X. K. Aripov, A. M. Abdullayev, N. B. Alim ova, X. X. Bustano V, ye. V. Obyedkov, sh. T. Toshm atov
M aydoniy tranzistorli elektron kalit sxemalar
Download 11.08 Mb. Pdf ko'rish
|
- Bu sahifa navigatsiya:
- /„ = (£*, -2 (/* )// l .
|
11.6. M aydoniy tranzistorli elektron kalit sxemalar Yuklama va qayta ulanish elementlari bir turdagi MDYA - tranzistorlarda hosil qilingan kalitlar texnologik qulay va universal hisoblanadi. Shu sababli, ular KIS va bevosita aloqali 0 ‘KISlarda keng qo‘llaniladi. KIS yana QUE bo‘lib kanali induksiyalangan MDYA - tranzistorda, YuE - esa o‘tkazuvchanlik turi bir xil boMgan kanali qurilgan MDYA - tranzistorda hosil qilingan kalitlar ham qoilaniladi. Bunday kalitlar yordamida nochiziqli, kvazichiziqli va tokni barqa- rorlovchi yuklamali invertorlar hosil qilish mumkin. Bir turdagi va komplementar MDYA - tranzistorlar asosida tayyorlangan elektron kalitlaming statik parametrlarini ko‘rib chiqamiz.
induksiyalangan MDYA - tranzistorli bunday kalit sxemasi 11.12- rasmda keltirilgan. Zatvori stok bilan ulangan VT2 tranzistor YuE hisoblanadi. Bunday tranzistor dinamik yuklama deb ataladi. VT2 tranzistoming VAXi quyidagi mulohazalardan kelib chiqadi. Zatvor stok bilan ulanganligi sababli, USi< (U/J 2 -U 02 ) tengsizlik bajariladi. Bu yerda U 02 VT2
tranzistoming bo‘sag‘aviy kuchlanishi b o iib , zatvordagi kuchlanish U 02 dan ortib ketsagina unda kanal induksiyalanadi va tranzistor ochiladi. Demak, tranzistor to‘yinish rejimida boiadi.
11.12-rasm. Dinamik yuklamali MDYA - tranzistorli kalit. Bu rejimda VT2 tranzistoming VAXi (6.16) formulaga asosan quyidagi ko‘rinishda yoziladi 297
I Л т _ ( / )■ . (И .1 2 ) 52
2 ^ 2,2 02/
BTdagi kabi, MDYA - tranzistorlarda bajarilgan kalitlar ham, statik rejimda qoldiq tok (berk holatda) va qoldiq kuchlanish (ochiq holatda) bilan ifodalanadi. Kalit quyidagicha ishlaydi. Agar VT1 ning zatvori ga U kjr = U zu < U q i
kuchlanish berilsa {U 0i VT1 ning bo‘sag‘aviy kuchlanishi), bu tranzistor berk boMadi. Berk holatda kalit orqali VT1 ning stok
oMishidan teskari tokka teng boMgan qoldiq tok I q 0 l
oqib o‘tadi. Uning qiymati I q q l
= Ю'9
-
10' A dan katta emas. Shuning uchun chiqish kuchlanishi o‘zining maksimal qiymatiga yaqin boMadi: UChiq ~ Em (11.13-rasmdagi A nuqta). Qoldiq kuchlanish
ni esa grafo - analitik va analitik usulda aniqlaymiz. Buning uchun VT1 tranzistoming Uzn = EM (2-egri chiziq) boMganda oMchangan stok xarakteristikasining boMishi va unda VT2 tranzistoming (11.12) formula yordamida aniqlangan yuklama chizigMni oMkazish kerak (1 - egri chiziq). Chiqish xarakteristikasining yuklama chizigM bilan kesishgan В nuqtasi qoldiq kuchlanish U q o l
va to‘yinish toki I s . t o - y ni ishchi qiymatlarini belgilaydi. Kalit to‘yinish tokini USi2 = EM deb faraz qilib, analitik usulda (11.12) formuladan aniqlash mumkin / ет= У •
QOL 11.13-rasm. Stok xarakteristikasida ishchi nuqtalaming joylashishi. 298
1 s t tokni VT1 ning kanal qarshiligi R = \/[B^UZI]- U 0])] ga ko‘paytirib va
mumkin:
U _ = B 2 (Eu - U m) \ (11.13)
QOL 25,
EM- U 0i (11.13)
formuladan ko‘rinib turibdi-ki, qoldiq kuchlanish qiyma tini kamaytirish uchun B 2 « B, boMishi kerak. Eslatib o‘tamiz, tranzistoming nisbiy tiklik qiymati В birinchi navbatda kanal kengligi Z ni uning uzunligi L ga nisbati (Z/L) bilan aniqlanadi. Bundan, qayta ulanuvchi tranzistoming Z/L qiymati imkon qadar katta, yuklama vazi- fasini bajaruvchi tranzistomiki esa - imkon boricha kichik boMishi kerakligi kelib chiqadi. Texnologik jihatdan kalitlarda Sy / = 50
100 ta’minlanadi. Kalitdagi statik rejim va o‘tish jarayonlarining tahlili ko‘r- satadi-ki, tezkorligi va iste’mol quvvati nuqtayi nazaridan
kuchlanish manbai optimal hisoblanadi. Mazkur shartlarda qoldiq kuch lanish 50-И00 mV o ralig id a yotadi.
MDYA - tranzistorlarda hosil qilingan kalitlaming kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq boMgan statik rejimda kalitdan doim tok oqib oMadi. Komplementar, ya’ni oMkazuvchanlik kanallari turi qarama-qarshi boM gan MDYA - tranzistorlar asosida tayyorlangan elektron kalit bu kamchilikdan holi ( 1 1.14-rasm). QUE sifatida n - kanali induksiya langan MDYA - tranzistor (VT1), YuE sifatida esa p - kanali induk siyalangan MDYA - tranzistor (VT2) qoMlanilgan. QUE sifatida n - MDYA - tranzistoming asosi kuchlanish manbaining musbat qutbiga, p - MDYA - tranzistoming asosi esa sxemaning umumiy nuqtasiga ulanadi. Kirish signali ikkala tranzistoming zatvorlariga bir vaqtda beriladi. Sxema quyidagicha ishlaydi. Agar
= 0 boMsa, u holda Uzn = 0 boMadi, demak, n - MDYA - tranzistorda kanal induksiya- lanmaydi, ya’ni tranzistor berk holatda boMadi. Bu vaqtda VT2 ning zatvorida
= t/m - £ A/ = -E u < 0 boMadi. Bu vaqtda chiqish kuchlanishi manba kuchlanishiga deyarli teng boMadi:
= 0 boMadi. Demak, n - MDYA tranzistorda kanal induksiyalanadi, ya’ni VT1 ochiq, p - MDYA tranzistor, ya’ni VT2 esa berk boMadi. 299
/ - гР
a
11.14-rasm. KMDYA tranzistorli elektron kalit (invertor). Bu vaqtda umumiy zanjirdagi tok aw algidek
ga teng bo‘ladi. Kalit chiqishidagi qoldiq kuchlanish (11.13) ifodadan, indekslar o ‘mini almashtirib aniqlanadi: Qoldiq kuchlanishning kichikligi komplementar kalitlaming afzalligi hisoblanadi. Sxema ikkala holatda ham q u w a t iste’mol qilmasligi bu kalitlaming yana bir afzalligi hisoblanadi. N a z o r a t s a v o l l a r i 1. Pozitsion sanoq tizimi nopozitsion sanoq tizimdan nimasi bilan farqlanadi? 2. Raqamlarni bir sanoq tizimidan ikkinchisiga o'tkazish qanday amalga oshiriladi? 3. Mantiq algebrasidagi Bui konstantasi va о ‘zgaruvchisi deb nimaga aytiladi? 4. Bui algebrasining asosiy amallarini sanab bering. Ular haqiqiylik jadvallari va algebraik ifodalar orqali qanday ifodalanadi? 5. Mantiq algebrasi funksiyalari ishiga so 'z bilan; haqiqiylik jadvali yordamida; algebraik ifodalar yordamida misollar keltiring. 6. Qanday amal Junksiya superpozitsiyasi deb ataladi? 300
7. Funksional to ‘liq majmua deb nimaga aytiladi? 8. Funksional to 'liq majmua ikkita о ‘zgaruvchidan qanday funksiyalar hosil qiladi? 9. Qanday funksiyalar majmuasi asosiy funksional to 'liq majmua deb ataladi? 10. Raqamli tizimlarda qanday fiz ik kattalik mantiqiy o'zgaruv- chilarning mumkin bo ‘Igan qiymatlari bilan namoyon qilinadi? 11. Diskret kuchlanishni kodlashning ikki usulini aytib bering. 12. Potensial kodlash usulida mantiqiy signalni kodlashning to'rtta usulini aytib bering. 13. MEning uzatish xarakteristikasi deb nimaga aytiladi? 14. Uzatish xarakteristikalarining qanday turlarini bilasiz? 15. Raqamli sxemalarning uzatish xarakteristikalariga qanday talablar qo ‘yiladi? 16. Mantiqiy о ‘zgaruvchilarning statik parametrlarini aytib bering. 17. Mantiqiy о ‘zgaruvchilarning dinamik parametrlarini aytib bering. 18. Tranzistorli elektron kalitlar qanday parametrlar bilan xarakterlanadilar? 19. Elektron kalit qanday elementlardan tashkil topgan? 20. Elektron kalit yasashda qanday qurilmalardan foydalaniladi? 21. RISlarda qo 'llaniladigan kalit turlarini aytib bering. 22. Shottki barerli tranzistorlarda hosil qilingan kalitlar oddiy BTlarda bajarilgan kalitlarga nisbatan qanday qfzalliklarga ega? 301
X I I B O B M A N T I Q I Y I N T E G R A L S X E M A L A R N I N G N E G I Z E L E M E N T L A R I 1 2 .1 . U m u m i y m a ’l u m o t i a r Mantiqiy integral sxema yoki mantiqiy element (ME) deb ikkilik sanoq tizimida berilgan axborotlami mantiqiy o‘zgartirishga mo‘ljal- langan elektron sxemalarga aytiladi. MElar sanoatda murakkablik darajasiga ko‘ra turli seriyalar ko‘ri- nishida ishlab chiqariladi. Seriya deganda, turli funksiyalar bajara oladigan, yagona konstruktiv - texnologik usulda bajarilgan va birga- likda ishlashga mo‘ljallangan IMS majmuiga aytiladi. Shundayligiga qaramasdan, har bir seriyada ushbu seriyadagi boshqa sxemalarga asos hisoblanadigan negiz MElar (invertorlar, HAM-EMAS ME, YOKI- EMAS ME, triggerlar, schetchiklar, registrlar va h.k.) mavjud. Hozirgi vaqtda RISlami loyihalashda quyidagi negiz MElar keng qo‘llaniladi: tranzistor - tranzistorli mantiq; emitterlari bog‘langan mantiq; integral-injeksion mantiq; bir turdagi MDYA - tranzistorli mantiq; komplementar MDYA-tranzistorli mantiq. Negiz MElaming sxema variantlarini
atash qabul qilingan. Mantiq turi qoMlanilgan elektron kalit va ele mentlar orasida o‘rnatilgan bogMiqlik bilan aniqlanadi. Sanab oMilgan MElaming hech biri tezkorlik, iste’mol quvvati, joylanish zichligi va texnologikligi bilan sxemotexnikaning barcha talabalariga toMiq javob bera olmaydi. Shuning uchun IS ishlab chiqarishda u yoki bu negiz sxemani tanlash buyurtmachining texnik talabalari va ishlatish sharo- itlariga bogMiq. 1 2 .2 . T r a n z i s t o r - t r a n z i s t o r l i m a n t i q e l e m e n t l a r Tranzistor - tranzistorli mantiq (TTM) elementlar keng tarqalgan va ko‘p ishlab chiqariladigan RIS hisoblanadi. Sodda invertorli TTM sxemasi 12.1-rasmda keltirilgan. Element ikkita mantiqiy kirishga ega boMib, u ko‘p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 302
tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan. KET TTM turdagi MElaming o‘ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy baza va umumiy kollektorga ega boMgan tranzistorli tuzilmadir. Standart sxema larda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL < 8. TTM elementlar tarkibidagi KET invers rejimda yoki to‘yinish rejimda ishlashi mumkin. KET tuzilmasi va yasalish texnologiyasi shundayki, tok bo‘yicha kuchay- tirishning invers koeffitsiyenti a juda kichik boMib, 0,01-^0,05 oraligMda yotadi. ВТ asosidagi TTM va boshqa turdagi MElar ishlash mexanizmini ko‘rib chiqishdan avval, tahlil uchun zamr boMgan elementar nisbatlarga to ‘xtalib oMamiz.
12.1-rasm. Sodda invertorli TTM ME sxemasi. MElarda tranzistorlar kalit rejimida ishlashini inobatga olgan holda, tahlilda ochiq yoki berk p-n oMish tushunchasi qoMlaniladi. Eslatib o‘tamiz, agar oMishning to‘g ‘ri toki / = 10"3 -И0-4 A oraligMda yotsa, bu diapazon
oraligMda kremniyli oMishda kuchlanish U atigi 0,7(H),68 Vga o‘zga- radi. Tokning boshqa /= 1 0 5-H0^ A diapazonida (bu diapazon mikro- rejim deb ataladi) kuchlanishning qiymatlari mos ravishda 0,57+0,52 V oraliqda yotadi. Shunday qilib, tok diapazonlariga ko‘ra to‘g‘ri kulchanishlar biroz farqlanishi mumkin, lekin ulami doimiy deb hisoblash va to‘f>‘ri o'tish parametrlari deb qarash mumkin. Uning uchun maxsus U belgilash kiritiladi. Xona temperaturasida normal rejimda (/*=0,7 V, mikrorejimda esa
kichik boMsa, o ‘tish deyarli berk hisoblanadi, chunki bu kuchlanishda toklar nominaldan o‘nlab marta kichik boMadi. 303
Yuqori tezkorlikka erishish uchun TTM tranzistorlari normal tok rejimida ishlaydilar. Shuning uchun sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar: -
ochiq va undagi kuchlanish (/*=0,7 V; -
o‘tish berk va oqib o‘tayotgan tok nolga teng; - tranzistor to‘yinish rejimida boMsa, u holda kollektor-emitter oralig‘idagi kuchlanish
TTM elementning ish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Ulanish sxemasiga binoan KET bazasining potensiali (B) doim uning kollektori potensialidan yuqori bo‘ladi. Demak, KET K 0 ‘ doim to‘g‘ri siljigan bo‘ladi. Tranzistor EOMariga kelsak, ular emitter potensiallarining umu miy shinaga nisbatan ulanishiga bog‘liq. Deylik, barcha kirishlar
manbai potensialiga teng bo‘lgan maksimal qiymatga ega bo‘lsin. Bunda mantiqiy 1 sath shakllanadi, ya’ni
cha EO‘lar teskari yo‘nalishda ulangan boTadi, chunki baza potensiali (B)
past boTadi. KET tarkibidagi parallel ishlayotgan tranzistorlar invers ulangan boTadi. Aytib oTilganidek,
hisoblashlarda emitter tokini nolga teng deb olinadi, I 0 tok esa ketma- ket ulangan KETning kollektori va VT1 ning EO‘ orqali oqib o‘tadi.
