Исследование взаимодействия нанорельефа с поверхностью основы

МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕ СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА
Факультет Электроники и Автоматики
Направление Нанотехнология Полупроводниковых Материалов


КУРСОВАЯ РАБОТА
на тему: «Исследование взаимодействия нанорельефа с поверхностью основы».
Магистрантки 1-го курса Саидрахмановой Азизы
Гуппы 63М-21

Ташкент-2022

Содержание:
Введение
1.Физические основы зондовой нанотехнологии

1. 
   Методы зондовой нанотехнологии
   

2. Формирование Нанорельефа
2.1. Контактное формирование нанорельфа
2.2. Бесконтактное формирование нанорельфа
3. Сканирующая электронная микроскопия
4. Просвечивающая электронная микроскопия, в том числе высокого разрешения
5. Люминесцентная микроскопия
6. Массоперенос
4.1. Межэлектродный массоперенос
4.2. Электрохимический массоперенос
4.3. Массоперенос из газовой среды


Введение
Более 30-ти лет назад в экспериментах по облучению полупроводниковых или металлических мишеней ионами, падающими под углом к поверхности, наблюдался рифленый рельеф нанометрового масштаба. При этом предполагалось, что при нормальном падении пучка на облучаемой поверхности должен возникать упорядоченный рельеф в виде нанохолмов. Однако впервые формирование такого рельефа под действием ионной бомбардировки было обнаружено лишь в 1999 году. Формирование нанохолмов на поверхности GaSb после облучения ионами
Аг"^ с энергией 420 эВ, образующих регулярную двумерную структуру с плотной гексагональной упаковкой, объяснялось неоднородностью коэффициента распыления вдоль поверхности мишени, возникающей вследствие преимущественного распыления Sb, и процессами самоорганизции,для описания которых привлекалась теория Харпера Брэдли . Результаты работы продемонстрировали
перспективность применения ионной бомбардировки в создании наноструктур для электронных и оптоэлектронных приборов и стимулировали интенсивные теоретические и экспериментальные исследования в этой области. Особый интерес
представляет изучение наноструктур на основе кремния, которые рассматриваются в настоящее время как перспективные оптические эмиттеры.
Важным шагом в этом направлении явилась работа, в которой обнаружено, что при облучении Si (100) ионами Лг'^ с энергией 1,2 кэВ, падающими по нормали к поверхности на образце формируется однородный и высокоупорядоченный нанорельеф, аналогичный наблюдавшемуся в работе . Однако позднее в экспериментах по
облучению Si (100) ионами Аг^, которые проводились при тех же условиях, что и в работе, упорядоченный рельеф на поверхности Si не был обнаружен. Для того чтобы понять причины такого, по
мнению авторов работы, «загадочного» расхождения, с одной стороны, а также для изучения возможностей управления параметрами нанорельефа, в настоящей работе проводилось исследование влияния параметров, как ионного облучения, так и параметров облучаемого материала на характеристики нанорельфа.

1.