Квантовая и оптическая электроника. Лекция N3
7
“затвор-канал” и усилительному полевому транзистору с управляющим р-n пе-
реходом (Рис.6.б).
В эквивалентной схеме полевого фототранзистора (Рис.7) источники
I
фи
и
I
фс
моделируют фототоки р-n переходов “исток-затвор” и “сток-затвор”; ис-
точник
S
U
з
- усиление в транзисторе; резистор
r
ДИФ
- дифференциальное вы-
ходное
сопротивление транзистора; резисторы
R
и
, R
c
и
конденсаторы С
и
, С
с
учитывают сопротивление и емкости переходов между областями “исток-
затвор”, “сток-затвор”. Резисторы
R
пс
, R
пи
, R`
пс
, R`
пи
с учетом сопротивления
омических контактов определяют последовательно включенные сопротивления
областей между выводом затвора и областью стока,
выводом затвора и обла-
стью истока, выводом истока и областью затвора,
выводом стока и областью
затвора. Для источника тока в выходной цепи фототранзистора можно запи-
сать:
S
U
з
=SR
н
(I
фк
+I
фc
+I
фи
)=SR
н
I
ф
,
(8)
где
I
Do'stlaringiz bilan baham: