Emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi

foydalanish mumkin.
a) b) c)

Yarimo'tkazgich diodning shartli belgilanishi (a), tuzilmasi ko'rinishi (b) va statik VAXsi (v).
127. Ketma-ket ulangan rezistiv qarshilik R, induktivlik L va sig'im C mavjud bo'lgan elektr zanjirining sxemasi quyidagi rasmda keltirilgan. Bunday elektr zanjirini ketma-ket RLC-konturi, yoki, ketma-ket tebranish (rezonans) konturi deyiladi.


Agar konturning kirish klemmasiga u=Umcoswt kuchlanish ulangan bo'lsa, shu konturdagi garmonik barqaror (garmonik kuchlanish ta'siri ulangandan so'ng yetarli vaqt o'tgandan keyin) tokni i=Imcos(wt+ф) ya'ni, tok amplitudasi Im va tok boshlang'ich fazasi ф ni aniqlash zarur bo'lsin. Kontur elementlari kuchlanishlari musbat yo'nalishlarini to'g`ri tanlab, 3-laboratoriya ishida keltirilgan zanjir elementlaridagi tok va kuchlanishlar bog'lanishlarini e'tiborga olib, quyidagilarni yozish mumkin:
RI(m)cos(wt+ф)+(wL-1/wC)I(m)cos(wt+ф+п/2)=U(m)cos(wt) ( 1 )
Bir xil chastotali garmonik funktsiyalarni qo'shish qoidalaridan foydalanib, quyidagilarni hosil qilish mumkin:
ZI(m)cos(wt+ф)=U(m)cos(wt) ( 2 )
bunda Z=R+(XL-XC) - zanjirning kirish to'la kompleks qarshiligi.
Zanjir konturining elementlaridagi kuchlanishlar vektor diagrammalari quyidagi rasmda keltirilgan.


Reaktiv qarshiliklar wL < 1/wC bo'lganligi uchun, vektor diagrammada tok vektori ta'minlovchi kuchlanish vektoriga nisbatan ф > 0 burchakka siljigan. Sig'imdagi U(mC) va induktivlikdagi U(mL) kuchlanishlar vektorlari esa tok I(m) vektoriga nisbatan, mos ravishda, -п/2 va п/2 siljiganlar, chunki oqayotgan tokka nisbatan sig'im klemmalaridagi kuchlanish fazasi bo'yicha п/2 burchakka kechikadi, induktivlikdagi kuchlanish fazasi bo'yicha п/2 burchakka ilgarilab ketadi. Reaktiv qarshiliklar wL < 1/wC bo'lganda shu elementlar kuchlanishlari
modullari teng UmL=UmC bo'ladi, unda fazalar siljishi ф=0. Bunday rejim RLC-konturning rezonans rejimi deyiladi va ta'minlovchi kuchlanish chastotasi w=w0=1/ sqrt(LC) erkin tebranishlar chastotasiga (ba'zan bu chastotani rezonans chastotasi yoki xususiy tebranishlar chastotasi deyiladi) teng bo'ladi.


128. Yarimo'tkazgich diod deb bir (yoki bir necha) elektr o'tishlarga ega ikki elektrodli elektron asbobga aytiladi. Diodlar radio-elektron qurilmalarda ishlatilishi va bajaradigan vazifasiga muvofiq tasniflanadilar. Barcha yarimo'tkazgich diodlarni ikki guruhga ajratish mumkin: to'g'rilovchi va maxsus vazifalarni bajaruvchi. To'g'rilovchi diodlar o'zgaruvchan tokni o'zgarmas tokka o'zgartirish uchun qo'llanadi. To'g'rilanuvchi tok shakli va chastotasiga bog'liq holda ular past chastotali, yuqori chastotali va impuls diodlarga ajratiladi. Maxsus vazifalarni bajaruvchi diodlarda p-n o'tishlarning turli elektrofizik xususiyatlaridan, masalan, teshilish hodisa-laridan, fotoelektrik hodisalardan, manfiy qarshilikka ega sohalari mavjudligidan va boshqalardan foydalaniladi. Maxsus vazifalarni bajaruvchi diodlar, xususan, o'zgarmas kuchlanishni barqarorlash, optik nurlanishni qayd etish, elektr sxemalarda signallarni shakllantirish va boshqa vazifalarni amalga oshirish uchun qo'llaniladi. Katta toklarni to'g'rilashga mo'ljallangan to'g'rilovchi diodlar katta quvvatli diodlar deb ataladi va 30 A gacha bo'lgan toklarni to'g'rilash imkonini beradi. Odatda bunday diodlar kremniy va arsenid galliy asosida yaratiladi. Germaniyli diodlarning teskari toklari qiymati temperatura o'zgarishi bilan tez ortgani sababli, germaniy asosida katta quvatli diodlar yaratilmaydi.


129. Ebers-Moll tenglamalari BT statik rejimlarini tahlil qilish va statik xarakteristikalarni topish uchun qo'llaniladi. Chunki bu tenglamalar tranzistor p-n o'tishlaridagi har qanday kuchlanishlarda uning asosiy xususiyatlarini to'liq aks ettiradi. Ammo shuni ham aytib o'tish kerakki, modelda I0E va I0K toklar p-n o'tishlarning o'zida zaryad tashuvchilarning generatsiyalanish va rekombinatsiyalanishini hamda Erli effektini e'tiborga olmaydi. Shu sababdan UB, UE va UK ulangan sxemalarda BTning real xarakteristikalarini ko'rib chiqamiz. BT statik kirish xarakteristikalari. Kirish xarakteristikasi deb chiqish kuchlanishining berilgan va o'zgarmas qiymatlarida, kirish tokining kirish kuchlanishiga bog'liqligini ko'rsatuvchi grafikka aytiladi.
BTda emitter va kollektor o'tishlarning o'zaro ta'siri o'tish-larga quyilgan kuchlanish qutblariga bog'liq. Masalan, aktiv rejimda KO' toki baza-emitter kuchlanishi bilan aniqlanadigan EO' tokiga bog'liq. KO' kuchlanishining EO' tokiga ta'siri nisbatan sustroq bo'ladi. To'yinish rejimida ikkala o'tish bazaga zaryad tashuvchilarni injeksiyalaydi va KO'ning EO' tokiga ta'siri kuchli bo'ladi. Agar emitter toki IE da kovaklar toki elektronlar tokiga nisbatan foizning ulushlarini tashkil etishi e'tiborga olinsa, simmetrik tuzilmali UB ulangan BTning kirish xarakteristikalar oilasini quyidagi tenglama bilan ifodalash mumkin: