углубление моих знаний. Коэффициент прохождения тока в оптронах от 0,1 до нескольких тысяч единиц и каков его знак. Светодиоды излучают свет в результате рекомбинации электронно-дырочных пар. Я получил аналогичную информацию и дополнительную информацию. Download 0.5 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling