Fizika fanidan laboratoriya ishlari

 
O’lchovlar misoli 
1-jadval: Kirish tavsiflari I
B
= f(U
BE
) 
 
2-jadval: Nazorat tavsiflari I
C
= f(I
B
); U
CE
= 
5 V 

---


I
C
kollektor 
tokini 
O’lchash uchun 
qO’shimcha multimetrni ulang. 

U
CE
kuchlanish (U
BE
kuchlanish O’rniga) 
kO’rsatkichlarni oling va qiymatni 2-
jadvalning tepa qismiga kiriting. 

I
B
baza tokini minimallashtirib, 1 kΩ 
potensiometrini korrektirovka qiling. 

Potensiometrni burab, asta-sekin I
B
tokini 
oshiring. I
B
tok va I
S
tok juftligini 2-
jadvaga kiriting. 
Chiqish tavsiflari: I
C
va U
CE 
O’lchash, I
B
parametri 

1 kΩ potensiometrni 47 kΩ rezistoriga 
almashtiring 
va 
220 
Ω 
rezistorini 
kollektorga ketmaket ulang. 

I
B
tok kO’rsatkichlarni oling va qiymatni 3-
jadvalning tepa qismiga kiriting. 
 
3-jadval: Chiqish tavsiflari I
C
= f(U
CE
), I
B
= 
4,6 mA 
 
Baholash a natijalar 
Kirish tavsiflari: I
B
= f(U
BE
) 
p-n bazani emitterga O’tishi chegaraviy 
kuchlanishi taxminan 0,6V bO’lgan diod 
 
 

---

sifatida namoyon bO’ladi. 
Nazorat tavsiflari: I
C
= f(I
B
), U
CE
= 5V 
Izoh: Tokning kuchayishi quyidagi bilan 
tavsiflanadi 
. BD 137 tranzistori uchun ß = 
40 ... 250 tashkil qiladi. 
Chiqish tavsiflari: I
C
= f(U
CE
), I
B
= 4,6 mA 
Izoh: 
Quvvatning 
asosiy 
yO’qotishlari 
kollektor-emitterning O’tishlari bilan bog
ʻliq: P 
= U
CE
∙ I
C
. BD 137 tranzistori uchun maksimal 
quvvat yO’qotishlari 8VA tashkil qiladi. 

---

Tekislik tranzistori diodining tavsiflarini o’rganish 
 
Eksperiment ob’ektlari 
 Manfiy-musbat-manfiy va musbat-manfiy-musbat tranzistorlarining turli tutashgan 
joylari uchun o’tkazuvchan holat va berkituvchi yo’nalishlarni o’rganish
Prinsiplar 
Tranzistorlar elektron sxemotexnikada eng 
muhim yarimo’tkazgichli komponentlardan 
biri hisoblanadi. Biqutbli tranzistorlarda tok 
uzatishda ham elektronlar, ham uyalar 
ishtirok etadi. Biqutbli tranzistorlarning 
elektrodlari emitter, baza va kollektor deb 
nomlanadi. Tranzistor manfiy-musbat-manfiy 
va musbat-manfiy-musbat tartibidagi uchta 
manfiy o’tkazgichli va musbat o’tkazgichli 
qatlamlardan iborat. O’rtada joylashgan baza 
qatlami 
shunchalik 
yupqaki, 
birinchi 
tutashgan joyda hosil bo’ladigan zaryad 
tashuvchilari ikkinchi tutashgan joyga o’tishi 
mumkin. 
Eksperimentda 
biqutbli 
tranzistorlarning 
prinsipi 
o’rganiladi 
va 
diod 
bilan 
solishtiriladi. Ushbu holatda manfiy-musbat-
manfiy 
va 
musbat-manfiy-musbat 
tranzistorlari 
o’rtasidagi 
farq 
aniq 
o’rganiladi. 
Apparatura
1 ta DIN A 4 rastrli rozetka 
shchiti 
576 74 
1 ta STE 100 Ω, 2 W rezistori 
577 32 
1 ta STE BD 137, NPN 
tranzistori 
578 67 
1 ta STE BD 138, PNP 
tranzistori 
578 68 
1 ta o’zgarmas/o’zgaruvchan 
tok ta’minoti manbasi, 0...12 
V/3 A 
521 485 
2 ta LDanalog 20 multimetri 
531 120