#Element bazasining tashkil topishiga qarab hozirgi zamon elektronikasini taraqqiyotini nechta asosiy davrga bo’lish mumkin?

Diodning issiqlik teshilishi - bu
*p-n o’tish qiziganda teskari tokning boshqarilmay-digan qaytmas jarayon natijasida ortishi
diod to’g’ri ulanganda tokning keskin ortishi
p-no’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi
valent elektron-larning p-sohadan n -sohaga tunnel o’tish natijasida tokning keskin ortib ketishi

Diodning ko’chkili teshilishi - bu
*p-n o’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi
valent elektronlarning p-sohadan n-sohaga tunnel o’tish natijasida tokning keskin ortib ketishi
p-no’tish qiziganda teskari tokni boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi
diod to’g’ri ulanganda tokning keskin ortishi

Diodning tunnel teshilishi - bu
*valent elektronlarning p-sohadan n -sohaga tunnel o’tishi natijasida tokning keskin ortib ketishi
p-no’tish qiziganda teskari tok boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi
diod to’g’ri ulanganda tokning keskin ortishi
p-no’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi

Dielektrik – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi
*absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o’zgarmaydi
absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi
absolyut nol temperaturada nolga teng emas va temperatura ortishi bilan kamayadi
absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi

Dielektrikning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi.
*>3 eV
1,12 eV
0,67 eV
1,43 eV

Invers rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ...... xizmat qiladi
*bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injek-siyalash uchun
asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun