Input devices

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI

Mavzu : Intеgrаl injеktsiоn mаntiq. Intеgrаl-injеksiоn mаntiq (IIM) haqida tushunchа. IIM MEning ishlаsh prinsip Bajardi : 1001-21 KI (UZB) 2-kurs sirtqi ta'lim talabasi:

Bektemirov Kadirbergen. _______ Qabul qildi: Serjanov Quwanish. _______

Reja 1.Integral-injeksion mantiq (IIM) haqida tushuncha. 2. IIM MEning ishlash prinsipi. 3.Integral-injeksion mantiq (IIM) haqida tushuncha. 4 intgral injeksion mantiq I2M negiz elementi 5. I2M ME zanjiri 7. MDY — va BTIar asosidagi invertorlarni taqqoslash. 8. Xulosa 8. Foydalanilgan adabiyotlarq

• Integral-injeksion mantiq (IIM) haqida tushuncha.

IIM elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. I2MMEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeMdan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi.
Mikro elektron apparatlar rivoji KIS va O‘KISlarni keng qo‘llashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari; ishonchlilik, halaqit bardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lchamlari, narxi kamaymoqda va h.k.
KISMElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDYa – texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral – injeksion mantiq (I2M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi.
I2M negiz elementi sxemasi 11.1-a rasmda keltirilgan. Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar Btlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. I2M turdagi elementlarda hosil qilingan