Elektronika va sxemotexnika

VII BOB. NANOELEKTRONIKA 
7.1. Nanoelektronikani rivojlanish bosqichlari 
 
Nanotehnalogiya – bu moddalar bilan ishlashdan alohida atomlarni 
boshqarishga o‘tishi: nanoo‘lchamda moddani ko‘plab mehanik, termodinamik , 
magnit va elektrik harakteriskalari holati o‘zgarib ketadi. Masalan , oltin nanozarralari 
hajmiy oltin zarralaridan katalitik, feromagnitik, to‘g‘rilovchi
optik hossalari, 
o‘ziyig‘ilishga qodirligi bilan farq qiladi.
Ular yorug‘likni yahshi yutadi va sochadi, zaharsiz, kimyoviy stabil, biyomoskeluchi. 
Ularning intensiv bo‘yashda(tovlanish) hozirda dedektirlash
uchun, vizualiyashgan
va biyotibbiyot obektlar miqdorni aniqlashda foydalanilmoqda [1-7]. Oltin 
nanozarralari butun boshli asboblar diyagnostika vositalardan tortib har hil turdagi 
sensorlar, optik tolali va kampyuter nanosxemalarini[8-9] yaratishda itiqbollidir. 
Ko‘rsatilgan hususiyatlar tufayli oltin nanozarralari asosiy metodlari va tushunchalari 
bilan osson tushunarli universal obekt modili nanofanni tanishtirish uchun qulay rol 
o‘ynashi mumkin,
Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va 
texnikaning rivojlanishi elektronikaning etakchi tarmoqlaridan biri bo‘lgan 
mikroelektronika hamda endigina paydo bo‘layotgan nanoelektronika sohalarida 
faoliyat ko‘rsatadigan malakali mutaxacsislarni tayyorlash bilan uzviy bog‘liqdir. 
Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo‘lmish integral mikrosxemalar, 
mikroprostessorlar, o‘ta yuqori chastotali detektorlar, quyosh elementlari, lazerlar, 
elektron hisoblash mashinalar va o‘ta yuqori xotirali tizimlar va boshqa noyob 
elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo‘lgan yupqa va o‘ta yupqa 
ko‘p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi. Shu boisdan ham 
keyingi yillarda yupqa va o‘ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va 
fizikasiga bo‘lgan e‘tibor keskin ortib ketdi. 
Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o‘rganish o‘tgan asrning 
70 yillardan boshlab qo‘llanilib kelinayotgan an‘anaviy usullari mavjud.
Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha 
mikrondan o‘nlab mikrongacha bo‘lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda 
hozirgi kunda ham muvaffaqiyatli qo‘llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib 
yupqa (d

10
2

10
3
nm) va o‘ta yupqa (d<100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy 
molekulyar nurli epitaksiya(MNE), qattiq fazali epitakstiya(QFE), ionlar 
implatastiyasi va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish 
mumkin. Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o‘ta yuqori 
vakuum sharoitda olib borilishi, o‘ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va 
atom(molekula) manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning mukammalligi(yuqori 
darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi) bilan eski (tradistion) 
usullaridan tubdan farq qiladi. 
Hozirgi 
paytda 
nanoelektronika 
rivojlanmoqda, 
ya‘ni 
elektron 
asbobsoslikda qalinliklari o‘nlab nanometr (1 nm = 10
-9 
m) bo‘lgan plyonkalarni 
ishlatish ustida ishlar olib borilmoqda. Bunday plyonkalar ustma-ust, qatlama-
qatlam qilib joylashtirilib aktiv va passiv elementlar hosil qilishda ishlatilishi 

---

102 
102 
mumkin. Fan va texnika rivojlanib uch o‘lchamli tizimlar hosil qilinmoqda. 
Bunday tizimlarda 1 sm
3
hajmda yuz minglab-millionlab yupqa plyonkali 
elementlarni joylashtirish mumkin. Ular asosida hosil qilingan integral sxemalar