qiymati
R1 rezistor qarshiligi qiymati bilan cheklanadi va /„ = (£*, -2 (/* )//? l . R1 shunday tanlanadi-ki, KET toki, demak, VT1 baza toki tran- zistomi to‘yinish shartiga mos kelsin. Bunda VT1 tranzistor ochiladi va chiqish kuchlanishi
ga teng boTib qoladi. Bu esa mantiqiy nol sathga teng, ya’ni i f = U* ke . to - y
mantiqiy 1 berilsa, chiqishda mantiqiy 0 hosil boTadi. Endi aksincha holatni ko‘rib chiqamiz. Barcha kirishlar {XI va Y2) potensiali nolga teng yoki shu qiymatga yaqin boTsin: (/^- = ( / = 0. U holda barcha EOTar KO‘ kabi to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan boTadi. Barcha tranzistorlar to‘yinish rejimiga o‘tadi. Bu holatda I 0 tok ham ochiq EOTaridan, ham KETning ochiq KO‘dan oqib o‘tishi mumkin. Tok KET EOTardan oqib oTayotganda bu oTishlardagi kuchlanish +0,7 304
V ga teng bo‘ladi. Parallel ulangan E O 'larga ega KETni ikki barobar katta hajmdagi yagona tranzistor deb qarash mumkin. К Е Т К О ‘dan oqib o ‘tayotgan tok deyarli nolga teng, chunk! unga VT1 ning EO ‘i ketma-ket ulangan. Tok bu zanjirdan oqib o ‘tishi uchun, K ET baza potensiali
V ga teng bo‘lishi kerak. Demak, VT1 ochiq, em itter va kollektom ing qoldiq toklarini nolga teng deb hisoblash mumkin. Chiqish kuchlanishi esa S ^ g a yaqin bo‘ladi, y a’ni mantiqiy 1 sathini
beradi. Bu vaqtda I 0 quyidagicha aniqlanadi: I 0 = (EM - U ' ) / R \ . A gar faqat bitta kirishga mantiqiy 0, qolganlariga mantiqiy 1 berilsa, VT1 berk boNadi. Shunday qilib, biror kirishga m antiqiy 0 berilsa, chiqishda m antiqiy 1 olinar ekan. Faqat barcha kirishlarga m antiqiy 1 berilsagina, chiqishda mantiqiy 0 ga ega bo‘lamiz. Shunday qilib, m azkur sxem a 2HAM -EM AS mantiqiy amalini bajaradi, bu yerda 2 raqami M E kirishlari sonini bildiradi. Endi, uncha katta bo‘lmagan yuklam a qobiliyatiga va nisbatan kichik tezkorlikka ega bo‘lgan TTM negiz elementni ko‘rib chiqamiz. Bu quyidagilar bilan shartlangan. Ochiq holatda V T ln in g to ‘yinish rejimi ta ’m inlanishi uchun
qarshilik qiymati katta (bir necha kOm) bo‘lishi kerak. U holda tranzistom ing berk holatdagi m antiqiy 1 sathi yuklam a qarshiligi Zy„ ga kuchli ravishda bog‘liq bo‘lib qoladi. Z Yu deganda m azkur M E chiqishiga ulangan n ta xuddi shunday M E lam ing kom pleks qarshiligi tushuniladi. M antiqiy 0 holatida (VT1 tranzistor ochiq) KET - VT1 tizim ning tok uzatish koeffitsiyenti qiymati kichik bo‘lganligi sababli, chiqish kuchlanishi sathi ham yuklam a qarshiligi qiym atiga qaysidir m a’noda bog‘liq boNadi. Sababi, KET invers ulanishida tok uzatish koeffitsiyenti
1 dan kichik boNadi. Aktiv rejim da esa 1 ga yaqin. Shu sababli, bu turdagi ME yuklam a qobiliyati kichik hisoblanadi. M E tezkorligi kirish va chiqish kuchlanishlari o ‘sib borish va kam ayish ffontlari tikligi bilan aniqlanadigan dinam ik param etrlar bilan belgilanadi. H ar MEni
tizim deb qarasak, u holda undagi kuchlanish tikligini o ‘zgarishi asosan sigNm
ning zaryadlanish va razryadlanish vaqti davom iyligi bilan aniqlanadi. Yuklama sigNmi
oNishlar, elektr bogNanishlar, chiqishlar va h.k.lar sigNmlarining umumiy yigNndisi. Demak, tezkorlikni tahlil qilganda M E chiqishiga ulangan boshqa elementni
yuklam a deb qarashimiz kerak. Sxem ada (12.1- 305
rasm ) ME kirishi m antiqiy 0 holatdan m antiqiy 1 holatga o ‘tayotganda VT1 tranzistor berkiladi. Shuning uchun yuklam a sig'im i R2 rezistor orqali zaryadlanadi. R2 ning qiymati katta bo‘lganligi sababli, zaryadlanish vaqti doimiysi
sezilarli bo‘ladi. M E chiqish sathi U° b o ‘lganda yuklam a sig‘imi to ‘yingan VT1 tranzistor orqali raz- ryadlanadi. Tok uzatish koeffitsiyenti a:, uncha katta bo‘lmaganligi sababli, razryadlanish vaqti doimiysi rp ham kichik qiym atga ega bo‘ladi. Ko‘rib o ‘tilgan kam chiliklar tufayli, 12.1-rasmda keltirilgan sxema keng qo‘llanilmaydi. Bu sxem a asosan tashqi indikatsiya elementlarini ulash uchun ochiq kollektorli m ikrosxem alarda (12.2- rasm) qoMlaniladi. \R1 XI X2 VT1 KET 12.2-rasm. TTM seriyadagi YOKI b o ‘yicha kengaytirish sxemasi. M urakkab invertorli TTM sxem asi (12.3-rasm ) am aliyotda keng qoMlaniladi. U ikki taktli chiqish kaskadi (VT2 va VT3 tranzistorlar, R4 rezistor va VD diod), boshqariluvchi faza ajratuvchi kaskad (VT1 tranzistor,
v a
R3 rezistorlar) dan tashkil topgan. Faza tushunchasi (yunoncha paydo bo‘lish)ga binoan VT1 tranzistor berk va uning kollektorida (A nuqta) yuqori potensial paydo boMishi natijasida VT2 tranzistor ochiladi. VT1 tranzistom ing ochiq holatida uning em itterida (B nuqta) yuqori potensial paydo bo‘ladi va u VT3 ni ochadi. Demak, VT2 va VT3 tranzistorlar galma-gal (turli taktlarda) ochiladi. Shuning uchun chiqish kaskadi ikki taktli deb ataladi. Sxem aning ish tartibini ko‘rib chiqamiz. Oddiy invertorli TTM kabi, bu sxem ada ham biror kirishga m antiqiy 0 berilsa VT1 tranzistor berk bo‘ladi. N atijada VT2 tranzistor ochiladi, VT3 tranzistor esa berki ladi. Yuklam a sig‘imi
esa 12.1-sxemadan farqli ravishda, endi kichik qarshilikka (150 Om) ega rezistor
ochiq turgan VT2 tranzistor va 306
VD diod orqali zaryadlanadi. Rezistor R4 tok cheklagichi bo‘lib, u chiqish tasodifan umumiy nuqtaga ulanganda o ‘zaro ketma-ket ulangan VT2 tranzistor va VD diod orqali oqib o‘tuvchi tok qiymati ortib ketishidan himoyalaydi. Boshqa tomondan, chiqish kaskadining qayta ulanish vaqtida, y a’ni VT2 tranzistor endi ochilayotgan, VT3 tranzistor esa hali berkilib ulgurmagan vaqt m om entida kuchli qisqa impulslar paydo bo‘lishi oldini oladi. Elem ent qayta ulanish vaqtida yuklama sig ‘imi
to ‘yingan VT3 tranzistom ing kichik qarshiligi orqali razryadlanadi. Bu bilan elementning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. 12.3-rasm. M urakkab invertorli TTM M E sxemasi. VD diod vazifasini tushuntiramiz. Diod yo‘q deb faraz qilaylik. Bu holda elem ent qayta ulanish vaqtida, y a’ni VT3 tranzistor ochiq bo‘lganda VT2 tranzistor berk boMishi, y a’ni
kuchlanish qiymati 0,7 V dan kichik boMishi kerak.
ni aniqlaymiz. Buning uchun elem ent chiqish qismi kuchlanishi uchun quyidagi munosabatlarni yozib olamiz:
Ubvt 2 = Ubevts +
Uke.to'y.vti = 1 V; иЕУТ 2 = Uke.tov.vts = 0,3 V. U holda
+
Uke.to'y.vti - Uke.to'Y.vt 3 = 0,7 V.
Bu vaqtda VT2 tranzistor ochiq bo‘ladi. Shunday qilib, VD diod boMmaganda VT2 tranzistor ochiq, U°chiq kuchlanish esa noaniq bo‘ladi. Sxemaga VD diod ulanganda ochiq VT3 tranzistor kuchlanishi
+
U VD > U b EVTS +
U k E.TO'Y.VTI - U k E.TO-Y.VT3, U b EVT2 +
U v o >
Ubevts boNadi. Bu qiym atlam i mos o ’rinlarga q o ‘yib 1,4 V > 0,7 V ga ega boNamiz. Shunday qilib, VD diod kuchlanish sathini siljituvchi elem ent vazifasini bajaradi va chiqishda kuchlanish i f
boNganda, VT2 tranzistom i aniq berkilishini ta’minlaydi. 307
Yuklama qobiliyati yoki
KTARM koeffitsiyenti VT3 tranzistom ing maksimal koilektor tokidan kelib chiqqan holda aniqlanadi. Bu vaqtda
deb yozish m umkin. B u yerda /°^r - IMS m a’lum otnom asidan olinadigan param etr.
