Fizika fanidan laboratoriya ishlari
Download 1.95 Mb. Pdf ko'rish
|
Радиоэлектроника Услубий
- Bu sahifa navigatsiya:
- Tekislik tranzistori diodining tavsiflarini o’rganish Eksperiment ob’ektlari
- Prinsiplar
O’lchovlar misoli 1-jadval: Kirish tavsiflari I B = f(U BE ) 2-jadval: Nazorat tavsiflari I C = f(I B ); U CE = 5 V I C kollektor tokini O’lchash uchun qO’shimcha multimetrni ulang. U CE kuchlanish (U BE kuchlanish O’rniga) kO’rsatkichlarni oling va qiymatni 2- jadvalning tepa qismiga kiriting. I B baza tokini minimallashtirib, 1 kΩ potensiometrini korrektirovka qiling. Potensiometrni burab, asta-sekin I B tokini oshiring. I B tok va I S tok juftligini 2- jadvaga kiriting. Chiqish tavsiflari: I C va U CE O’lchash, I B parametri 1 kΩ potensiometrni 47 kΩ rezistoriga almashtiring va 220 Ω rezistorini kollektorga ketmaket ulang. I B tok kO’rsatkichlarni oling va qiymatni 3- jadvalning tepa qismiga kiriting. 3-jadval: Chiqish tavsiflari I C = f(U CE ), I B = 4,6 mA Baholash a natijalar Kirish tavsiflari: I B = f(U BE ) p-n bazani emitterga O’tishi chegaraviy kuchlanishi taxminan 0,6V bO’lgan diod sifatida namoyon bO’ladi. Nazorat tavsiflari: I C = f(I B ), U CE = 5V Izoh: Tokning kuchayishi quyidagi bilan tavsiflanadi . BD 137 tranzistori uchun ß = 40 ... 250 tashkil qiladi. Chiqish tavsiflari: I C = f(U CE ), I B = 4,6 mA Izoh: Quvvatning asosiy yO’qotishlari kollektor-emitterning O’tishlari bilan bog ʻliq: P = U CE ∙ I C . BD 137 tranzistori uchun maksimal quvvat yO’qotishlari 8VA tashkil qiladi. Tekislik tranzistori diodining tavsiflarini o’rganish Eksperiment ob’ektlari Manfiy-musbat-manfiy va musbat-manfiy-musbat tranzistorlarining turli tutashgan joylari uchun o’tkazuvchan holat va berkituvchi yo’nalishlarni o’rganish Prinsiplar Tranzistorlar elektron sxemotexnikada eng muhim yarimo’tkazgichli komponentlardan biri hisoblanadi. Biqutbli tranzistorlarda tok uzatishda ham elektronlar, ham uyalar ishtirok etadi. Biqutbli tranzistorlarning elektrodlari emitter, baza va kollektor deb nomlanadi. Tranzistor manfiy-musbat-manfiy va musbat-manfiy-musbat tartibidagi uchta manfiy o’tkazgichli va musbat o’tkazgichli qatlamlardan iborat. O’rtada joylashgan baza qatlami shunchalik yupqaki, birinchi tutashgan joyda hosil bo’ladigan zaryad tashuvchilari ikkinchi tutashgan joyga o’tishi mumkin. Eksperimentda biqutbli tranzistorlarning prinsipi o’rganiladi va diod bilan solishtiriladi. Ushbu holatda manfiy-musbat- manfiy va musbat-manfiy-musbat tranzistorlari o’rtasidagi farq aniq o’rganiladi. Apparatura 1 ta DIN A 4 rastrli rozetka shchiti 576 74 1 ta STE 100 Ω, 2 W rezistori 577 32 1 ta STE BD 137, NPN tranzistori 578 67 1 ta STE BD 138, PNP tranzistori 578 68 1 ta o’zgarmas/o’zgaruvchan tok ta’minoti manbasi, 0...12 V/3 A 521 485 2 ta LDanalog 20 multimetri 531 120 Download 1.95 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling