Elektronika va radiotexnika kafedrasi

s 
« K
r
bo‘lishi kerak. 
SHunga asosan Yaxshi DKlarda K
ss
 = 10
4

10
6
tartibida bo‘ladi. 
Rasmda differensial kuchaytirgich-ning 
amplitudaviy va chastotaviy xarakteristikalari 
ko‘rsatilgan. Undan sinfaz signal Yuqori 
chastotasining chegaraviy qiymati differensial 
signalnikiga qaraganda kichik bo‘lishi ko‘rinadi. 
U sinfaz signal uchun 

vs
 = C
0
R
ekv
ning differen-
sial signalga nisbatan etarlicha katta bo‘lishi 
(

vs
>

vr
) bilan tushuntiriladi. SHunday qilib 
DKning sifatli ishlashi uchun uning elkalari 
simmetrikligini ta’minlash kerak. Buning uchun 
integral mikrosxemalar qo‘llaniladi. 6.43-
rasmda bunga misol ko‘rsatilgan. Unda T
1
va T
2
tranzistorlar DK ning negizini tashkil qiladi. T
3 
tranzistorda
yig‘ilgan zanjir Yuqorida 
ko‘rilgan sxemalardagi R
e 
rezistor vazifasini bajaradi. T
4
tranzistor diod ulanishiga ega 
bo‘lib, T
3
tranzistorning termostabillash zanjiri vazifasini bajaradi. KII8UDI
mikrosxema (a) va o‘rta tuzilgan differensial kuchaytirgich (b)

---

1-2-rasm. 
DK va uning ekvivalent sxemasi 

---

3-rasm. Nosimmetrik kirish va chiqishli differensial kuchaytirgich