=
EM/R4=30 m A boMgani sababli, 1°^ = 1,35
m A bo‘lganda KTARM = 22.
X ulosa qilib shuni aytish mum kin-ki, 12.3-rasmda kirish zanjirida punktir bilan tasvirlangan diodlar aks-sadoga qarshi diodlar deb ataladi va m uvofiqlashm agan liniya oxirlaridan qaytgan manfiy signallar (xala- qitlar) am plitudasini cheklash uchun q o ilan ila d i. Bu signallar ikkita p-n o‘tish (diodning p-n o ‘tishi va KET em itter o ‘tishi) o ra lig id a b o ‘linib, M Eni yolg‘on qayta ulanishdan saqlaydi. Hozirgi vaqtda TTM negiz elem entlarining ko‘p sonli m odifikat- siyalari yaratilgan. H ar bir m odifikatsiya parametrlari yoki qo‘shim cha imkoniyatlari bilan ajralib turadi. M asalan, chiqish kaskadida tok b o ‘yicha katta kuchaytirish koeffitsiyentiga ega boTgan tarkibiy tranzistorlar qoTlanishi yuklam a qobiliyatini oshiradi (12.4a-rasm). Sxem aning ishlash prinsipi o ‘zgar- maydi. Tarkibiy tranzistor (VT4 va VT2 tranzistorlar) VT3 invertom ing dinam ik yuklam asini hosil qiladi. M asalaning bunday yechilishi barcha rezistorlar nom inallarini ikki barobar kichraytirishga va bu bilan tezkorlik va yuklam a qobiliyatini oshirishga imkon beradi. A va В nuqtalar oralig‘ida ikkita ketm a-ket ulangan tranzistorlam ing p-n o ‘tishlarining m avjudligi esa VD diod boTishini talab qilmaydi. Shottki diodi va tranzistorlar!ni qo‘llash yordam ida (12.4b-rasm) TTM elem entining tezkorligi oshirilgan (TTMSH). U lar tranzistor bazasida ortiqcha zaryadlam i chiqarib yuborish vaqtini sezilarli kam ay- tirish yoki umum an yo‘qotishga imkon beradi. N atijada impuls kam ayib borish vaqtidagi kechikish kamayadi. Lekin tezkorlik ortishi bilan TTM SH statik param etrlari yom onlashadi. Xususan, bo‘sag‘aviy kuchla nish qiymati kam ayadi va
ortadi, bu esa o ‘z navbatida oddiy sxem alarga nisbatan xalaqitbardoshlikni pasaytiradi. TTM SH KlSlar- ning negiz elementi hisoblanadi. Ikki y o ‘nalishli axborot shinalari yoki m agistral qurilm alar yaratishda, bir necha sxem a chiqishlarini birlashtirish talab qilinadi. A gar elem entlar ulanayotganda, ulardan birining chiqishida past
sath, ikkinchisida esa yuqori U 1 C H I q sath bo‘lsa, u holda ketm a-ket 308
ulangan VT2
v a VT3
tranzistorlardan biridan
sizilish toki
Isiz ~
{EM -lf)JR y oqib o ‘tadi. Bu tok statik rejimdagi m anba tokidan ancha katta. Bu vaqtda iste’m ol qilinayotgan q u w a t keskin ortadi va sxem a ishdan chiqishi m umkin, chunki VT2, VT3 tranzistorlar va VD diod uzoq m uddat katta tok oqib o ‘tishiga m o‘ljallanmagan. B u holat yuzaga kelmasligi uchun chiqishi uchta holatga ega b o ‘lgan: ikki holat - bu oddiy
va
U C h iq ~ U 1 sathlar, uchinchisi esa - elem ent yuklam adan butkul uziladigan «cheksiz katta» chiqish qarshiligi holatini ta ’m inlaydi, y a’ni tok iste’mol qilmaydigan v a uzatm aydigan TTM elementlai* yaratilgan. 12.4-rasm. TTM M Ening turli sxem a variantlari. 309
