Гетеропереходы oсновы современной электротехники и микроэлектроники. Султанов А. М

Заключение. Представляет интерес изучение влияния изовалентных атомов на процесс формирования плавных р⁰-n⁰ переходов, поскольку их применение позволяет изменять уровень концентрации и спектр мелких примесей и глубоко уровневых ловушек за счёт взаимодействия с фоновыми примесями в расплаве и изменения собственных точечных дефектов в эпитаксиальных слоях. Возможность дальнейшего повышения эффективности данной технологии связана с выяснением зависимостей характеристик переключения ФИИК от условий выращивания центрального высоковольтного р⁰-п⁰ перехода. Это делает работу, посвященную исследованию механизма формирования плавных высоковольтных р⁰-n⁰ переходов, получению импульсных коммутаторов высокого быстродействия на их основе, изучению связи условий выращивания эпитаксиальных структур и рабочих характеристик прибора, актyальной как в научном отношении, так и для решения практических задач.


Литература
[1]. Ашкинази Г., Золотаревский Л., Тимофеев В., Мазо Л., Шульга А., Войтович В., Тагесаар М., Оленштейн И., Юйрике Х., Челноков В. Силовые высокотемпературные высоко­частотные приборы на основе арсенида галлия // Известия Академии наук Эстонской ССР. 1984.
[2]. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. Чем заменить SiC-диоды Шоттки // Силовая электроника. 2009. № 5.
[3]. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar Invertors и замены синхронных выпрямителей // Силовая электроника. № 6.
[4]. Ashkinazi G. GaAs Power Devices. Israel.
[5]. Passlack M., Droopad R., Rajagopalan K., Abrokwah J., Zurcher P. HIGH MOBILITY III-V MOSFET TECHNOLOGY // CS Mantech Conference. Austin, Texas, USA. May 14–17, 2007.
[6]. Sarkar T., Mazumder S. K. Epitaxial Design of Direct Optically Controlled GaAs/AlGaAs — based Heterostructure Lateral Superjunction Power Device for Fast Repetitive Switching // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 54. № 3. March, 2007.
[7] .Vainshtein S. N., Yuferev V. S., Kostamovaara J. T., Kulagina M. M., Moilanen H. T. Significant Effect of Emitter Area on the Efficiency, Stability and Reliability of Picosecond Switching in a GaAs Bipolar Transistor Structure // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 57, № 4. 2010.
[8]. Султанов А.М. 1992. Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. Дисс. на соиск. канд. физ.-мат. наук. Россия, Санкт-Петербург. ФТИ им. А.Ф. Иоффе. РАН.