Intellektual boshqaruv va kompyuter tizimlari fakulteti Axborot tizimlari va texnologiyalari yo`nalishi k-90-21 guruh talabasi Omonillayev Zoxidjonning “Elektronika va sxematexnika” fanidan Mustaqil ta`lim uchun tayyorlagan taqdimoti

Intellektual boshqaruv va kompyuter tizimlari fakulteti Axborot tizimlari va texnologiyalari yo`nalishi K-90-21 guruh talabasi Omonillayev Zoxidjonning “Elektronika va sxematexnika” fanidan Mustaqil ta`lim uchun tayyorlagan taqdimoti

MAYDONIY TRANZISTORLAR

Maydoniy (unipolyar) tranzistorlar Maydoniy tranzistor deb to’k o’tishini o’tkazuvchi kanali ko’ndalang elektr maydoni yordamida boshqaruvchi yarim o’tkazgichli qurilmaga aytiladi. Bipolyar tranzistordan asosiy farqi unda tokni bir turdagi asosiy zaryad tashuvchilar hosil qiladi. Tokni bitta turdagi zaryad tashuvchi hosil qilganligi uchun unipolyar tranzistor deb ham ataladi. Maydoniy tranzistorlar 2-turga bo’linadi: *boshqariluvchi p-n o’tishli (kanali n-tipi yoki p-tipli) *Metall –dielektrik –yarim o’tkazgich tarkibli (M D Ya-tranzistor) ko’pincha dielektrik sifatida Si O2 – Kremniy o’ksidi qo’laniladi
M O Ya- tranzistor (metall –oxide semiconductor field effect transistor, qisqacha MOSFET) deb ataladi. MOYa – tranzistorlar ikki xil bo’ladi *kanali qurilgan tranzistor ; *kanali induksiyalangan tranzistor.

Boshqaruvchi p-n o’tishli maydonli transiztorlar bir turdagi yarimo’tkazgich monokiristal (masaln n-turli) asosidan tashkil topgan bo’lib,o’rtasida boshqa tur(p-tur) o’tkazuvchanlik joylashtiriladi.Turli aralashmali o’tkazuvchanliklar chegarasida p-n o’tish hodisasi kuzatiladi. Unda asosiy zaryad tashuvchilarni harakatlantiruvchi elektrod-istok(I-oqim boshlanishi,to’k manbai),asosoy zaryad tashuvchilar boradigon elektrod-stok(S-oqim quyilishi),o’rtadagi boshqaruvchi elektrod esa zatvor (Z) deyiladi.Istok bilan stok oralig’idagi qatlam kanal ( k) deb ataladi. Chiqish tokini samarali boshqarish uchun asosiy material yuqori omilli qarshilikka ega bo’lishi

Stok istokka nisbatan musbat kuchlanish berilsa asosiy tok tashuvchilar – elektronlar stokka tomon harakatlanadi. Zatvorga kuchlanish hamma vaqt teskri ulanishda beriladi. Krish kuchlanishi U’zi o’zgarishi bilan U’’zi> U’zi zatvordagi teskri kuchlanish o’zgaradi va p-n o’tish qatlami kengayib,kanali ko’ndalang kesimini toraytiradi. Buning natijasida undan o’tayotgan elektronlar oqimining miqdori o’zgarishi hisobiga stok toki boshqariladi.

Boshqaruvchi p-n o’tishli maydonli transiztor stok- zatvor xarakteristikasi *zatvorning boshqaruvchi xususiyatini stok-zatvor (o’tish)xarakteristikalarini ko’rsatib beradi: Is=f (=(Uzi) | Usi = const Uzi=0- bo’lganda kanalning ko’ndalang kesmi yetarlicha katta qarshiligi minimal bo’lib o’tayotgan tok maksimal bo’ladi Uzi <0 bo’lsa, kanalning ko’ndakang kesmi kichrayadi va stok kamayadi .Z atvor kuchlanishning ma’lum br qiymatda ko’ndalang kesmi nolga teng bo’ladi va stok toki juda kam bo’ladi .kuchlanish uzulishi kuchlanish deyiladi.

Kanali n-tur boshqariluvchi p-n o’tishli maydonli tranzistorning chiqish harektristikasi

Maydonli tranzistorning bipolyar tranzistorga nisbatan afzaliklar *Yuqori kirish qarshiligi *Kichik shovqinlar *Yuqori tempereturaviy stabilk Ulanish sxemalari

Ummumiy istokli ulanish sxemasi 1.Tok kuchlanish boyicha katta kuchkanish koeffitsiyentiga ega 2.Kirish signali fazasini 180 gradusga o’zgartiriladi 3.Nisbatan katta kirish v chiqish qarsgiliklariga ega. Ummumiy stok ulanish sxemasi 1.emiter qaytargichga o’zshagani uchun istok qaytarivchi deyiladi 2.chiqish kuchkanish faza bo’yichab kirish kuchlanishni qaytaradi.

Ummumiy zatvorli ulansh sxemasi 1. Ummumiy bazaligi ulanishga o’xshash sxema. 2. Tok boyicha kuchaytirishga erishilmaydi. Shuning uchun quvvat bo’yicha kuchaytirish kam. 3. kuchaytirishda kuchlanish fazasi o’zgarmaydi. 4. Kirish tok istok toki bo’lganligi uchun kirish qarshiligi kichik. Shunung uchun alohida holda amaliyotda ishlatiladi.

Kanali hosil qilingan MOYa tranzistor Agarda zatvor kuchkanish nol bo’lganda stok va istok orasidagi kuchlanish qoyilsa u holda orqali elektron oqimidan iborat bo’lgan tok orqadi. Bundan kristaldan p-no’tishidan biri teskari kuchkanish ta’sirida bo’lganligi uchun tok o’tmaydi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko’ndalang elektr mayoni hosil bo’ladi va uning ta’sirida kanalda elektronlar istokka , stoka va kristalga itarilad. Kanal qarshiligi ortib, stok toki kamayadi. Tranzistorning bu rejimi kambag’alashgan ish rejimi deyiladi Agarda zatvor kuchlanish musbat bo’lsa bu kuchlanish ta’sirida istok va stok sohalari hamda kristaldan kanalhga elektron o’tadi. Buning nstijasida o’tkazuvchanligi ortib stok toki oshadi. Tranzisotning bu ish rejimi boyitidh rejimi deyiladi.

Kanali induksialangan MOYa va tranzistor ( boyitilgan turdgi , Enhancement MOSFET E- MOSFET

Uzi = 0 bo’lganda stokka kuchkanish berilsa kanalda tok hosil bo’lmaydi(asosiy bo’lmagan
Zaryad tashivchilarni hidobga olmasak)
Agarda Uzi< 0 bolib stikka musbat kuchlanish berilsa kanalda tok hosil bo’lmaydi stok va istok orsida kanal p-taglikda o’tgan musbat zaryadlar bilan bo’ladi.

Foydalanilgan adabiotlar:

• WWW.ADABIYOT.ED.UZ
• Elektonika asoslari (G’ulomov U.I.)
• Sxematexnika (X.K.Aripov)

E’tiboringiz uchun raxmat