Buning uchun m urakkab invertorli sxem aga qo‘shim cha VT4 tranzistor va R5 rezistor ulanadi (12.4c-rasm ). Boshqaruvchi kirish Z ga U°K,R kuchlanish berilsa, VT4 tranzistor berk bo‘lib, sxem a oddiy elem ent kabi ishlaydi. Boshqaruvchi kirish Z ga ( / ^ k u c h l a n i s h berilsa, VT4 tranzistor to ‘yinish rejimi ga o ‘tadi, VT1, VT2 va VT3 tranzistorlar esa berkiladi (uchinchi holat). Bu uchinchi holat m antiqiy kirishlardagi axborot signal lari kom binatsiyasiga bog‘liq emas. Bunday elem entlar chiqishlarini umum iy yuklam aga ulash mumkin, chunki ixtiyoriy vaqt m om entida yuklam aga faqat bitta elem ent «xizmat ko‘rsatadi», qolgan elem entlar esa uchinchi holatda boMadi. T TM ning boshqa seriyalari tarkibida m axsus elem entlar boMishi mum kin. U lar bu seriya imkoniyatlarini oshirish uchun moMjallangan. Ulardan birini ko‘rib chiqamiz. Ochiq kollektorli HAM -EM AS elementi Bu sxem a mantiqiy sxem alam i tashqi va indikatorli qurim alar, m asalan, nurlanuvchi diodli indikator, cho‘lg‘anuvchi lampalar, rele o ‘ramlari va h.k. bilan muvo- fiqlashtirishga moMjallangan. Bu sxem aning yuqorida ko‘rib oMilgan elementdan (12.3-rasm) farqi shundaki, chiqish kaskadi yuklam a rezistorisiz bir taktli sxemada bajarilgan. 12.4d-rasm da ochiq kollektorli HAM -EM AS M E da indikatsiya elem enti sifatida cho‘gManuvchi lampa (CHL) qoMlanilgan sxem a ko‘r- satilgan. CHL VT2 tranzistom ing koilektor zanjiridagi yuklam a hisob lanadi va m antiqiy holatlam ing vizual indikatori sifatida xizm at qiladi. A gar barcha kirishlarga
sath berilsa, indikator nurlanadi, agar bir yoki bir nechta kirishga
sath berilsa, indikator nurlanm aydi. Shunt- lovchi
rezistor VT2 tranzistom i himoyalaydi, aks holda choMg‘am sim iining qarshiligi sovuq holatda kichik boMadi va koilektor tokining ortishi kuzatiladi. M a ’lumot. Sanoatda TTM turli elem entlam ing faqat bir necha seriyasi ishlab chiqariladi (standart 133, 155; tezkorligi yuqori boMgan 130, K131; m ikro quvvatli 134; Shottki diodili 530, K531; Shottki diodili m ikro quvvatli K555). Bu elem entlam ing asosiy parametrlari 12.1-jadvalda keltirilgan. TTM elementlari potensial elem entlar qatoriga kiradi: ular asosida kom puter sxemalarini tuzishda ular o ‘zaro galvanik bogManadi, y a’ni kondensator va transform atorlarsiz. M antiqiy 1 va m antiqiy 0 asim ptotik qiym atlari
2,4 V; i f < 0,4 V, UQlj= i f - i f =
kuchlanishlar bilan ifodalanadi. Yuqorida ko‘rib oMilgan seriyalar funksional va texnik 310
to iiq lik k a ega, y a’ni turli arifmetik va m antiqiy am allam i, xotirada saqlash, yordamchi va m axsus funksiyalami bajaradi. 12.1-jadval TTM elementi seriyalari turi TTM RIS parametri seriya standart
tezkorligi yuqori
mikro- quvvatli
Shottki diodili K155
130 158
531 K555
< £ C C с 1,6 2,3 0,15
2 1
1 K m ,
mA 0,04 0,07
0,01 0,05
0,05 i F chio ,
Download 11.08 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|