E`lektronika va Sxemalar

RКИР = 2 ( +1)rЭ +rБ
β = 100, r_E = 250 Om va r_B = 150 Om bo‘lsin, bunda R_KIR = 5,35 kOm
bo‘ladi.
β ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga I_B0 bog‘liq. Shuning uchun kirish
qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsiyenti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi
(7.4-rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti

KI h212 _Э = 2 .
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
UБЭ UБЭ1 +UБЭ2 UБЭ2
R
R = = = _КИР1 + .
IБ IБ1 IБ1 bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib:
RКИР =RКИР1 +( +1)RКИР2 RКИР2 .

7.4-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi.
Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β marta ortar ekan.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo‘llab VA oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali r–n o‘tish bilan boshqariladigan n – kanalli MTlar asosidagi
DKning an’anaviy sxemasi 7.5-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan R_I rezistor asosida hosil qilingan.

7.5-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi.
R_SIL1 va R_SIL2 rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga boshlang‘ich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi teskari siljitilgan r – n o‘tishning differensial qarshiligidan iborat bo‘ladi va 10⁸ ÷ 10¹⁰ Om ni tashkil etadi.
Ba’zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun n – kanalli r–n o‘tish bilan boshqariladigan MT va n–p–n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. DKlarning barcha ko‘rilgan turlari har xil OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi.

Durdona Ravshanova Durdona Ravshanova