Issn 2010-9075 бердак атындаи ! Кара калпа к >дак £кет. М0Млекетлик университетиниц

р в базовой области диода.
Н епосредственные измерения тр в исходной и облученной до дозы 5хЮ б Р барьерной структуре Au-Ti-/j- 
w'-GaAs методом тока индуцированного электронным зондом показали, что после облучения тр возрастает на 
порядок по сравнению с исходной величиной тр(тр в исходном образце составляло « 5 х Ю '|0с, а после 
облучения Тр » 5х I0 'v с). Из приведенных выше данных можно сделать вывод, что низкодозовая обработка 
диодных структур Au-Ti-rt-«+-GaA s гамма-квантами “ Со в диапазоне доз 104ч-10 Р не приводит к их 
деградации, а наблю даемые эффекты связаны со стимулированным радиацией структурно-примесным 
упорядочением приграничной с металлом области GaAs и релаксацией внутренних м еханических напряжений в 
приборной структуре. М ож но сказать, что наилучш ие результаты после облучения диодных структур A u-Ti-и- 
n*-GaAs получаются в диапазоне доз ! OlV 10 ' Р,
Таким образом, улучш ение параметров диодных структур Au-Ti-/7-/i+-G aA s после облучения гамма- 
квантами 60Со в соответствую щ ем диапазоне доз коррелирует с релаксацией внутренних механических 
напряжений в приборных структурах по диф фузионному механизму.
Л И ТЕРА ТУ РА
1. 
Радиационные методы в твердотельной электронике. /Вавилов B.C., Горин Б.М. и др.- М. Радио и связь.—990. 
-184с.
2. 
Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах. /Под редакцией проф. 
Ю.А.Тхорика. - Киев. Феникс. -1994. -247с.
3. 
Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б,, Миленин В.В., Конакова Р.В., Чайка Г, Е. Влияние внешних радиационных, 
СВЧ - и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристаллах. //Вопросы 
атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. -1999. 
-3 (75). - С" 60-73.
4. 
Исмайлов К.А, Отениязов Е Камалов А.Б, Бижанов Е. Влияние малых доз гамма-радиации и СВЧ излучения 
на электрофизические параметры диодов е барьером Шоттки на основе GaP и GaAs. Uzbek journal of Physics. 
v.7, num 2, 2005, p. 124-127.
5. 
Исмайлов К,А, Бижанов E. Физические причины деградации арсенидгаллиевых лавинных диодов, «Доклады 
Академии наук Узбекистана». 2011. № 5. Стр. 37-38,
Резю ме
В данной работе обсуж даю тся результаты исследования влияния гамма-радиации в диапазоне доз 104-г107 
Р на электрофизические параметры полупроводниковы х структур с барьером Ш оттки A u-Ti-GaAs. Обнаружено 
что, улучшение параметров диодны х структур A u-Ti-n-«1-GaAs после облучения гамма-квантами 60Со в 
соответствующем диапазоне доз коррелирует с релаксацией внутренних м еханических напряжений s 
приборных структурах по диф ф узионном у механизму.
I3